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[发明专利]石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器-CN201911329436.4有效
发明人：逄杰;孟昭建;王占奎;刘兰坤;陈中平;要志宏;宋军霞;甄志辉;高唱;董清;李建明;张立康;李修杰 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H03H9/19 文献下载
摘要：本发明提供了一种石英晶体谐振器叠层装配结构、方法及谐振器，属于谐振器技术领域。本发明通过缓冲晶片和频率输出晶片的叠层设置，使得缓冲晶片能够缓冲谐振器基座和簧片传递到频率输出晶片上的应力，保证频率输出晶片的稳定，从而保证石英晶体谐振器频率的准确性；同时装配方式简单，能够便于操作，有利于降低成本、提高装配效率；相对于传统结构的石英晶体谐振器，尺寸外形、功耗、装配工艺、实用性、可靠性等特性均可以保持一致，而加速度灵敏度指标会明显优化为2.0E‑10/g至5.0E‑10/g。
石英晶体谐振器装配结构方法

[发明专利]3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器-CN202310004731.2在审
发明人：韩玉鹏;刘海峰;王磊;要志宏;戴剑;刘乐乐;梁家铖;高显;苏辰飞;武世英;申靖轩;程泽普;王杰;杨宇峰;王树朋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-01-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种3D异构芯片的制备方法、3D异构芯片和衰减器。该制备方法包括：获取第一IC芯片，第一IC芯片为III‑V族化合物半导体芯片；在第一IC芯片的下表面上的第一预设位置制备第一金属屏蔽层；获取第二IC芯片，第二IC芯片为Si基互补金属氧化物半导体芯片；在第二IC芯片的下表面上的第二预设位置制备第二金属屏蔽层；将第二IC芯片的下表面与第一IC芯片的上表面连接，获得3D异构芯片；其中，在将第二IC芯片的下表面与第一IC芯片的上表面连接时，第一预设位置与第二预设位置上下对应。本发明能够有效提高3D异构芯片的片上空间隔离度。
芯片制备方法衰减器

[发明专利]抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器-CN202010123495.2有效
发明人：邓世雄;陈书宾;罗建;要志宏;刘晓红;杨鹏;王乔楠;吴波;苏彦文;武康;史磊;贾晓亮;李省;王平 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-02-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明适用于无线电系统技术领域，提供了一种抗饱和限幅器、芯片及驱动放大器，该方法包括：多级限幅电路的第一端依次连接在输入端和输出端之间，每级限幅电路的第二端的第一端口接地，第一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，最后一级限幅电路的第二端的第二端口串联一个功率负载后接地，中间级限幅电路的第二端的第二端口接地，中间级限幅电路为除第一级限幅电路和最后一级限幅电路之外的限幅电路，从而实现单片吸收式抗饱和限幅器，与现有的GaAs单片限幅器相比，线性度提高20dBc；采用该抗饱和限幅器，可以有效改善驱动放大器的过饱和问题，且耐功率及集成度高、装配简单、可靠性高。
饱和限幅器芯片驱动放大器

[发明专利]微波薄膜混合集成电路的制备方法-CN202010084967.8有效
发明人：史光华;常青松;徐达;要志宏;王真;闫妍;张延青;王雪敏;杨阳阳;李玲;张慧芳;任淑敏;宋坤;杨会娟 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-02-10 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及微电子领域，特别涉及一种微波薄膜混合集成电路的制备方法。该方法包括：在衬底上打孔形成通孔；在器件正面和背面沉积种子层；其中，所述种子层覆盖器件正面、器件背面和通孔；通过临时填充层填充所述通孔；通过真空吸附的方法将器件固定，并在器件正面旋涂光刻胶；对器件正面进行光刻，在器件正面的预设区域形成光刻胶掩膜；其中，所述预设区域以外的区域所对应的种子层为电路图形；去除所述临时填充层；对器件进行电镀加厚处理，使所述电路图形加厚；去除所述光刻胶掩膜；去除预设区域的种子层。上述方法可以在涂覆光刻胶的步骤中使用真空吸附的方法固定器件，降低了工艺难度，且提高了成片的质量。
微波薄膜混合集成电路制备方法

