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[实用新型]用于生产硅氧材料的连续式设备-CN202222244842.4有效
发明人： 蓝崇文;邱玟溢;谢兆坤;谢兆翔 -专利权人：丰毅精密科技有限公司;蓝星材料股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种用于生产硅氧材料的连续式设备，包括一炉体、一沉积模块、一进料器及一推料组件。该炉体包括一加热腔室、一进料腔室及一残料腔室。该沉积模块相邻该加热腔室设置且包括一冷却夹套、一沉积装置及一真空抽气装置，该冷却夹套包括至少一开口，该沉积装置包括至少一沉积基板，该真空抽气装置与该冷却夹套的该开口连通。该进料器供一原料进入该进料腔室内。该推料组件被配置为将该原料从该进料腔室推抵至该加热腔室使得该原料被加热后升华在该沉积基板上形成一沉积物，且将该原料反应后的一残料从该加热腔室推抵至该残料腔室。
用于生产材料连续设备

[发明专利]晶种的铺设方法及类单晶晶锭的制作方法-CN201710324758.4在审
发明人： 蓝崇文;翁敬闳;杨承叡;张元啸;杨瑜民;余文怀;施英汝;许松林 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司;蓝崇文
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2017-10-20 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明提供一种晶种的铺设方法，包括铺设拼接晶种层于长晶容器的底部。上述拼接晶种层包括单晶块及单晶挡片，单晶块经配置位于长晶容器的底部且彼此不接触，单晶挡片分别夹设于相邻单晶块之间的间隙并分别与相邻单晶块接触，且单晶挡片的宽度小于单晶块的宽度。单晶块的晶向相同且朝向同一方向，单晶挡片的主要晶向与单晶块的主要晶向相同，且各单晶挡片的次要晶向与单晶块的次要晶向分别具有不为0度的夹角。本发明提供一种类单晶晶锭制作方法，包括形成熔汤于拼接晶种层上，以及冷却熔汤以使晶粒由拼接晶种层上成长以形成类单晶晶锭。
铺设方法类单晶晶锭制作方法

[发明专利]多晶硅晶棒及来自其的硅晶片-CN201510208262.1在审
发明人：周鸿昇;杨瑜民;余文怀;许松林;徐文庆;蓝崇文;翁煜庭 -专利权人：中美矽晶制品股份有限公司
申请日： 2015-04-28 - 公布日： 2015-11-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本公开提供多晶硅(mc-Si)晶棒，其包含从底部开始至高度100mm的底部分；从高度100mm开始至高度200mm的中间部分；以及从高度200mm开始至顶部的顶部分。在底部分中的非共格晶界的百分比大于顶部分中的非共格晶界的百分比。本公开也提供多晶硅(mc-Si)晶片。mc-Si晶片包含非Σ晶界的百分比为约60至约75，以及Σ3晶界的百分比为约12至约25。
多晶硅晶棒来自晶片

[发明专利]用于制造硅晶铸锭的晶种-CN201310719980.6有效
发明人：周鸿昇;姜侑宗;杨瑜民;萧明恭;余文怀;许松林;李依晴;蓝崇文;徐文庆 -专利权人：中美硅晶制品股份有限公司
申请日： 2013-12-23 - 公布日： 2014-07-09 - 主分类号： C30B28/06 文献下载
摘要：本发明提供一种用于制造硅晶铸锭的晶种，所述晶种包括晶体以及杂质扩散阻挡层，所述晶体由至少一晶粒所构成，所述杂质扩散阻挡层被覆于所述晶体的外表面上。利用本发明的晶种制造的硅晶铸锭，其红区与黄区明显减少。
用于制造铸锭

[实用新型]太阳能电池-CN201320374478.1有效
发明人：杨帝威;张伟智;蓝崇文 -专利权人：升阳光电科技股份有限公司
申请日： 2013-06-27 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L31/042 文献下载
摘要：本实用新型提供一种太阳能电池，具有半导体基板、多数个汇流电极以及多数个指状电极。半导体基板用以利用光能产生电能。汇流电极与指状电极设置于半导体基板的表面上。每一个指状电极电性连接至少一个汇流电极。半导体基板的表面上定义有第一区域与第二区域，而部分的指状电极位于第一区域内，部分位于第二区域内。第一区域内的指状电极其中之一与相邻的另一指状电极具有第一距离，第二区域内的指状电极其中之一与相邻的另一指状电极具有第二距离。而第一距离小于第二距离。据此，本实用新型可以提高太阳能电池的发电效率。
太阳能电池

