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[实用新型]一种半导体器件-CN202223331085.0有效
发明人： 蒋高喜;陈颖 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括安装板和防护机构，所述安装板的外侧设有绝缘涂层，所述安装板的顶端连接有防护机构，所述防护机构的内侧连接有半导体芯片。本实用新型的有益效果是：一种半导体器件，通过设置防护机构，将半导体芯片卡入安装板内，使用两端固定盒内的锥形扣，插入安装板上的锥形槽内，然后将顶盖使用螺钉固定于安装盒上，接热板与半导体芯片相接触，增压弹簧为接热板提供向下的压力，半导体芯片产生的热量会由接热板进行热量吸收，通过输热板向上传递，热量再通过金属热导体传导到散热板进行散热，半导体芯片容易受到外来静电影响，可由静电传导器将安装盒外侧的静电进行传导如输电盒。
一种半导体器件

[实用新型]一种Mosfet半导体器件-CN202223330669.6有效
发明人： 蒋高喜;陈颖 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Mosfet半导体器件，包括安装底板和散热机构。该Mosfet半导体器件，通过散热机构中散热块、连接凸耳、螺钉、开孔、电机外壳、电机、转轴、扇叶、连接开孔、固定螺钉、散热孔和滤网的设置，散热块通过两侧开设的连接凸耳通过螺钉与安装底板固定连接，散热块与安装底板之间安装有Mosfet半导体，Mosfet半导体与散热块之间为卡槽连接，Mosfet半导体散发热量传导到散热块内，散热块通过散热片将热量散发形成第一次散热，散热块内部两侧开设有连接开孔，电机外壳通过固定螺钉与散热块稳定链接，然后转轴和扇叶在电机的运转带动下旋转，对散热块进一步进行散热，从而达到Mosfet半导体内部的热量及时排除，散热效果好，提高散热效率，增加使用寿命的作用。
一种 mosfet 半导体器件

[发明专利]一种香豆素类化合物及其制备方法与应用-CN202111365677.1在审
发明人： 蒋高喜 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;苏州韦恩斯生物科技有限公司
申请日： 2021-11-17 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： C07D311/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种香豆素类化合物及其制备方法与应用。所述制备方法包括：使包含萘酚类化合物、联烯醚类化合物、反应助剂和第一溶剂的第一混合反应体系于25‑50℃反应2‑12h，制得成环中间产物；以及，使包含所述成环中间产物、氧化剂和第二溶剂的第二混合反应体系于60‑80℃发生氧化反应10‑12h，制得香豆素类化合物。本发明提供的制备方法反应条件温和，没有强酸强碱和高温高压，易于工业化生产，对设备要求低，香豆素类化合物产率高，同时本发明的制备方法不需要金属催化剂，符合绿色化学和可持续发展的要求，具有良好的应用前景。
一种香豆素类化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种P,N手性氮杂化合物及其制备方法与应用-CN202111084684.4在审
发明人： 蒋高喜;杨化萌;张金龙 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;苏州韦恩斯生物科技有限公司
申请日： 2021-09-16 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C07F9/6561 文献下载
摘要：本发明公开了一种P，N手性氮杂化合物及其制备方法与应用。所述P，N手性氮杂化合物具有下式所示的结构：其中，R1包括H、Me、OMe、CF3、F或t‑Bu，R2包括(R)‑2‑丙基‑1‑醇基或(R)‑2‑丙基‑1‑醇硅醚基，Ar包括苯基、2‑甲基苯基、3‑甲基苯基、4‑甲基苯基、4‑甲氧基苯基、4‑氟苯基、萘基或3，5‑二甲基苯基。本发明制备的P，N手性氮杂化合物产率高、立体选择性高；同时本发明提供的制备方法反应条件温和，易于工业化生产，对设备要求低，且不需要金属催化剂，符合绿色化学和可持续发展的要求，具有良好的应用前景。
一种手性化合物及其制备方法应用