[发明专利]堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法-CN201911155696.4有效
发明人：徐达;要志宏;常青松;罗建;张延青;李丰;刘荣军;许悦;关统新;郭英;乔召杰;默卫朋 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供了一种堆叠间距可控的多层基板堆叠结构的制备方法，属于微波电路领域，包括步骤：获取上基板和下基板之间的目标堆叠间距和初选工艺参数，目标堆叠间距为上基板下表面和下基板上表面之间的预设间距，初选工艺参数为堆叠过程中预先设定的至少一个工艺参数；根据目标堆叠间距以及初选工艺参数确定调节工艺参数，调节工艺参数用于影响焊球的高度；基于初选工艺参数和所述调节工艺参数，在上基板下表面的第一焊盘上植入焊球；将第一焊盘上的焊球通过再流焊焊接在下基板上表面的第二焊盘上。本发明提供的制备方法只需提前获取各个参数，在操作的时候对应进行调整，就能够方便的调节目标堆叠间距，实现调整虚拟金属腔体的谐振频率。
堆叠间距可控多层结构制备方法

[发明专利]基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳-CN202010734475.9有效
发明人：朱春雨;李萌;白银超;要志宏;王晟;杨阳阳;徐召华;张斌;李群春;郭彬;赵晞文;马喜梅;赵素燕;张皓 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-07-27 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构及管壳，属于电子封装技术领域，包括陶瓷介质、上金属板、下金属板、多个接地焊球以及射频信号功能焊球，陶瓷介质设有射频信号垂直过渡孔和两排对称分设的接地垂直过渡孔；上金属板内设有与射频信号垂直过渡孔相连的射频信号正面焊盘；下金属板设于陶瓷介质的背面，下金属板内设有与射频信号垂直过渡孔相连的射频信号背面焊盘；多个接地焊球连接于下金属板远离陶瓷介质背面的一侧，且排接地垂直过渡孔设有接地焊球；射频信号功能焊球与射频信号背面焊盘连接。本发明提供的基于宽带传输的BGA陶瓷垂直互联结构，构成类同轴结构，能够提高宽带高频传输的性能，满足宽带T/R组件的需求。
基于宽带传输 bga 陶瓷垂直联结管壳

[发明专利]非规则天线子阵、相控阵天线及相控阵天线的设计方法-CN202210657822.1在审
发明人：王建;周彪;孔令甲;要志宏;韩玉朝;潘海波;王立发;李德才;王玉;彭同辉;王旭东;连盼招;钟春斌 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-06-10 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01Q21/06 文献下载
摘要：本发明提供一种非规则天线子阵、相控阵天线及相控阵天线的设计方法。非规则天线子阵包括：呈矩阵形式排布的多个天线单元，矩阵的每行和每列均包括至少两个天线单元，任意两个相邻天线单元之间距离相等；矩阵平面上设置至少一个射频接口，每个射频接口对应一个由任意四个呈矩阵形式排布的相邻天线单元构成的天线组合，射频接口位于对应天线组合中四个呈矩阵形式排布的相邻天线单元的中心点，射频接口到四个呈矩阵形式排布的相邻天线单元的距离相等且与其中任一天线单元连接；对于任意一个天线单元，其至多与一个射频接口连接，其至少属于一个存在对应射频接口的天线组合。由本发明提供的非规则天线子阵组成的相控阵天线，能有效提高旁瓣抑制水平。
规则天线相控阵设计方法

[发明专利]一种控制多圈转动角度的结构-CN202011549514.4有效
发明人：代彩彩;冯华;张磊;张君;要志宏 -专利权人：太原航空仪表有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： F16M11/04 文献下载
摘要：本发明属于航空仪表领域，具体涉及一种控制多圈转动角度的结构。包括：转轴、平板、带齿挡块、多个单齿垫圈、平垫圈以及夹持部，其中，带齿挡块上设置有环形凸台，在凸台端面上设置有起始单齿，转轴穿过平板，多个单齿垫圈和平垫圈依次套在转轴上，单齿垫圈的单齿为传递单齿，传递单齿的齿面高出单齿垫圈，并且多个单齿垫圈的传递单齿沿着螺旋线方向依次咬合，平垫圈位于多个单齿垫圈与夹持部之间，夹持部的与单齿垫圈相对的端面上设置有终止单齿，终止单齿与传递单齿咬合，其中，齿面高度为单齿高出垫圈的距离。本发明的结构的螺旋线结构对仪表机构具有保护作用，能够稳定核心部件极限输出、提高产品质量。
一种控制转动角度结构

