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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]触摸面板控制装置及车载信息设备-CN201580080266.4有效
发明人： 藤井真治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：触摸面板控制装置(4)包括：将沿触摸面板(3)的探测面的各坐标的触摸电平值与第1阈值相比较来对是否存在对触摸面板(3)的操作进行判定的第1判定部(41)；在第1判定部(41)判定为存在对触摸面板(3)的操作时将操作的触摸电平值与第2阈值相比较来对操作有效还是无效进行判定的第2判定部(42)；以及对第2阈值的值进行变更的阈值变更部(43)。第2判定部(42)将操作的触摸电平值与第2阈值相比较，在判定为操作有效时，阈值变更部(43)在操作的中途对第2阈值进行变更。
触摸面板控制装置车载信息设备

[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法-CN03800972.2无效
发明人： 藤井真治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2003-06-05 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明为了能够通过湿蚀刻确实地除去包含金属及硅的化合物，例如含有金属铪的硅酸盐(101a)，在将硅酸盐(101a)氧化后，对被氧化的硅酸盐(101a)进行湿蚀刻。
蚀刻方法装置以及半导体器件制造

[发明专利]结晶评价装置及结晶评价方法-CN93121614.1无效
发明人： 藤井真治;布施玄秀;井上森雄 -专利权人：松下电气产业株式会社
申请日： 1993-12-27 - 公布日： 2001-12-19 - 主分类号： G01N21/88 文献下载
摘要：结晶的评价装置和观察方法。装置特征是具有含阳极和阴极的容器、向容器提供阳极氧化膜形成水溶液和阳极氧化膜去除水溶液的机构以及在容器内有微型扫描探头的扫描式探头显微镜。观察方法至少有半导体衬底阳极氧化形成氧化膜、氟酸／氟化氨混合液去膜和原子力显微镜观察该衬底等过程。几乎无物理影响，去膜选择性高，能观察原子级缺陷形状，测定衬底表面杂质浓度分布。
结晶评价装置方法

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共 3 条

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