[实用新型]一种新型的MOS管结构-CN202222127040.5有效
发明人： 蒋高喜;肖步文 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2022-08-13 - 公布日： 2023-01-24 - 主分类号： H01L23/49 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型的MOS管结构，涉及到MOS管领域，包括MOS管体，所述MOS管体的一端固定有两个对称分布的引脚，所述MOS管体的上下两侧均贴合有防护板，两个所述防护板的两边之间通过弹性带相连接，两个所述防护板的一侧两边均固定有挡板。本实用新型通过在MOS管的外侧设置有防护板，防护板配合能够伸缩的延伸板对MOS管和其上的引脚起到了很好的防护作用，两个防护板之间通过弹性带相连，使得防护板在安装时能够与MOS管紧密贴合，两个延伸板端部之间的密封膜起到了密封的作用，避免MOS管在运输时有异物进入两个延伸板之间，对引脚起到了很好的防护作用，在防护板的内侧设置有导热板，导热板配合防护板上的散热组件提高了MOS管的散热效果。
一种新型 mos 结构

[实用新型]一种IGBT散热模块-CN202221892786.9有效
发明人： 蒋高喜;肖步文 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT散热模块，涉及到散热领域，包括IGBT器件，所述IGBT器件的内腔底部填充有半导体衬底，所述IGBT器件的一侧中部开设有散热口，所述半导体衬底的底端开设有插槽，所述插槽与散热口相连通，所述IGBT器件的一侧中部设置有安装架，所述安装架的一侧两端均通过安装组件与IGBT器件相连接。本实用新型通过在IGBT器件的一侧设置有安装架，安装架上的导热板通过导热片插入散热口上的插槽内，使得IGBT器件产生的热量能够通过导热片和导热板传输到散热片上，再通过安装架上的散热风扇进行散热，提高了本装置的散热效果，同时安装架通过安装组件进行安装，使得安装架安装稳定，同时便于快速拆卸更换清洗，提高了散热机构的工作效率。
一种 igbt 散热模块

[实用新型]一种新型整流二极管-CN202221892796.2有效
发明人： 蒋高喜;肖步文 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型整流二极管，涉及到二极管技术领域，包括壳体，所述壳体的内侧中部设置有PN结，所述PN结的两端均固定连接有导电片，所述导电片的一端固定连接有接线板，所述接线板的一端固定连接有铜插板。本实用新型通过设置壳体，壳体的内部设置有PN结，PN结的两端设置有两个导电片，两个导电片可以作为二极管的正负极，通过在导电片的一端设置接线板，接线板上设置有铜插板和接线杆，铜插板和接线杆可以分别应用于插接连接和焊接连接，且铜插板和接线杆均可以发生一定程度的形变，从而方便了装置接入电路，进而方便了二极管的实际应用。
一种新型整流二极管

[实用新型]一种IGBT器件结构-CN202221909039.1有效
发明人： 蒋高喜;肖步文 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2022-07-21 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种IGBT器件结构，涉及到IGBT技术领域，包括壳体，壳体的内部底端固定连接有固定框，固定框的上方设置有衬底，衬底的上表面固定连接有三个呈等间距分布的焊盘，位于中间的焊盘的上表面中部固定连接有半导体芯片。本实用新型通过在壳体内部设置固定框，固定框上方设置有衬底，衬底上方设置有焊盘和半导体芯片，焊盘和半导体芯片组成IGBT器件基本结构，可以实现IGBT对电路的控制功能，通过在衬底的下方设置散热板，散热板与衬底之间设置有导热板和导热柱，导热板和导热柱的设置使得散热板对衬底的散热效率得到提升，从而使得IGBT器件在工作过程中衬底上的热量可以被及时排出，进而保证了IGBT器件在长期工作时的稳定性。
一种 igbt 器件结构

[实用新型]一种垂直功率MOSFET半导体器件-CN202220936894.5有效
发明人： 蒋高喜;陈颖 -专利权人：无锡鑫泽半导体科技有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： B65D25/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及MOSFET半导体器件技术领域，且公开了一种垂直功率MOSFET半导体器件，包括收纳盒和半导体器件，所述半导体器件放置于收纳盒的内部，所述收纳盒的外壁安装有固定组件，所述收纳盒的内部设置有收纳组件，所述收纳组件包括卡壳、滑轨、滑动块、顶壳、弹簧和压板，所述卡壳安装于半导体器件的外部，所述滑轨开设于收纳盒的内部，所述滑动块安装于滑轨的内部。该垂直功率MOSFET半导体器件，通过使用卡壳与半导体器件进行卡接，随后将卡壳放置于收纳盒的内部，半导体器件之间通过使用卡壳进行分离，从而对半导体器件起到良好的保护效果，解决了现有的收纳运输装置，无法对半导体器件起到良好保护效果的问题。
一种垂直功率 mosfet 半导体器件

