专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]具有减薄P型区的分布电极PiN型β辐照电池及制备方法-CN202111177384.0有效
  • 郭辉;钱驰文;韩超;袁飞霞;张玉明;袁昊 - 西安电子科技大学
  • 2021-10-09 - 2023-08-08 - G21H1/06
  • 本发明涉及一种具有减薄P型区的分布电极PiN型β辐照电池及制备方法,辐照电池包括:PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元,PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型掺杂4H‑SiC外延层、N型欧姆接触电极、钝化层、P型欧姆接触电极和若干沟槽区域,其中,若干沟槽区域间隔分布在P型掺杂4H‑SiC外延层中;P型欧姆接触电极位于除沟槽区域以外的P型掺杂4H‑SiC外延层上,形成分布式欧姆接触电极。该辐照电池采用分布式欧姆接触电极,同时在P型掺杂4H‑SiC外延层中减薄形成沟槽区域,提升了短路电流Isc、开路电压Voc以及填充因子FF,达到了提升β辐照电池能量转换效率的目的。
  • 具有分布电极pin辐照电池制备方法
  • [发明专利]一种具有钝化层表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法-CN202111177392.5有效
  • 郭辉;钱驰文;韩超;袁飞霞;张玉明;袁昊 - 西安电子科技大学
  • 2021-10-09 - 2023-08-08 - G21H1/06
  • 本发明涉及一种具有钝化层表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法,该辐照电池包括PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元,PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型离子注入区、N型欧姆接触电极、第一钝化层、第二钝化层和P型欧姆接触电极,P型离子注入区位于N型掺杂4H‑SiC外延层的表层中,形成分布式P型区;第一钝化层位于N型掺杂4H‑SiC外延层上且覆盖隔离台面的表面;第二钝化层位于隔离台面处的第一钝化层上;P型欧姆接触电极位于P型离子注入区上,且与第一钝化层相间设置。该辐照电池降低了β射线在P型区中的能量沉积,提升了短路电流Isc、开路电压Voc以及填充因子FF,达到了提升β辐照电池能量转换效率的目的。
  • 一种具有钝化表面平面pin辐照电池制备方法
  • [发明专利]一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法-CN202111176816.6在审
  • 韩超;钱驰文;袁飞霞;郭辉;张玉明;袁昊 - 西安电子科技大学
  • 2021-10-09 - 2022-01-28 - G21H1/06
  • 本发明涉及一种具有栅电极表面场的平面PiN型β辐照电池及制备方法,辐照电池包括PiN单元和位于PiN单元上的放射性同位素单元,PiN单元包括N型掺杂4H‑SiC衬底、N型掺杂4H‑SiC外延层、P型离子注入区、N型欧姆接触电极、第一钝化层、第二钝化层、P型欧姆接触电极和栅电极,其中,P型离子注入区位于N型掺杂4H‑SiC外延层的表层中,形成分布式P型区;P型欧姆接触电极位于P型离子注入区上,且与第一钝化层相间设置;栅电极设置在第一钝化层上,且与P型欧姆接触电极交错分布。该辐照电池降低了β射线在P型区中的能量沉积,弱化了器件表面复合作用,提升了欧姆接触电极对辐照产生的载流子的收集效率,达到了提升β辐照电池能量转换效率的目的。
  • 一种具有电极表面平面pin辐照电池制备方法

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