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[发明专利]激光模块-CN202080032393.8在审
发明人：藤田和上;林昌平;藤原弘康;中西笃司;伊藤昭生;道垣内龙男 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-12-16 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01S5/02253 文献下载
摘要：激光模块包括：具备：量子级联激光器，其具有：具有主面和与主面为相反侧的背面的基板、设置于主面上的第1包覆层、设置于第1包覆层的与基板为相反侧的活性层、和设置于活性层的与第1包覆层为相反侧的第2包覆层；和透镜，其具有配置在与活性层的端面相对的位置的透镜面。朝向与基板、第1包覆层、活性层和第2包覆层的层叠方向交叉的方向的活性层的端面，构成使第1频率的光和第2频率的光振荡的谐振器，活性层生成第1频率和第2频率的差频率的太赫兹波。基板与透镜面直接或者间接地接触，活性层的端面相对于透镜面中的、面向端面的部分倾斜。
激光模块

[发明专利]太赫兹波用透镜和太赫兹波用透镜的制造方法-CN202011471924.1在审
发明人：林昌平;下村哲志;藤原弘康 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B5/18 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供太赫兹波用透镜和太赫兹波用透镜的制造方法，太赫兹波用透镜对太赫兹波进行聚光或准直，太赫兹波用透镜包括具有形成有使太赫兹波的相位变化的凹凸结构的表面的基片，凹凸结构具有周期性地配置的多个支柱，凹凸结构具有分别有多个支柱的多个区域，支柱的基片的厚度方向的高度和直径按每个区域不同，彼此相邻的支柱的中心间的距离(周期)一定，厚度方向上的凹凸结构的外侧端部位于同一平面上。
赫兹透镜制造方法

[发明专利]太赫兹波用光学元件和太赫兹波用光学元件的制造方法-CN202011472005.6在审
发明人：林昌平;下村哲志;藤原弘康 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G02B3/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供太赫兹波用光学元件和太赫兹波用光学元件的制造方法，太赫兹波用透镜包括具有形成有使太赫兹波的相位变化的凹凸结构的表面的基片，凹凸结构具有周期性地配置的多个孔部，凹凸结构具有分别有多个孔部的多个区域，孔部的基片的厚度方向的高度和直径按每个区域不同，厚度方向上的凹凸结构的外侧端部位于同一平面上。
赫兹用光元件制造方法

[发明专利]光检测器-CN201110008101.X无效
发明人：新垣实;广畑彻;藤原弘康;樋口彰 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。
检测器

[发明专利]信号波形测定装置以及测定方法-CN200910254052.0有效
发明人： 藤原弘康;川添忠;大津元一 -专利权人：浜松光子学株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2009-12-15 - 公布日： 2011-01-26 - 主分类号： G01J11/00 文献下载
摘要：本发明的信号波形测定装置(1A)由信号光学系统(11)、参照光学系统(16)、设定信号光(L1)与参照光(L2)的时间差的时间差设定手部(12)、包含染料分子结晶的结合体并以与入射到结晶集合体的入射光强度的r次方(r＞1)成比例的强度生成波长被变换为比入射光的波长短的变换光(L5)的波长变换元件(20)、在元件(20)中检测以与信号光(L1)的强度和参照光(L2)的强度以及与两者的时间差相对应的强度生成的变换光(L5)的光检测器(30)、对变换光(L5)的检测结果进行解析从而获得信号光(L1)的时间波形的信号波形解析部(40)构成。由此，可以实现以简单的结构高精度地检测信号光的时间波形的信号波形测定装置以及测定方法。
信号波形测定装置以及方法

[发明专利]波长变换光发生装置及发生方法-CN200910129531.X有效
发明人： 藤原弘康;大津元一;川添忠 -专利权人：浜松光子学株式会社;国立大学法人东京大学
申请日： 2009-03-26 - 公布日： 2009-09-30 - 主分类号： G02F1/37 文献下载
摘要：本发明涉及一种波长变换光发生装置和发生方法，该波长变换光发生装置(1A)具备：供给指定波长的激发光(L0)的激发光源(10)；通过入射激发光(L0)而发生波长已变换的变换光(L1)的波长变换元件(20)，其中，用支撑基板(21)支撑色素分子的结晶集合体(22)。激发光源(10)向波长变换元件(20)供给比色素分子的吸收端的波长长的激发光(L0)。并且，通过向结晶集合体(22)入射激发光(L0)，波长变换元件(20)发生并输出比激发光(L0)(例如近红外光)波长短的波长已变换的变换光(L1)(例如可见光)。由此，实现了对于指定波长的入射光通过波长变换能够良好地发生比入射光波长短的光的波长变换光发生装置和波长变换光发生方法。
波长变换发生装置方法

