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- [发明专利]一种基于丝网印刷电极的NF-κB电化学检测方法-CN201910889868.4有效
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许媛媛;苗晋锋;蔡莹
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南京农业大学
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2019-09-18
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2023-10-03
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G01N27/327
- 本发明属于分析化学技术领域，涉及一种基于丝网印刷电极的NF‑κB电化学检测方法。本发明主要是利用肽核酸(PNA)能够竞争性的结合含NF‑κB结合序列dsDNA中的互补ssDNA形成稳定的PNA‑DNA杂交链，NF‑κB的存在会抑制PNA‑DNA杂交链生成的原理。实验首先在激活的丝网印刷电极表面镀金并共价修饰PNA，PNA竞争性的结合含NF‑κB结合序列dsDNA中的互补ssDNA在电极表面形成稳定的PNA‑DNA杂交链，NF‑κB的存在会与dsDNA结合并抑制PNA‑DNA杂交链的形成且NF‑κB含量的差别会导致PNA‑DNA杂交链形成量不同，选取特异性嵌合于PNA‑DNA杂交链中MB作为电信号分子，利用差分脉冲伏安法测量NF‑κB不同浓度时MB的峰电流值，绘制NF‑κB浓度与峰电流值的关系曲线得出线性方程，通过检测电信号计算待测样品中NF‑κB含量。该方法灵敏度高，为NF‑κB的检测提供新思路。
- 一种基于丝网印刷电极nf电化学检测方法
- [发明专利]高压LDMOS-CN202310211077.2在审
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潘山山;蔡莹;金锋
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上海华虹宏力半导体制造有限公司
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2023-03-07
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2023-09-22
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H01L29/06
- 本发明公开了一种高压LDMOS,包括：在俯视面上，高压LDMOS的部分区域中具有一个以上的U型结构，在U型结构的U型端头处，漂移区呈U型，漂移区内侧位于靠近源区一侧，外侧为靠近漏区的一侧，漏极的高压在所述U型端头处向内包覆所述源极。在U型端头处设置有电场分散结构，包括一根以上的形成于漂移区底部的第二导电类型的掺杂条，掺杂条接地，掺杂条从源极向漏极一侧延伸，漏极高压产生电场会分散到掺杂条中，使电场线从二维集中转变为三维分散，从而避免使漏极的高压产生的电场集中到源极并从而实现电场分散。本发明能具有U型结构的俯视面结构以增加器件的电流，同时能避免U型结构所带来的电场集中的缺陷，提高器件的击穿电压。
- 高压ldmos
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