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[发明专利]热流开关元件-CN202180011357.8在审
发明人： 藤田利晃;新井皓也 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： G01K1/14 文献下载
摘要：本发明提供一种热流开关元件，其导热系数的变化更大、具有优异的热响应性并且能够直接检测温度变化。本发明所涉及的热流开关元件具备：热流控制元件部(10)，具备N型半导体层(3)、层叠于N型半导体层上的绝缘体层(4)及层叠于绝缘体层上的P型半导体层(5)；及感温元件部(11A、11B)，与热流控制元件部接合。并且，感温元件部具备：薄膜热敏电阻部，由热敏电阻材料形成；及一对对置电极，在薄膜热敏电阻部的上方及下方中的至少一方对置形成，薄膜热敏电阻部层叠于热流控制元件部的上方及下方中的至少一方。
热流开关元件

[发明专利]热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器-CN201880076342.8在审
发明人： 藤田利晃;铃木峻平;佐古渚;千歳范寿;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-12-17 - 公布日： 2020-07-14 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种耐热试验前后的电阻值变化比较小且可得到高B常数的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻为形成于基材(2)上的热敏电阻(1)，其具备：中间层叠部(7)，形成于基材上；及主金属氮化膜层(4)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成于中间层叠部上，中间层叠部具备：基底热敏电阻层(3)，由金属氮化物的热敏电阻材料形成；及中间氧氮化层(3a)，形成于基底热敏电阻层上，主金属氮化膜层形成于中间氧氮化层上，中间氧氮化层是通过正下方的基底热敏电阻层的热敏电阻材料被氧化而形成的金属氧氮化层。
热敏电阻及其制造方法传感器

[发明专利]热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器-CN201980005678.X在审
发明人：铃木峻平;藤田利晃;千歳范寿;鱼住学司;竹岛一太;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种使用金属制基材可以获得良好的热敏电阻膜且具有高的耐湿性和耐热性等的热敏电阻及其制造方法和热敏电阻传感器。本发明所涉及的热敏电阻具备金属制基材(2)、形成于金属制基材上的绝缘性基底膜(3)、形成于绝缘性基底膜上的热敏电阻膜(4)，绝缘性基底膜通过填充金属制基材的表面的凹凸而形成，绝缘性基底膜的表面粗糙度小于金属制基材的表面粗糙度。制造该热敏电阻的方法具有如下工序：在金属制基材上涂布聚硅氮烷；使聚硅氮烷干燥并形成含有N的SiOx的绝缘性基底膜；及将热敏电阻膜成膜于绝缘性基底膜。
热敏电阻及其制造方法传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及制法和薄膜型热敏电阻传感器-CN201410386541.2有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-07 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜在薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M_1‑vA_v)_xAl_y(N_1‑wO_w)_z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示Sc、Zr、Mo、Nb及W中的至少一种，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑A‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
热敏电阻金属氮化物材料制法薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及制法和薄膜型热敏电阻传感器-CN201410427720.6有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-27 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01C7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜在薄膜等上，且具有高耐热性且可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M1‑vAv)xAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示选自Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，并且A表示选自Mn、Cu、Ni、Fe及Co中的至少一种且与所选的所述M不同的元素，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
热敏电阻金属氮化物材料制法薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480021973.1有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式(M1‑vVv)xAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜v＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑V‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，所述M为Ti、Cr中的一种或两种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480020885.X有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-05-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式VxAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480031428.0有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2018-02-13 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式Mx(Al1‑vSiv)y(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜v＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑Al‑Si合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480026067.0有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2018-01-09 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式MxAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M‑Al合金溅射靶在含氮及氧的气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201380004775.X有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;稻场均;藤原和崇;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-02-21 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式TixAly(N1‑wOw)z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.45≤z≤0.55、0＜w≤0.35、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201380004634.8有效
发明人： 藤田利晃;田中宽;稻叶均;藤原和崇;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2013-02-26 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：Ti_xAl_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.95、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480031424.2无效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-08-15 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：M_x(Al_1-wSi_w)_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种，0.0＜w＜0.3、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-Al-Si合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Ti、V、Cr、Mn、Fe及Co中的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480028781.3无效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2016-01-06 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明的用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：M_xAl_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，其中，M表示Fe、Co、Mn、Cu及Ni的至少一种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480022247.1无效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-06-02 - 公布日： 2015-12-09 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的热敏电阻用金属氮化物材料是用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：(M_1-wV_w)_xAl_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，0.0＜w＜1.0、0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相，所述M为Ti、Cr内的一种或两种。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用M-V-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜，所述M为Ti、Cr内的一种或两种。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

[发明专利]热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器-CN201480022226.X无效
发明人： 藤田利晃;田中宽;长友宪昭 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-05-26 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01C7/04 文献下载
摘要：本发明提供一种热敏电阻用金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜型热敏电阻传感器，该热敏电阻用金属氮化物材料能够在非烧成条件下直接成膜于薄膜等上，且具有高耐热性而可靠性较高。本发明的热敏电阻用金属氮化物材料是用于热敏电阻的金属氮化物材料，由以通式：V_xAl_yN_z表示的金属氮化物构成，其中，0.70≤y/(x+y)≤0.98、0.4≤z≤0.5、x+y+z＝1，其结晶结构为六方晶系的纤锌矿型的单相。该热敏电阻用金属氮化物材料的制造方法具有成膜工序，所述成膜工序使用V-Al合金溅射靶在含氮气氛中进行反应性溅射而成膜。
热敏电阻金属氮化物材料及其制造方法以及薄膜传感器

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