[发明专利]波导结构和光学元件-CN200710136065.9有效
发明人： 藤原弘康;山西正道;樋口彰;中嶋和利 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-07-13 - 公布日： 2008-01-16 - 主分类号： G02B6/10 文献下载
摘要：本发明提供易于制造且使表面等离子体振子波的传播距离更长的波导结构和光学元件。波导结构具有在半导体基板(10)上层叠的量子阱结构(20)。量子阱结构内的量子阱层(22)具有，与相对于半导体基板(10)的量子阱结构的排列方向大致垂直相交的假想平面相交的交叉区域(22a)，量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负。此时，交叉区域(22a)内发生电子振荡时，通常存在上述排列方向上的分量，且量子阱结构的介电常数的实部相对于规定波长的THz波为负，因此可以利用交叉区域(22a)传播表面等离子体振子波。在量子阱结构中提高载流子的浓度的同时提高载流子迁移率，因此更长距离地传播表面等离子体振子波。
波导结构光学元件

[发明专利]光电阴极、电子管及电场辅助型光电阴极、阵列、电子管-CN200710128217.0无效
发明人：新垣实;广畑彻;藤原弘康;樋口彰 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： H01J1/34 文献下载
摘要：本发明涉及光电阴极、电子管、电场辅助型光电阴极、电场辅助型光电阴极阵列、以及电场辅助型电子管。当光入射到光电阴极(AA1)的天线层(AA6)上时，入射光中所含的特定波长的光与天线层(AA6)的表面等离子体进行结合，从天线层(AA6)的贯通孔(AA14)输出近场光。输出的近场光的强度，与特定波长的光的强度成比例，且大于该光的强度。另外，输出的近场光具有可被光电转换层(AA4)吸收的波长。光电转换层(AA4)接受从贯通孔(AA14)输出的近场光。光电转换层(AA4)上的贯通孔(AA14)的周边部分吸收近场光，产生相应于近场光的强度(受光量)的量的光电子(e^-)。在光电转换层(AA4)上产生的光电子(e^-)向光电阴极(AA1)的外部输出。
光电阴极电子管电场辅助阵列

[发明专利]光检测器-CN200710102287.9无效
发明人：新垣实;广畑彻;藤原弘康;樋口彰 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： G01J3/00 文献下载
摘要：当光入射光检测器(1)的天线层(11a、11b、11c)时，包含于入射光中的规定波长成分的光与天线层(11a、11b、11c)的表面等离子体振子结合，发生表面等离子体振子共振。由此，从天线层(11a、11b、11c)的贯通孔(13)输出近场光。从各贯通孔(13)输出的近场光通过受光面(4a、4b、4c)到达光吸收层(4)。光吸收层(4)产生与受光量相对应的电荷。由于天线层(11a、11b、11c)的凸部12的周期间隔(Λa、Λb、Λc)互不相同，在每个天线层(11a、11b、11c)与表面等离子体振子结合的光的波长成分都不同。因此，可以检测出多个波长成分的光。
检测器

[发明专利]提纯硅的方法、用于提纯硅的矿渣和提纯的硅-CN03803266.X无效
发明人： 藤原弘康;大塚良达;和田健司;福山稔章 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2003-02-03 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明的主要目的是提供一种能够以低成本高效制备适用于太阳能电池的纯度约6N的硅的方法。因此，根据本发明，含有硼的原料硅和矿渣被熔化，并且通过旋转/驱动机构使轴旋转由此搅拌熔融硅。熔渣被分散于熔融硅中，由此加速硼去除反应。可进一步有效地利用含有至少45质量％的SiO₂的矿渣，或将与水蒸汽混合的气体作为精炼反应用引入气体吹入熔融硅中。
提纯方法用于矿渣

[发明专利]高纯度硅的制造方法-CN95197920.5无效
发明人：新宫秀夫;石原庆一;藤原弘康;大冢良达;张进 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 1995-07-14 - 公布日： 2002-04-24 - 主分类号： C01B33/037 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种能廉价地制造太阳能电池级的高纯度硅的方法，以及廉价地供给太阳能电池用硅。(a)把粗制硅与硅酸钙在1544℃以上的温度下熔融混合，使硅中的硼迁移到熔渣中；(b)在惰性气体气氛中静置工序(a)所得的混合液，使下层的熔渣层与上层的熔融硅层分离，然后把温度设定到1410℃～1544℃之间，使熔渣凝固的同时把硅保持在熔融状态；(c)在惰性气体气氛下，把冷却体2浸渍到工序(b)所得的熔融硅中，使高纯化的硅在冷却体外表面结晶析出粘附，然后从熔融硅中拉制该冷却体2并把结晶的高纯度硅块S从冷却体2拆下；(d)再熔融工序(c)所得的高纯度硅，然后真空处理熔融硅从而蒸发脱除高纯度硅中的磷。$#!
纯度制造方法

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