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[发明专利]铌酸锂半导体结构的制备方法-CN202111404360.4有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构的制备方法，包括以下步骤：S100，提供铌酸锂材料薄膜，所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向沿第一方向；S200，在所述铌酸锂材料薄膜表面间隔设置多个第一电极层和多个第二电极层，多个所述第一电极层和多个所述第二电极层形成叉指电极；S300，给所述第一电极层和所述第二电极层施加脉冲电压，使得所述第一电极和所述第二电极之间的所述铌酸锂材料薄膜的铁电畴极化方向反转为沿第二方向，所述第二方向与所述第一方向相反。
铌酸锂半导体结构制备方法

[发明专利]铌酸锂半导体结构-CN202111403828.8有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层；第二铌酸锂材料层，与所述第一铌酸锂材料层间隔设置，所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿相同方向排列；以及第三铌酸锂材料层，夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间，所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向与所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向相反。
铌酸锂半导体结构

[发明专利]一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法-CN201811053887.5有效
发明人：薄方;张莉;郝振中;高峰;张国权;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G02F1/05 文献下载
摘要：本发明提供一种制备亚微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔的方法，其包括以下步骤：步骤一，生成带下电极的铌酸锂薄膜；步骤二，在铌酸锂薄膜上制备微盘腔掩模图案；步骤三，对样品进行反应离子束刻蚀，形成铌酸锂微盘；步骤四，在铌酸锂微盘上构造任意图案的极化结构；步骤五，对样品进行金属层和二氧化硅层刻蚀，形成边缘悬空的周期极化铌酸锂微盘腔。该发明操作简单，精度高，可实现具有小周期任意极化图案的铁电晶体微腔的制备。
一种制备微米周期任意极化图案铌酸锂微盘腔方法

[发明专利]红外测量方法、装置、计算机设备和存储介质-CN202210282813.9在审
发明人：任梦昕;兀伟;朱章航;张迪;蔡卫;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-03-22 - 公布日： 2022-07-15 - 主分类号： G01S17/02 文献下载
摘要：本申请涉及一种红外测量方法、装置、计算机设备、存储介质和计算机程序产品。所述方法包括：检测待测场景下的和频光在不同偏振基的投影的强度信息；所述和频光为红外信号光和泵浦光发生和频过程产生的和频光；根据所述和频光在不同偏振基的投影的强度信息，确定所述和频光的偏振信息；根据所述和频光的偏振信息和穆勒矩阵，确定所述红外信号光的偏振信息；其中，所述穆勒矩阵是基于所述和频器对应的二阶非线性极化率和所述泵浦光的偏振信息构建；根据所述红外信号光的偏振信息确定所述待测场景中被测目标的检测信息。采用本方法能够提高对被测目标发现与识别的精度。
红外测量方法装置计算机设备存储介质

[发明专利]铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件-CN202111195202.2有效
发明人：张国权;钱月照;张子晴;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： C30B33/04 文献下载
摘要：本发明涉及铁电畴制备技术领域，具体而言，涉及一种铌酸锂晶体畴结构的制备方法、光电器件。铌酸锂晶体畴结构的制备方法包括以下步骤：用施加了电压的导电探针扫描铌酸锂晶体表面形成畴结构，其中导电探针在铌酸锂晶体表面形成的电场强度大于等于铌酸锂晶体发生极化反转的阈值电场强度，铌酸锂晶体为非极性的X切向或非极性的Y切向的晶体。本发明提供的制备方法对样品结构无要求，无需底电极，且能够制备出任意图案且完整的畴结构。本发明还提供了一种包括上述制备方法制得的铌酸锂晶体畴结构的光电器件。
铌酸锂晶体结构制备方法光电器件

[发明专利]动态偏振度计及检测光的偏振态的方法-CN202210082001.X在审
发明人：任梦昕;兀伟;龚圣超;王琛雄;孟弋林;孟祥谦;陈亦然;蔡卫;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： G01J4/00 文献下载
摘要：本申请提供一种动态偏振度计及检测光的偏振态的方法。该动态偏振度计包括分光元件、检测元件、第一探测器、第二探测器和控制模块。其中，分光元件用于将入射光分为第一光束和第二光束；检测元件具有超构表面，设置于第二光束的光路上；第二光束透射超构表面后形成待检测透射光；第一探测器设置于第一光束的光路上，用于检测第一光束的功率；第二探测器设置于待检测透射光的光路上，用于检测待检测透射光的功率；控制模块包括数据处理单元，对测得的第一光束的功率和待检测透射光的功率进行处理得到入射光的偏振态参数。该偏振度计采用具有超构表面的检测元件使得装置体积小，结构简单，检测精度高。
动态偏振检测方法

