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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]发光元件及包括该发光元件的显示装置-CN202080107472.0在审
发明人：黄圣贤;许美姬;全基成 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2020-11-25 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L33/30 文献下载
摘要：发光元件包括：活性层；复数个第一导电型半导体层，位于活性层的下方；以及复数个第二导电型半导体层，位于活性层上。复数个第一导电型半导体层包括与活性层隔开最远的吸附防止层。吸附防止层包含Alx1Ga1‑x1InP，x1可以为0.6以下，吸附防止层的厚度可以为2μm以下。
发光元件包括显示装置

[发明专利]太阳能电池-CN201710437172.9有效
发明人：金忠义;梁荣成;崔在佑;许美姬 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2017-06-12 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：太阳能电池及其制造方法。公开了一种太阳能电池，该太阳能电池包括：控制钝化膜，其在半导体基板的一个表面上并且由介电材料形成；以及半导体层，其在控制钝化膜上，其中，所述半导体层包括具有第一导电类型的第一导电区域以及具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二导电区域。所述半导体基板包括扩散区域，该扩散区域包括与控制钝化膜相邻的第一扩散区域和第二扩散区域中的至少一个，其中，所述第一扩散区域被局部地形成以与第一导电区域对应并且具有低于第一导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度，其中，所述第二扩散区域被局部地形成以与第二导电区域对应并且具有低于第二导电区域的掺杂浓度的掺杂浓度。
太阳能电池

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201611272990.X有效
发明人：郑寅道;许美姬;梁周弘;李恩珠;南正范 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池及其制造方法。本发明公开了一种太阳能电池，包括：半导体衬底；保护膜层，形成在半导体衬底的表面上；多晶半导体层，形成在保护膜层上方；第一导电区域，通过用第一导电掺杂剂选择性地掺杂半导体层形成；第二导电区域，掺杂有第二导电掺杂剂并且位于第一导电区域的相邻部分之间；势垒区域，位于第一导电区域与第二导电区域之间且不掺杂掺杂剂；第一电极，连接到第一导电区域；以及第二电极，连接到第二导电区域。第一导电区域和第二导电区域中的每一个包括具有与势垒区域不同的结晶结构的第二结晶区域，并且第一导电区域和第二导电区域的第二结晶区域包括具有不同深度的第二多晶区域和第四结晶区域。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201610458890.X有效
发明人：郑寅道;梁周弘;李恩珠;许美姬 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2016-05-13 - 公布日： 2018-01-02 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括半导体基板；导电区域，所述导电区域包括形成在所述半导体基板的一个表面上的第一导电区域和第二导电区域；钝化膜，所述钝化膜被形成在所述导电区域上，所述钝化膜具有接触孔；保护膜，所述保护膜在所述接触孔内被形成在所述导电区域上，所述保护膜被形成在所述接触孔的内侧表面的至少一部分和所述钝化膜二者中的至少一个上；以及电极，所述电极通过所述接触孔被电连接至所述导电区域且使所述保护膜被插置在所述电极与所述导电区域之间。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201610369425.9有效
发明人： 许美姬;梁周弘;郑寅道;李恩珠 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2016-05-30 - 公布日： 2017-12-08 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：太阳能电池及其制造方法。公开了一种制造太阳能电池的方法，该方法包括以下步骤在半导体基板的一个表面上方形成隧道层；在所述隧道层上方形成半导体层；在所述半导体层中形成包括第一导电类型的第一导电区域以及第二导电类型的第二导电区域的导电区域；以及形成包括连接至所述第一导电区域的第一电极以及连接至所述第二导电区域的第二电极的电极。形成所述导电区域的步骤包括以下步骤在所述半导体层上方形成掩模层；利用激光在所述掩模层中形成与所述第一导电区域和所述第二导电区域中的至少一个对应的掺杂开口；以及利用所述掺杂开口来执行掺杂。
太阳能电池及其制造方法

[发明专利]太阳能电池及其制造方法-CN201410214046.3有效
发明人：南正范;许美姬;李恩珠;郑一炯 -专利权人： LG电子株式会社
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2017-01-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：太阳能电池及其制造方法。一种太阳能电池包括第一导电类型的基板；第一掺杂区域，该第一掺杂区域位于基板的第一表面并且含有与第一导电类型不同的第二导电类型的杂质；以及第一电极部，该第一电极部电连接到第一掺杂区域。第一电极部包括热固树脂以及分布在热固树脂中的第一导电粒子和第二导电粒子。第二导电粒子的功函数大于第一导电粒子的功函数，并且第二导电粒子在接触第一掺杂区域的界面处形成硅化物。
太阳能电池及其制造方法

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