[发明专利]一种晶圆级的3D芯片制备方法-CN201911155626.9有效
发明人：徐达;王磊;袁彪;杨彦锋;张延青;常青松;要志宏;赵瑞华;潘海波;王鑫;马琳;徐永祥;许景通;高占岭 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明适用于芯片制备技术领域，提供了一种晶圆级的3D芯片制备方法，包括：提供两组以上的独立芯片，其中，每组独立芯片所包括的独立芯片数量为两个以上；提供临时载体晶圆和芯片底层晶圆；将所述两组以上的独立芯片贴装到所述临时载体晶圆上；在各独立芯片的焊盘上制备金属凸点；将所述芯片底层晶圆键合在所述金属凸点上；去除所述临时载体晶圆；根据独立芯片的分组对所述芯片底层晶圆进行分割划片，获得两个以上的3D芯片。本发明实现了晶圆级的芯片堆叠制备，并且能够实现批量化制备，提高了生产效率，降低了3D集成芯片的制备成本。
一种晶圆级芯片制备方法

[发明专利]一种立式金属陶瓷封装外壳、器件及制备方法-CN202011551694.X有效
发明人：李仕俊;要志宏;付兴昌;杨阳阳;常青松;徐达;杨树国;王翠芳;周伟;李倩;曹金萍;默春芳;胡静;胡彦星;李其 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明提供了一种立式金属陶瓷封装外壳、封装器件及制备方法，立式金属陶瓷封装外壳包括：结构对称的下封装外壳和上封装外壳，以及盖板；其中，下封装外壳包括：下陶瓷基板和贯穿下陶瓷基板的上下表面的下金属互联柱；在下陶瓷基板的上表面的第一区域内围设成第一金属侧墙，第二金属侧墙在安装芯片的第一金属侧墙一侧向外延伸设置；第一金属侧墙和第二金属侧墙的端面作为对称面用于下封装外壳与上封装外壳的焊接，盖板用于密封芯片密封腔。立式金属陶瓷封装器件包括：将封装的芯片焊接在立式金属陶瓷封装外壳内的芯片容纳腔内，然后将盖板焊接形成气密的封装器件。本发明在封装外壳内电镀微流道作为散热通道，满足了高频TR模块的封装需要。
一种立式金属陶瓷封装外壳器件制备方法

[发明专利]射频管壳的制备方法、功放模块封装方法及功放模块-CN202210278131.0在审
发明人：李仕俊;唐晓赫;徐达;要志宏;常青松;袁彪;王乔楠;杨晓楠;郭嘉;许景通;赵正桥;刘文涛;黄天熹;顾浩波 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-03-21 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供了一种射频管壳的制备方法、功放模块封装方法及功放模块，射频管壳的制备方法包括：通过在介质基板上制备贯穿介质基板上下表面的过孔；对过孔以及介质基板的上下表面溅射金属种子层后，在介质基板上下表面分别制备正面金属图形和背面金属图形；分别对正面金属图形和背面金属图形进行局部加厚，制备得到正面金属围框和底面热沉；从金属围框内选取一区域作为芯片贴装区域，去除介质基板在芯片贴装区域的部分，制备得到射频管壳。本发明的方法制备的射频管壳采用电镀纯铜作为管壳的底板，一面贴装芯片，另一面直接作为管壳的外部贴装面，在保证散热、接地效果的同时，能够就近引出，以保证良好的高频特性。
射频管壳制备方法功放模块封装

