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[发明专利]一种高温测试用柔性传感器夹具及上样工具-CN202310596090.4在审
发明人：郑璐;张晓杉;王汉鑫;许曼章;高久伟;王学文 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2023-05-24 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G01N3/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温测试用柔性传感器夹具及上样工具，沿轴向对接设置固定端夹具和移动端夹具；所述的固定端夹具设置圆柱形的固定主体，固定主体的一端轴向对接设置延伸体，延伸体端部设置固定传感器夹头；所述的移动端夹具设置圆柱形的移动主体，移动主体的一端设置移动传感器夹头；移动主体的外径小于固定主体的外径，通过上样辅助环使移动主体和固体主体同轴。本发明可在1200℃高温下对柔性力学传感器进行静/动态弯曲和拉伸的应力应变测试，满足了高温柔性传感器在1200℃以下的高温性能测试需求，有助于高温柔性传感器的研发和应用。
一种高温测试柔性传感器夹具工具

[发明专利]一种一维MoS2-CN202211072865.X有效
发明人：王学文;骆磊;纪洪嘉;许曼章;黄维 -专利权人：西北工业大学宁波研究院
申请日： 2022-09-02 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种一维MoS2纳米管材料及其制备方法，包括以MoO3，S粉为初级材料，采用Te辅助化学气相沉积法生长MoS2纳米管材料，所述的单根MoS2纳米管直径为80～200nm，通过Te辅助化学气相沉积法在SiO2/Si衬底表面生长高质量单晶MoS2纳米管，Te辅助化学气相沉积过程中采用Te粉作为催化剂，无需再采用模板和特定前驱体结构设计，工艺简单，产率高，且成本低廉，适合批量生产；在SiO2/Si衬底上直接生长MoS2纳米管，所制备的纳米材料形态均一、结构性能稳定，可以作为场效应晶体管沟道材料、光催化、电催化、太阳能电池、柔性传感器，场发射和锂离子电池负极材料。
一种 mos base sub

[发明专利]一种智能电子胶带、制备方法及柔性传感器-CN202211094346.3在审
发明人：王学文;高久伟;郑璐;许曼章;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01B5/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能电子胶带、制备方法及柔性传感器，智能电子胶带包括胶带，在所述胶带的粘结面粘附导电浆料图；所述的导电浆料由导电材料和柔性聚合物组成，导电材料和柔性聚合物的质量比为1：(7～13)。制备方法包括以下步骤：模板加工，模板预处理，制备导电浆料，导电浆料填充，胶带转印导电图案。本发明中生产出的智能电子胶带具有成本低、加工方式简单、使用便携、适用范围广、应用场景多等优点，不仅可以用在人体心电、肌电、脑电等健康信号的监测也能用于体脉搏、呼吸、抖动、肢体运动等信号的监测，故在可穿戴健康监测方面及人机交互等领域有巨大的应用潜力，在制造具有低成本、耐用的柔性传感器方向具有巨大潜力。
一种智能电子胶带制备方法柔性传感器

[发明专利]一种基于聚酰亚胺的低维材料的转移方法-CN202211418848.7在审
发明人：王学文;赵若晴;吴昊;许曼章;董璇;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用聚酰亚胺薄膜转移低维材料的方法，具体包括将聚酰胺酸溶液涂覆在已生长有低维材料的刚性基底表面，热处理形成聚酰亚胺薄膜再进行剥离，从而实现低维材料从刚性基底到柔性聚酰亚胺薄膜基底的转移。与现有技术相比，本发明所提供方法不仅能够将在刚性基底上生长的低维材料完整地从刚性基底转移至柔性聚酰亚胺衬底上，而且该方法工艺简单、转移率高，转移后的低维材料完整度高、表面洁净度高、数量保持度好，可直接用于低维材料的原位柔性器件的制备与表征。
一种基于聚酰亚胺材料转移方法

[发明专利]一种耐高温衬底上的钼钨硫合金薄膜及制备方法-CN202211141768.1在审
发明人：郑璐;张晓杉;许曼章;王学文 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐高温衬底上的钼钨硫合金薄膜及其制备方法；以云母为衬底，反应源和稳定剂于有机溶剂中混合形成前驱体溶液，前驱体溶液旋涂在云母衬底表面至有机溶剂蒸发得到前驱体薄膜；将两片表面有前驱体薄膜的云母衬底面对面堆叠在一起，利用激光直写技术对堆叠在一起的云母衬底进行激光直写处理即可得二维钼钨硫合金薄膜；所述的激光直写处理的参数包括：工作距离为100～120mm；激光功率为2～5W；脉冲频率为20～200kHz；激光间距为1～100μm；写入速度为0.1～1m/s。本发明中二维钼钨硫合金薄膜可直接在耐高温衬底上制备得到，避免材料在转移过程中被污染和损伤，制备得到的材料质量高、面积大，可以图案化制备。
一种耐高温衬底钼钨硫合金薄膜制备方法