[实用新型]太阳能电池-CN201320016236.5有效
发明人：郭育玮;杨帝威;蓝崇文 -专利权人：升阳光电科技股份有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型实施例揭露一种太阳能电池，包括半导体基板、若干个指状电极以及若干个汇流电极。所述多个指状电极设置于半导体基板的一侧表面上。所述多个汇流电极间隔地设置于所述表面，至少一个汇流电极包括有若干个导电区块。所述多个导电区块互相独立，且沿着第一方向排列设置于所述表面。每一个导电区块至少电性连接所述多个指状电极的其中之一。据此，本实用新型可以减少了太阳能电池的制造成本。
太阳能电池

[实用新型]太阳能电池-CN201320016461.9有效
发明人：杨帝威;郭育玮;蓝崇文 -专利权人：升阳光电科技股份有限公司
申请日： 2013-01-11 - 公布日： 2013-08-07 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本实用新型揭露一种太阳能电池，包括半导体基板、若干个指状电极以及若干个汇流电极。所述指状电极设置于半导体基板的一个表面。所述汇流电极间隔地设置于所述表面，至少一个汇流电极包括有若干个分支电极，所述多个分支电极互相平行地设置于所述表面，且每一个分支电极的外侧边至少电性连接所述多个指状电极的其中之一。据此，本实用新型可以减少太阳能电池的制造成本。
太阳能电池

[发明专利]硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆-CN201210441850.6在审
发明人： 蓝崇文;余文怀;杨瑜民;周鸿升;许松林;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶铸锭及从其制成的硅晶圆。本发明所述的硅晶铸锭包含底部以及垂直方向。特别地，本发明所述的硅晶铸锭包含沿垂直方向成长的多个硅晶粒以及设置在底部的成核促进层，且紧邻所述成核促进层的硅晶粒的平均晶粒尺寸为小于10mm。
铸锭制成硅晶圆

[发明专利]硅晶铸锭的制造方法-CN201210441855.9在审
发明人：余文怀;杨承叡;杨瑜民;白凯元;蓝文杰;姜侑宗;许松林;徐文庆;蓝崇文 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2012-11-08 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅晶铸锭的制造方法，本发明所述的制造方法利用成核促进层，让多个硅晶粒从硅熔汤中在成核促进层上成核，且沿垂直方向成长，直至硅熔汤全部凝固，以获得硅晶铸锭。
铸锭制造方法

[发明专利]硅晶铸锭及其制造方法-CN201110337512.3有效
发明人：许松林;杨承叡;黄培恺;倪笙华;杨瑜民;萧明恭;余文怀;林钦山;徐文庆;蓝崇文 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶铸锭及其制造方法，通过控制热场参数、成核点密布坩埚底部等方法，来大量降低大尺寸硅晶粒分布比例，本发明硅晶铸锭底部处的硅晶粒的平均晶粒尺寸小于12mm，且硅晶铸锭上区域的硅晶粒的平均晶粒尺寸大于14mm，由于小尺寸硅晶粒型态在长晶过程中有较少晶粒竞争现象，且小尺寸硅晶粒分布紧密较易趋于单一向上成长，减少晶粒大吃小情形与避免柱状晶无法成长完整，此外，分布密布高的晶界进一步提供晶体内差排或其他应力缺陷得以顺利移动的管道，降低缺陷增加速率，进而让硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。
铸锭及其制造方法