[发明专利]电光调制器-CN202111235451.X在审
发明人：薄方;张茹;张国权;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G02F1/03 文献下载
摘要：本申请涉及一种电光调制器，所述电源能够产生使所述第一电极和所述第二电极之间，所述第一电极和所述第三电极之间激发出铌酸锂的高阶电光效应的较高的变化的电场。当产生铌酸锂的高阶电光效应时，所述电光调制器的半波电压显著降低。因此，所述电源提供较高的直流偏置电压和较低的射频电压就能够实现信号的调制。所述电光调制器无需再使用射频放大器等器件进行射频信号放大，也符合CMOS驱动电压的要求。因此所述电光调制器的电路部分能够完全集成在芯片上。因此能够实现较大的调制频宽，减小射频损耗，保证调制速率。所述电光调制器实现了低半波电压和较大的调制频宽的有益效果。
电光调制器

[发明专利]一种基于超表面和铌酸锂混合结构的片上太赫兹传感增强器件-CN201910021639.0有效
发明人：吴强;王日德;张亚卿;徐西坦;张斌;姚江宏;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-01-08 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： G01N21/3586 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于超表面和铌酸锂混合结构的片上太赫兹传感增强器件。其目的在于对微量生物化学物质进行高灵敏度检测。通过调节金属天线的长度和介质层二氧化硅的厚度，实现在更宽的频率范围内对不同药品的探测。采用的方案是：将天线阵列超表面镀在沉积了二氧化硅层的亚波长铌酸锂波导表面，然后在超表面上方涂抹薄层化学药品。通过激发天线局域表面等离子体，从而增强物质对特征频段光的吸收，实现对物质的高灵敏探测。本发明解决了由于样品体积小，与光场作用弱，而造成信号微弱的问题。本发明具有装置简易，体积小，测量种类多，高灵敏度，便于操控等显著特点，广泛适用于生物化学、医学等领域对微量物质的太赫兹特征波谱的传感探测。
一种基于表面铌酸锂混合结构片上太赫兹传感增强器件

[发明专利]铌酸锂半导体结构及其制备方法-CN202011438154.0有效
发明人：张国权;钱月照;张煜晨;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2020-12-10 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：一种铌酸锂半导体结构，包括：第一铌酸锂材料层、第二铌酸锂材料层和第三铌酸锂材料层。所述第一铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第二铌酸锂材料层与所述第一铌酸锂材料层间隔设置。所述第二铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第一方向。所述第三铌酸锂材料层夹设于所述第一铌酸锂材料层和所述第二铌酸锂材料层之间。所述第三铌酸锂材料层的铁电畴极化方向沿第二方向。所述第一方向与所述第二方向相反。
铌酸锂半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种对半导体表面过饱和掺杂且保持其晶格结构的制备方法-CN201811170358.3有效
发明人：吴强;贾子熙;进晓荣;黄松;杨明;张春玲;姚江宏;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明公开了一种对半导体表面过饱和掺杂且保持其晶格结构的制备方法。其是利用飞秒激光辐照半导体，在表面形成过饱和掺杂层。飞秒激光作用时间极短，瞬时功率极高，作用材料后降温速率极快，能通过与掺杂原子和半导体晶格的瞬时作用，将大量掺杂原子锁定在晶格中。对半导体加热，较高的衬底温度减缓飞秒激光作用后的瞬时超快降温速率，使缺陷不容易生成，从而保持其良好的晶格结构。本发明还具有工艺简单、易加工和易保存等优点，并且掺杂速度快，灵活性高，可以大面积加工也可以单点或沿预设路径加工。制备出的过饱和掺杂层在距表面0‑2000nm的深度范围内，掺杂浓度为1022‑1016Atoms/cm3，实现过饱和掺杂的同时保持晶格结构和掺杂原子活性。
一种对半导体表面过饱和掺杂保持晶格结构制备方法