[发明专利]一种柔性衬底上二硫化钼薄膜、制备方法及应用-CN202211153383.7在审
发明人：郑璐;王汉鑫;许曼章;王学文 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性衬底上二硫化钼薄膜、制备方法及应用，以聚萘二甲酸乙二醇酯为衬底；反应源和稳定剂于有机溶剂中混合形成旋涂液，旋涂液旋涂在衬底表面至有机溶剂蒸发得到薄膜衬底；将薄膜衬底旋涂有溶液的一面朝上放置在二氧化硅/硅片上；利用激光直写技术对薄膜衬底进行激光直写处理即可得二维二硫化钼薄膜；所述的激光直写处理还应采用矢量打点模式，其参数包括：打点间隔0.05～0.5ms，打点次数1～5次。本发明中二维二硫化钼可直接在柔性衬底上制备得到，避免材料在转移过程中被污染和损伤，制备得到的材料质量高、面积大，可以图案化制备。所制备的柔性应力传感器稳定性高。
一种柔性衬底二硫化钼薄膜制备方法应用

[发明专利]一种高保真度2D TMDs的转移方法-CN202211141781.7在审
发明人：王学文;纪洪嘉;骆磊;许曼章;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： C23C16/01 文献下载
摘要：本发明公开了一种高保真度2D TMDs的转移方法，包括以下步骤：步骤一：在生长衬底上沉积生成2D TMDs，2D TMDs上覆盖制备PMMA薄膜，去除PMMA薄膜边缘；步骤二：在步骤一得到的PMMA薄膜上覆盖制备PS薄膜，得到PS/PMMA/TMDs/衬底结构；步骤三：层间注水获得PS/PMMA/TMDs薄膜，将有2D TMDs的一面覆盖在目标衬底上，去除PS和PMMA即得。该方法适用于多种2D TMDs的转移，操作高效、快捷。转移后的材料具有结晶质量高、结构完整、表面干净等特点，利于后续制备基于TMDs垂直堆叠的vdW异质结以及基于柔性衬底的器件加工。
一种保真度 tmds 转移方法

[发明专利]一种二硫化钼薄膜的制备方法、应用及柔性健康传感器-CN202211082910.X在审
发明人：王学文;黄河;李伟伟;许曼章;张晓杉;高久伟;郑璐 -专利权人：西北工业大学宁波研究院
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼薄膜的制备方法、应用及柔性健康传感器，以聚酰亚胺为衬底；四六带钼酸铵与混合溶剂制成墨水，所述的墨水中：四硫代钼酸铵的浓度为1～20mg/ml；混合溶剂中，按体积比计，水：丙二醇或乙二醇：乙醇或异丙醇＝(1～4)：(2～3)：(2～3)；将所述的墨水按设计图案在衬底表面印刷，加热至有机溶剂蒸发得到图案化的前驱体薄膜；将所述的前驱体薄膜进行退火处理即得二维二硫化钼薄膜。本发明中二硫化钼面积大、质量高，可以定制图案制备，批量化生产。基于该二硫化钼薄膜所制备的柔性生理电电极传感器可以用于人体心电、肌电、脑电等信号的监测。
一种二硫化钼薄膜制备方法应用柔性健康传感器

[发明专利]一种超薄聚酰亚胺薄膜厚度测量方法-CN202211065917.0在审
发明人：王学文;董璇;赵若晴;许曼章;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G01B11/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种聚酰亚胺薄膜的厚度测量方法，步骤一：聚酰亚胺前驱体溶液旋涂在SiO2/Si基底上，一次加热实现薄膜半固化得到半固化薄膜基底；步骤二：对半固化薄膜基底进行裁切得到截断面，二次加热得到全固化薄膜，然后进行热酰亚胺化形成聚酰亚胺薄膜；步骤三：在扫描电子显微镜下观察截断面，测量薄膜厚度。根据本发明方法进行聚酰亚胺薄膜厚度测量时，不同于传统的薄膜测试方法，试样制备简单，测试方法便捷，数据呈现直观且精确。
一种超薄聚酰亚胺薄膜厚度测量方法

[实用新型]一种气路可控的湿度传感器测试装置及测试平台-CN202221346991.5有效
发明人：王学文;朱溪刚;许曼章;黄河;高久伟 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G01D21/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种气路可控的湿度传感器测试装置及测试平台，气路可控的湿度传感器测试装置设置依次连接的空气气源、第一流量计、第一电磁阀组、进气管路、标定溶液瓶、出气管路和第二电磁阀组；第二电磁阀组的出气端连接设置测试腔；与所述的空气气源连接还设置标定电磁阀和第二流量计，第二流量计的出气端与所述的测试腔连接。本实用新型可以对气路进行控制进而快速转换腔体内相对湿度，以解决现有测试方法存在测试缓慢、测试易受外界干扰的问题，便于实验室及工业生产中的测试。
一种可控湿度传感器测试装置平台

