专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202311034967.7在审
  • 汪志文;陈杨;詹朝翔;林成芝 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-08-17 - 2023-09-15 - H01L21/768
  • 本申请涉及一种半导体结构及其制备方法,半导体结构的制备方法包括:提供衬底,衬底上形成有沿其厚度方向依次层叠的第一停止层、第一介质层、隔离层、第二介质层、第二停止层、第三介质层及阻挡层;第一停止层与衬底相邻;去除部分阻挡层及部分第三介质层,以形成暴露出部分第二停止层的基准沟槽;经由基准沟槽沿厚度方向刻蚀第二停止层、第二介质层、隔离层、第一介质层及第一停止层,以形成暴露出部分衬底的目标沟槽;形成金属填充层,金属填充层填充满目标沟槽并覆盖阻挡层的顶面;去除金属填充层高于第二停止层的部分、阻挡层及第三介质层,剩余的金属填充层构成金属插塞;去除第二停止层。提高半导体结构的精准度。
  • 半导体结构及其制备方法

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