[发明专利]硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭-CN201110336713.1有效
发明人：蓝文杰;刘泳呈;余文怀;许松林;徐文庆;蓝崇文 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： C30B11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅晶铸锭的制法以及硅晶铸锭，是利用一硅晶种层并基于一方向性凝固制程，来制造硅晶铸锭，其中，所述硅晶种层硅是由多个主要单晶硅晶种以及多个次要单晶硅晶种所构成，每一主要单晶硅晶种具有非[100]的第一晶向，每一个次要单晶硅晶种具有非所述第一晶向的一第二晶向，每一主要单晶硅晶种紧邻至少一个次要单晶硅晶种并与其他主要单晶硅晶种隔开，本发明无须将两相邻单晶硅晶种的边界接合，也能抑制两相邻单晶硅晶种的边界在硅晶铸锭制造过程中发展成有害缺陷，且制得的硅晶铸锭整体有较佳的晶体质量，后续制成的太阳能电池的光电转换效率也较高。
铸锭制法以及

[发明专利]长晶装置-CN201110230460.X有效
发明人： 蓝崇文;许松林;余文怀;蓝文杰;杨瑜民;白凯元;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种长晶装置，包含坩埚，以及位于坩埚外侧且对坩埚加热形成热场的热场供应器，坩埚包括具有开口并用以容置长晶原料的容槽，而热场供应器包括围绕坩埚并对坩埚加热的加热单元以及设于加热单元底部的隔热单元，且热场供应器可相对于坩埚在第一位置和第二位置之间移动而对坩埚形成具有温差的两个热场，藉此令坩埚中的长晶原料于此二形成明显的温度梯度的热场结构中可被控制地单向进行长晶，而获得具有较多孪生晶界的良好晶体。
装置

[发明专利]金属贯穿式太阳电池的制造方法-CN201010522996.4有效
发明人：陈松裕;杜政勋;陈秉群;黄兆平;蓝崇文 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开一种金属贯穿式太阳电池的制造方法，包括先提供硅基板，再表面结构化这个硅基板。然后，进行n型掺质扩散工艺，以至少于硅基板的正面与背面形成一n型扩散层。之后，在硅基板的正面形成一抗反射层，再将背面的n型扩散层移除。然后，在硅基板的背面与正面分别形成第一与第二金属胶层，再进行一共烧结工艺，使第一与第二金属胶层成为第一与第二电极。然后，在第一与第二电极以外的区域形成贯穿硅基板的贯穿孔。最后，在硅基板中的各贯穿孔内形成一通孔电极，其中形成通孔电极的温度需低于600℃。本发明在制作电极时采用二次烧结的方式，避免因制作通孔电极时的温度过高而使电极与基板的硅发生反应，而能防止电极与基板的短路。
金属贯穿太阳电池制造方法

[实用新型]长晶装置-CN201120292261.7有效
发明人： 蓝崇文;许松林;余文怀;蓝文杰;杨瑜民;白凯元;徐文庆 -专利权人：昆山中辰矽晶有限公司
申请日： 2011-08-12 - 公布日： 2012-04-18 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种长晶装置，包含坩埚，以及位于坩埚外侧且对坩埚加热形成热场的热场供应器，坩埚包括具有开口并用以容置长晶原料的容槽，而热场供应器包括围绕坩埚并对坩埚加热的加热单元以及设于加热单元底部的隔热单元，且热场供应器可相对于坩埚在第一位置和第二位置之间移动而对坩埚形成具有温差的两个热场，藉此令坩埚中的长晶原料于此二形成明显的温度梯度的热场结构中可被控制地单向进行长晶，而获得具有较多孪生晶界的良好晶体。
装置

[发明专利]制造硅晶铸锭的方法-CN201010235791.8有效
发明人： 蓝崇文;蔡亚陆;许松林;谢兆坤;蓝文杰;徐文庆 -专利权人：中美硅晶制品股份有限公司
申请日： 2010-07-14 - 公布日： 2012-02-01 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明提供一种制造硅晶铸锭的方法。特别地，根据本发明的一较佳具体实施例的方法是在模的底部与硅晶种之间引入阻障层，由此，显著地降低模的底部对硅晶铸锭的污染。此外，切除根据本发明所制造的硅晶铸锭底部而得到与阻障层相邻的硅晶种层可以回收用来制造另一硅晶铸锭。
制造铸锭方法

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