[发明专利]3dB电桥及其制备方法-CN201911005395.3有效
发明人：邓世雄;周全;史磊;要志宏;王乔楠;董雪;白银超;韩鹏飞;任亮;刘晓莉;李增路 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01P5/16 文献下载
摘要：本发明属于无线电技术领域，涉及一种3dB电桥及其制备方法。所述电桥包括：输入端口、直通端口、耦合端口、隔离端口、第一平行微带线、第二平行微带线、介质基片和金属垫片；第一平行微带线呈正U字形，第二平行微带线呈倒U字形，两者呈叉指结构耦合并设置在介质基片的正面上；第一平行微带线的第一端与输入端口连接，第二端与直通端口连接，第二平行微带线的第一端与耦合端口连接，第二端与隔离端口连接；介质基片的背面设置缺陷地结构；金属垫片设置在介质基片的背面，且设置与缺陷地结构的位置和图形均相同的开槽结构。本发明尺寸小，插入损耗小，有效提高电桥的耐功率能力，提高产品可靠性。
db 电桥及其制备方法

[发明专利]一种3D集成芯片及其制备方法-CN201911154973.X有效
发明人：王磊;杨彦锋;徐达;常青松;祁广峰;张延青;要志宏;白银超;崔亮;刘飞飞;杨楠;高显 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本发明适用于半导体芯片技术领域，提供了一种3D集成芯片及其制备方法。其中，所述3D集成芯片包括上下堆叠集成的第一芯片和第二芯片；所述第一芯片的焊盘上制备有焊料凸点；所述第二芯片的芯片表面设置有再布线有机介质层，所述再布线有机介质层上沉积有重布线金属层，所述重布线金属层上设置有外介质层，所述外介质层具有开孔，所述开孔处沉积电镀有新焊盘，所述第二焊盘通过所述重布线金属层与所述第二芯片的原焊盘连接；所述新焊盘与所述焊料凸点之间通过钉头凸点焊接固定。本发明能够有效缓解3D集成芯片堆叠结构的热应力，提升了3D集成芯片的可靠性。
一种集成芯片及其制备方法

[发明专利]三维垂直互联陶瓷无引线封装管壳及封装器件-CN202210032539.X在审
发明人：朱春雨;李萌;王磊;杨栋;要志宏;戴剑;王晟;魏少伟;兰彬;张根状;高晓冲;姚新顺;崔立永 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-12 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L23/055 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维垂直互联陶瓷无引线封装管壳及封装器件，属于半导体封装技术领域，封装管壳包括第一平面陶瓷基板和三维陶瓷基板；其中，三维陶瓷基板包括第二平面陶瓷基板、围坝和导电柱，第二平面陶瓷基板与第一平面陶瓷基板相对立且间隔设置，第二平面陶瓷基板背离第一平面陶瓷基板的表面设有射频过渡焊盘，围坝和导电柱均连接于第二平面陶瓷基板和第一平面陶瓷基板之间，第一平面陶瓷基板、围坝和第二平面陶瓷基板共同围合形成用以封装芯片的封装空腔；通过第一平面陶瓷基板、导电柱、第二平面陶瓷基板、射频过渡焊盘、芯片构成三维垂直互联的信号传输路径。如此实现了信号的三维垂直互联，能够满足瓦片式T/R组件小型化的发展趋势。
三维垂直陶瓷引线封装管壳器件

[发明专利]高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统-CN202210086525.6在审
发明人：郭旭光;徐达;常青松;祁广峰;要志宏;袁彪;常巍;王乔楠;张延青;冯涛;胡占奎;张晓荷 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本发明提供了一种高导热扇出型封装结构、制备方法、散热系统及屏蔽系统，属于电子封装领域，包括塑封模块、布线层、金属导体层以及植球，塑封模块包括塑封为一体的高导热载体、芯片及泡沫铜，其中，芯片与高导热载体层叠；泡沫铜设置于芯片周围；布线层其正面与塑封模块的正面相接，以使芯片倒装于布线层；金属导体层设置于塑封模块的背面；植球设置于布线层的背面，且与布线层内的布线导体层连接。本发明提供的高导热扇出型封装结构，封装芯片背面金属导体层将热量从芯片传导至泡沫铜，并通过泡沫铜传导至焊球，最终将热量从封装导出，提高芯片热传导的能力；泡沫铜通过植球与下面地连接，起到屏蔽作用。
导热扇出型封装结构制备方法散热系统屏蔽

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