专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]磁阻式存储器结构-CN201910119591.7有效
  • 吴奕廷;吴祯祥;杨伯钧;谢咏淨;郑宗昇;陈健中;王荏滺;黄正同 - 联华电子股份有限公司
  • 2019-02-18 - 2023-05-12 - H10B61/00
  • 本发明公开一种磁阻式存储器结构,其具有第一磁阻式存储器组包含一第一晶体管,第一晶体管包含一第一栅极结构、一第一源极/漏极区和一第一共同源极/漏极区,一第二晶体管包含一第二栅极结构、一第二源极/漏极区和第一共同源极/漏极区,一第二磁性隧穿结设置于第二晶体管之上,其中第一共同源极/漏极区电连接第二磁性隧穿结,一第一磁性隧穿结设置于第一晶体管之上,其中第一磁性隧穿结和第二磁性隧穿结的大小不同,第二磁性隧穿结串联第一磁性隧穿结,一位线电连接第一磁性隧穿结以及一源极线电连接第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。
  • 磁阻存储器结构

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