[发明专利]一种湿度敏感材料、柔性湿度传感器及制备方法-CN202210610441.8在审
发明人：王学文;朱溪刚;高久伟;李玥;黄河;许曼章 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-31 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01N27/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种湿度敏感材料、柔性湿度传感器及制备方法，用于检测环境和皮肤表面湿度。本发明所采用的湿度敏感材料基于高分子聚合物和碳材料。该传感器的加工方法包括以下步骤：在柔性衬底上利用真空蒸镀、电镀或其他镀膜方法制备金属层，然后批量化加工制备电极，采用刮涂或丝网印刷工艺对准电极制备湿敏层。本发明所制备的柔性传感器具有灵敏度高、响应范围宽、可穿戴、无毒等优点。本发明生产成本低、制作工艺简单在工业中可以实现批量化制备，进行规模化生产。
一种湿度敏感材料柔性传感器制备方法

[发明专利]一种二维材料扭角WS2-CN202210561461.0在审
发明人： 许曼章;纪洪嘉;张晓杉;骆磊;王学文;郑璐;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料扭角WS2的制备及二维材料扭角WS2，二氧化硅/硅片为衬底，钨源和硫粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二维材料扭角WS2的生长；所述二维材料扭角WS2的生长容器为石英管，石英管内通入氩气作为运载气体；在所述的石英管内还设置了两端开口的石英试管，用于放置进行化学气相沉积的钨源和衬底；氩气的流量为50～180sccm；化学气相沉积的反应温度为750～850℃。该实验工艺简单，成本低廉，所制备的二维材料扭角WS2表面均匀平整、质量高，对于研究新型扭角光电子学及光电集成器件有重要的意义。
一种二维材料 ws base sub

[发明专利]一种二维材料扭角MoS2-CN202210561427.3在审
发明人： 许曼章;纪洪嘉;骆磊;张晓杉;王学文;郑璐;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C23C16/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维材料扭角MoS2的制备及二维材料扭角MoS2，二氧化硅/硅片为衬底，钼源和硫粉为原料，在所述衬底的二氧化硅面采用化学气相沉积法进行二维材料扭角MoS2的生长；所述二维材料扭角MoS2的生长容器为石英管，石英管内通入氩气作为运载气体；在所述的石英管内还设置了两端开口的石英试管，用于放置进行化学气相沉积的钼源和衬底；氩气的流量为30～200sccm；化学气相沉积的反应温度为650～800℃。该实验工艺简单，成本低廉，所制备的二维材料扭角MoS2表面均匀平整、质量高，对于研究新型扭角光电子学及光电集成器件有重要的意义。
一种二维材料 mos base sub

[发明专利]一种二硫化钼薄膜、制备方法、应用及柔性健康传感器-CN202111134476.0在审
发明人：王学文;许曼章;高久伟;宋俊才;王汉鑫;郑璐;黄维 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： C01G39/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二硫化钼薄膜、制备方法、应用及柔性健康传感器，以二氧化硅/硅片为衬底；反应源和稳定剂于有机溶剂中混合形成旋涂液，旋涂液旋涂在衬底表面至有机溶剂蒸发得到薄膜衬底；利用激光直写技术在薄膜衬底进行激光直写处理即得二维二硫化钼薄膜；所述的激光直写处理的参数包括：工作距离为160～180mm；激光功率为2～5W；脉冲频率为20～200kHz；激光间距为1～100μm；写入速度为0.1～1m/s。本发明中二维二硫化钼质量高、面积大，可以图案化制备，可以避免材料被污染，所制备的柔性应力传感器具有稳定性高，检测精度高，应变系数高，可以用于人体脉搏、呼吸、抖动等微弱信号的监测。
一种二硫化钼薄膜制备方法应用柔性健康传感器

[发明专利]一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置-CN201811292943.0有效
发明人：刘政;许曼章;张志勇;赵武;闫军锋;翟春雪;郭昱希;李强;王学文;郑璐 -专利权人：西北大学
申请日： 2018-11-01 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： C01B19/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲纳米线材料的制备方法、碲纳米线材料及装置，以碲粉为原料，在二氧化硅/硅衬底的二氧化硅面采用物理气相沉积法进行碲纳米线的沉积生长；所述物理气相沉积的气相为氩气和氢气的混合气体，氩气和氢气的总流量为70sccm；所述理气相沉积的温度为600～800℃。即使用物理气相沉积法直接在二氧化硅/硅衬底上制备出碲纳米线。该实验以制备方法工艺简单，不涉及化学反应，具有环境友好等特点，成本低廉，所制备的碲纳米线质量高，纳米线的长径比可进行可控调节。碲纳米线可以作为气敏传感器、催化剂、热电材料、光电材料、太阳能电池以及场效应晶体管材料。
一种纳米线材制备方法料及装置

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