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[实用新型]一种能调节径向温度梯度以及释放应力的坩埚-CN202320325734.1有效
发明人：韩学峰;许彬杰;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种能调节径向温度梯度以及释放应力的坩埚，包括用于盛放SiC粉源的下部坩埚和可拆卸设置于所述下部坩埚顶部、用于承载籽晶托的上部坩埚，所述上部坩埚由若干个径向设置的坩埚环组成。本实用新型有助于释放部分由于晶体与石墨的热膨胀系数差异以及晶体扩径生长与石墨坩埚之间的挤压所导致的应力，同时可以通过改变上部坩埚环的环数或者抽除外层坩埚环来调节晶体表面的径向温差。
一种调节径向温度梯度以及释放应力坩埚

[实用新型]一种可调节生长速率的八英寸PVT生长炉-CN202222932806.7有效
发明人：韩学峰;许彬杰;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节生长速率的八英寸PVT生长炉，包括保温层、坩埚、侧部加热器、底部加热器、石墨气流管道、碳化硅粉源区与八英寸碳化硅籽晶，坩埚设置于所述保温层内部，坩埚底部均匀设有至少8个的进气孔；坩埚顶部相应设有多个出气孔，进气孔和出气孔通过石墨气流管道相连，石墨气流管道贯穿保温层，底部加热器放置于坩埚下方石墨气流管道附近。本实用新型在晶体生长的过程中，通过调节底部加热器的功率使得坩埚内部的轴向温差增大，确保石墨气流管道内部的气流温度高于坩埚内部，实现坩埚底部→坩埚顶部→石墨气流管道→坩埚底部的循环，使得碳化硅粉源分解出来的气相化合物的浓度以及浓度梯度增大，使得生长速度增大。
一种调节生长速率英寸 pvt

[实用新型]一种可调节热场的八英寸PVT生长炉-CN202222917890.5有效
发明人： 许彬杰;韩学峰;皮孝东;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可调节热场的八英寸PVT生长炉，包括保温层、坩埚、侧边加热器、碳化硅粉源区与八英寸碳化硅籽晶，坩埚的顶部设有可分离的顶部加热器，所述顶部加热器从里至外分成四层，每一层包括N个加热器，N为偶数且大于等于4，同一层上的加热器大小相同。本实用新型利用电动传控装置，移动单晶生长装置顶端的可分离，可移动的石墨加热器，在单晶生长的过程中，将石墨加热器移动至最佳位置，优化碳化硅单晶生长过程中的热场，使得在整个生长过程中，随碳化硅单晶逐渐变厚，始终能处于最优的热场中，在实现轴向温度和径向温度分离控制的基础上，仍可以在碳化硅单晶生长的过程中随时调节顶部加热器的结构，在生长过程中优化热场。
一种调节英寸 pvt 生长

[发明专利]一种在石墨器件表面制备金属碳化物涂层的方法-CN202210890477.6在审
发明人：皮孝东;许彬杰;王蓉;徐所成;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-07-27 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： C04B41/87 文献下载
摘要：本发明公开了一种在石墨器件表面制备金属碳化物涂层的方法，通过电场作用将惰性工作气体电离，产生高能离子轰击金属靶材，将金属原子沉积到石墨器件的衬底表面形成薄膜，以获得致密的金属涂层；将覆盖金属涂层的石墨器件置于惰性工作气体中加热至第一温度并保温，最后随炉冷却，得到表面具有致密金属碳化物涂层的石墨器件。本发明结合了磁控溅射金属钽涂层与高温加热法，利用石墨与钽薄膜的高温反应生成结合力更强的碳化钽涂层，涂层厚度均匀可控，无有害界面反应发生，制备的周期短；并提出了双靶材溅射制备复合涂层的方法。
一种石墨器件表面制备金属碳化物涂层方法

[发明专利]一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法-CN202210551272.5在审
发明人：王蓉;许彬杰;皮孝东;徐所成;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-05-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： C30B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺锗改善碳化硅单晶衬底面型参数的方法，在物理气相传输法(PVT)生长碳化硅单晶过程中掺入非电活性的锗杂质，锗杂质会钉扎硅核心不全位错，通过位错钉扎效应阻止Si核心不全位错的滑移，抑制单晶衬底在加工过程中的机械应力下的滑移，以实现改善碳化硅单晶衬底面型参数的目的。同时，为了控制生长初期锗的高蒸汽压，防止锗原子在生长表面的团簇效应，并保证生长过程中锗源的持续供应，实现晶体生长过程中的均匀掺杂，本发明使用锗烷(GeH4)气体作为锗的掺杂源，在PVT单晶生长的同时，向生长腔内稳定、均匀地通GeH4气体以实现以上目的。
一种改善碳化硅衬底参数方法

[发明专利]一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法-CN202210214553.1有效
发明人：王蓉;徐所成;皮孝东;许彬杰;王亚哲;陈鹏磊;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
申请日： 2022-03-07 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种低位错密度的碳化硅单晶生长方法，包括以下几个步骤：将碳化硅籽晶粘接于石墨托后放入生长腔室内，进行碳化硅第一阶段生长，形成带贯穿型位错的碳化硅晶体；将生长腔室加热，压强降低，加入含碳气体，通过低速台阶流生长模式进行碳化硅第二阶段生长，在碳化硅表面形成第一缓冲层；停止加入含碳气体，生长腔室内载气恢复至初始状态，提高腔室内压强，进行碳化硅第三阶段生长，第一缓冲层表面形成第二缓冲层；调整腔室压强，进行碳化硅单晶生长；生长完成后，降温、降压，获得低位错密度的碳化硅单晶，本发明通过缓冲层迭代方法调控碳化硅单晶生长过程中的位错演变，降低碳化硅单晶中的位错密度，实现高质量碳化硅单晶的生长。
一种低位密度碳化硅生长方法

[发明专利]一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片的方法-CN202210238596.3在审
发明人：王蓉;许彬杰;皮孝东;王明华;杨德仁 -专利权人：浙江大学杭州国际科创中心;杭州乾晶半导体有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： B23K26/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC衬底双脉冲飞秒激光切片剥离方法，在低能量的飞秒激光双脉冲切割之后，采用“快热冷‑剥离”法来产生足够的内应力，进一步破坏激光切割后的非晶结构，降低所需的外部剥离的机械应力的大小。本发明通过双脉冲的激光切片手段，大大减小了激光切片过程中造成的损伤层厚度，避免了材料的大量浪费；同时，利用“快热冷”手段，大大降低了切片后剥离所需的外部拉力的大小，让其可以被轻松剥离；本发明的方法材料损耗小，加工时间短，成本低，对环境的污染小。
一种 sic 衬底脉冲激光切片方法

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