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[实用新型]一种钢筋腐蚀程度测试设备-CN202222743159.5有效
发明人：戴璐雅;聂志虎;刘春启;何国云;蔡银飞 -专利权人：浙江乾瑞科技有限公司
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G01N17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种钢筋腐蚀程度测试设备，包括设备主体，所述设备主体的外侧中间位置处设置有橡胶边，所述设备主体的前侧左方内部位置处设置有显示屏，所述显示屏的右侧位置处设置有控制面板，所述控制面板的下侧位置处设置有开关，所述设备主体的左侧位置处设置有连接线，所述连接线的左下侧末端位置处设置有测试夹，所述测试夹的左上侧位置处设置有参比电极，所述参比电极的左侧中间外部位置处设置有金属头，所述参比电极左侧外部位置处的标记结构，使用者能通过标记结构的设置，在利用设备主体检测钢筋后，捏压移动块，利用印章靠近已测位置处的钢筋混凝土，在其表面上印上检测标记，可以警示腐蚀病害突出位置，方便后期进行维修加固。
一种钢筋腐蚀程度测试设备

[发明专利]高性能多元复合钢筋砼结构检测仪-CN202210683627.6在审
发明人：杨苏春;蔡银飞;聂志豹 -专利权人：苏州瀚苇信息科技有限公司
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G01N33/38 文献下载
摘要：本发明公开高性能多元复合钢筋砼结构检测仪，包括机身和显示屏，所述机身上端外壁设置有显示屏，所述机身前后左右外壁拐角处均设置有缓冲保护装置，所述机身后端外壁靠近左侧设置有连接线，所述机身后端外壁且位于连接线右侧设置有卷线装置，所述连接线右端外壁设置有检测探头，所述机身上端外壁且位于显示屏右侧设置有操作台，所述操作台上端外壁等距设置有多个控制按钮，所述缓冲保护装置由缓冲板、保护气囊、移动杆、固定板和移动孔共同构成，该缓冲保护装置可以在机身不小心从手中滑落，掉到地上的时候，对机身起到一个缓冲保护的作用，该卷线装置可以根据操作者所需要需要测量的距离，来调节连接线拉出的长度。
性能多元复合钢筋结构检测

[实用新型]一种多电极钢筋腐蚀定量无损测试传感器-CN202220144814.2有效
发明人：戴璐雅;聂志虎;刘春启;蔡银飞 -专利权人：浙江乾瑞科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种多电极钢筋腐蚀定量无损测试传感器，包括面板和旋转底座，所述面板的中部设置有开槽，所述开槽内且位于面板内设置有连接座，所述连接座上设置有用于传送数据的信号线，所述面板上设置有控制把手装置，所述面板的上端设置有若干个连接孔，所述面板通过套接的方式与旋转底座活动连接，所述旋转底座内设置有数据采集板，所述数据采集板上且位于旋转底座的下方设置有伸缩感应触件，所述伸缩感应触件通过卡紧连接的方式与数据采集板固定连接，所述数据采集板的上端中部与连接座的末端活动连接，这样的结构设置，能够有效的解决原有装置中控制把手不可拆卸导致装置占用空间大不利于运输的问题和原有装置中不能旋转调节的问题。
一种电极钢筋腐蚀定量无损测试传感器

[发明专利]一种钢筋腐蚀定量无损测试仪的云平台数据管理系统-CN202210063103.7在审
发明人：聂志虎;戴璐雅;刘春启;何国云;蔡银飞 -专利权人：浙江乾瑞科技有限公司
申请日： 2022-01-19 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G01N17/00 文献下载
摘要：本发明公开一种钢筋腐蚀定量无损测试仪的云平台数据管理系统，包括物联网网关、数传网关和数据服务终端，所述物联网网关和数传网关的下一级设置有数据服务终端，所述数据服务终端的下一级设置有监控平台，通过在该无损钢筋腐蚀定量测试仪的云平台数据管理装置的数据服务终端上增加有一个新型的数据细致筛选机构处理单元，该新型的数据细致筛选机构能够实时的对数据服务终端内部汇总的钢筋腐蚀监测数据进行细致分析，然后把大量的关于钢筋腐蚀监测数据进行筛选并分类，最后再把分类好的钢筋腐蚀监测数据再通过数据服务终端输送到监控平台上，使得监控者能够监控被完全归类好的钢筋腐蚀监测数据，这样能够增加监控平台的监控准确性。
一种钢筋腐蚀定量无损测试仪平台数据管理系统

[发明专利]一种IO口间无相互干扰的低电容多通道瞬态电压抑制器-CN201410673950.0有效
发明人： 蔡银飞;翟东媛;蒋金鸿;朱俊;赵毅 -专利权人：绍兴米来电子科技有限公司
申请日： 2014-11-21 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：低电容多通道瞬态电压抑制器，包括P+半导体衬底，P‑外延层位于P+半导体衬底上；外延层上从左到右分别有包含第一环形P+有源注入区的左端，第一N阱，第一环形P+有源注入区的右端，第二N阱，第一P阱，第三N阱，第二环形P+有源注入区的左端，第四N阱，第二环形P+有源注入区的右端。所述的第一N阱和第四N阱上分别设有第一N+有源注入区和第五N+有源注入区；所述的第二N阱上设有第二N+有源注入区和第二P+有源注入区；所述的第一P阱上设有第三N+有源注入区；所述的第三N阱上设有第四N+有源注入区和第三P+有源注入区。
一种 io 口间无相互干扰电容通道瞬态电压抑制器

[发明专利]一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件-CN201410148707.7有效
发明人： 蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅 -专利权人：绍兴米来电子科技有限公司;南京大学
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明公开了一种阶梯式沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底；N‑外延层，位于N+半导体衬底上；N‑外延层上加工阶梯状的沟槽结构；梯形沟槽内壁生长氧化层；N‑外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属；N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属。所述的沟槽结构是由两个直角沟槽形成阶梯状沟槽；即N‑外延层的截面为周期性排列的凸出状。将传统TMBS里面的直角沟槽的上部沟槽宽度变宽，这样能有效的调节沟槽中不同部位的电场耦合作用，从而调节沟槽中间有源区不同深度处电场强度。使用该结构可以保持在击穿电压不减小、正向导通电压只是略有增加的情况下，实现漏电的大幅降低。
一种阶梯沟槽 mos 肖特基二极管器件

[发明专利]一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件-CN201410307573.9在审
发明人： 蔡银飞;翟东媛;赵毅;施毅;郑有炓 -专利权人：杭州启沛科技有限公司
申请日： 2014-06-30 - 公布日： 2014-09-17 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：本发明提供一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，包括N+半导体衬底、N+半导体衬底上的N-外延层、N-外延层上加工的沟槽结构、N-外延层上及沟槽内生长肖特基接触的阳极金属、N+衬底下面生长欧姆接触的阴极金属；所述沟槽侧壁氧化层包括上下两部分，上部采用高介电常数栅介质材料，下部使用二氧化硅；且所述的沟槽内壁生长高介电常数栅介质材料的高度占沟槽总高度的四分之三以内。本发明设计的一种高介电常数栅介质材料沟槽MOS肖特基二极管器件，在沟槽中的氧化层的上部采用高介电常数栅介质材料，下部仍然使用二氧化硅，与传统的SiO₂TMBS器件相比，漏电流密度可以减小19.8％，同时，不减弱器件的击穿电压和正向导通电压特性。
一种介电常数介质材料沟槽 mos 肖特基二极管器件

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