[实用新型]一种全光纤耦合器的封装结构-CN202120971470.8有效
发明人：高峰;许京军;张国权;薄方 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： G02F1/125 文献下载
摘要：本实用新型公开一种全光纤耦合器的封装结构，包括壳体，还包括定支架和动支架，定支架和动支架与壳体连接，动支架包括动支架滑块和动支架安装台，两者固定连接；声光角锥，位于动支架安装台上且封装前与动支架安装台活动连接，可沿角锥轴向方向调节高度；声光光纤，两端分别连接在声光角锥和定支架上；电驱动接口与动支架安装台固定连接，与声光角锥电性连接；调节装置，位于壳体上，通过调节装置能够调整动支架滑块、位于动支架安装台上的声光角锥以及电驱动接口的位置；本实用新型通过在壳体上设置支架装置和调节装置，将声光光纤和声光角锥连接于支架装置和调节装置上，通过调节装置能够调整动支架和声光角锥的位置，从而调节光纤应力。
一种光纤耦合器封装结构

[实用新型]一种基于WGM微腔的滤波器的封装结构-CN202120973904.8有效
发明人：高峰;甘绪凡;许京军;薄方 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于WGM微腔的滤波器的封装结构，属于光纤封装技术领域，包括封装壳体，还包括密封块、微腔载物台、耦合端口光纤、耦合端口保护套、电驱动接口、壳体上盖以及设置在封装壳体两侧的中间固定托架，所述微腔载物台固定在封装壳体的内侧，所述电驱动接口安装于封装壳体上，与微腔载物台电性连接，所述耦合端口光纤穿设于耦合端口保护套中并固化于两端的密封块中。本实用新型通过在封装壳体内侧两端分别设置密封块，并在封装壳体的内侧安装有微腔载物台，通过调节微腔载物台上的压电陶瓷实现调节耦合距离，最终实现在保证封装结构清洁的条件下能够调节带宽。
一种基于 wgm 滤波器封装结构

[实用新型]光纤器件及光纤内声致马赫曾德干涉仪-CN202120245193.2有效
发明人：高峰;韩小芳;许京军;张国权 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-01-28 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了光纤器件及光纤内声致马赫曾德干涉仪，光纤器件包括：单模光纤以及形成于单模光纤一段区域上的三明治结构，三明治结构用于产生声光效应；三明治结构包括与单模光纤同轴的第一声光作用区、第二声光作用区和干涉臂区，干涉臂区位于第一声光作用区和第二声光作用区之间；第一声光作用区与第二声光作用区的直径相等，第一声光作用区的直径小于单模光纤中包层的直径且大于单模光纤中纤芯的直径；干涉臂区的直径小于第一锥区的直径且大于单模光纤中纤芯的直径。实现使光纤内声致马赫曾德干涉仪的结构紧凑、调谐快速、性能稳定、易于制备并降低制造成本。
光纤器件内声致马赫干涉仪

[实用新型]一种光纤光栅的封装结构-CN202120979509.0有效
发明人：高峰;王昭;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： G02B6/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光纤光栅的封装结构，属于光纤封装技术领域，包括壳体，还包括，光纤光栅组件，包括定滑块、动滑块和光纤光栅，所述光纤光栅的两端分别固定连接于所述定滑块和所述动滑块，所述定滑块与所述壳体的一端连接；弹性件，所述弹性件与所述动滑块的一端连接；调节装置，所述调节装置一端连接于所述壳体，另一端与所述动滑块的另一端连接，通过所述调节装置能够调整动滑块的位置，从而调节光纤光栅的应力。本实用新型通过在壳体上设有光纤光栅组件、弹性件和调节装置，通过调整调节装置调节弹性件的伸缩度来改变动滑块的位置，从而可以调节连接于动滑块与定滑块之间光纤光栅的张紧程度，实现了光纤光栅的应力可调。
一种光纤光栅封装结构

[发明专利]一种自支撑高增益柔性硅基光电探测器的制备方法-CN201910939440.6有效
发明人：吴强;孙玉琪;进晓荣;贾子熙;黄松;李志轩;张春玲;姚江宏;许京军 -专利权人：南开大学
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种自支撑高增益柔性硅基光电探测器的制备方法，通过化学腐蚀对单晶硅进行减薄使之具有柔韧性，并在柔性单晶硅表面制备具有准周期微锥结构的过饱和掺杂层，以此形成柔性黑硅。再经过退火处理激活黑硅层中的掺杂元素，极大提高了柔性单晶硅的吸收率并拓展了其光谱吸收范围。该柔性硅基光电探测器工作在反偏电压下，吸收光子产生光生电子‑空穴对，在外电场作用下分离，最终被电极收集后形成光电流，从而实现了光探测。本发明具有工艺简单，原材料易获取，易操控等优点，本发明所制备的柔性硅基光电探测器一方面实现了自支撑，另一方面实现了低偏压下高增益及宽谱的特性，并克服了有机柔性光电探测器响应时间较长的缺点。
一种支撑增益柔性光电探测器制备方法