[发明专利]一种P,N手性喹喔啉化合物及其制备方法与应用-CN202011386685.X在审
发明人： 蒋高喜;高增;张金龙;杨化萌 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;苏州韦恩斯生物科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C07F9/6561 文献下载
摘要：本发明公开了一种P,N手性喹喔啉化合物及其制备方法与应用。所述P,N手性喹喔啉化合物具有如下式所示的结构：其中，R包括H、Me、OMe、BnO、F、Br、N,N‑二甲基中的任意一种，Ar包括苯基、2‑甲基苯基、3‑甲基苯基、4‑甲基苯基、4‑甲氧基苯基、4‑氟苯基、萘基、3,5‑二甲基苯基中的任意一种。本发明制备的P,N手性喹喔啉化合物产率高、立体选择性高；本发明提供的制备方法反应条件温和，没有强酸强碱和高温高压，易于工业化生产，对设备要求低；同时本发明的制备方法反应不需要金属催化剂，符合绿色化学和可持续发展的要求，具有良好的应用前景。
一种手性喹喔啉化合物及其制备方法应用

[发明专利]一类轴手性苯并吡嗪类化合物及其制备方法与应用-CN202011386741.X在审
发明人： 蒋高喜;高增;张金龙;杨化萌 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;苏州韦恩斯生物科技有限公司
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： C07D487/04 文献下载
摘要：本发明公开了一类轴手性苯并吡嗪类化合物及其制备方法与应用。所述轴手性苯并吡嗪类化合物具有如下式所示的结构：其中，R1包括H、Me、OMe、BnO、F、Br中的任意一种，R2包括OMe、Br、Cl中的任意一种。本发明制备的新型的轴手性苯并吡嗪类化合物产率高、立体选择性高；本发明提供的制备方法反应条件温和，没有强酸强碱和高温高压，易于工业化生产，对设备要求低；同时本发明的制备方法反应不需要金属催化剂，符合绿色化学和可持续发展的要求，具有良好的应用前景。
一类手性吡嗪类化合物及其制备方法应用

[发明专利]一种单氟磺酰基烯烃及其制备方法与应用-CN202010964010.2在审
发明人： 蒋高喜;康磊;钱金龙;杨化萌 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;苏州韦恩斯生物科技有限公司
申请日： 2020-09-15 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： C07D239/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种单氟磺酰基烯烃及其制备方法与应用。所述单氟磺酰基烯烃的制备方法包括：使包含α‑氟代磺酰基酮类化合物、卤代烃类化合物、碱性试剂、反应助剂和溶剂的混合反应体系于90‑120℃反应12‑16h，制得单氟磺酰基烯烃。本发明制备的单氟磺酰基烯烃产率高、立体选择性高；本发明提供的制备方法反应条件温和，没有强酸强碱和高温高压，易于工业化生产，对设备要求低；同时本发明的制备方法反应不需要金属催化剂，符合绿色化学和可持续发展的要求，具有良好的应用前景。
一种单氟磺酰基烯烃及其制备方法应用

[发明专利]一种单氟烯烃衍生物的制备方法-CN202010002520.1有效
发明人： 蒋高喜;康磊;钱金龙;杨化萌 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所;苏州韦恩斯生物科技有限公司
申请日： 2020-01-02 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C07C315/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种单氟烯烃衍生物的制备方法。所述单氟烯烃衍生物的制备方法包括：使包含氟代苯磺酸化合物、醛类化合物、碱性试剂和溶剂的混合反应体系反应获得单氟烯烃衍生物；其中，所述单氟烯烃衍生物中顺式单氟烯烃衍生物与反式单氟烯烃衍生物的比例大于20:1。本发明制备的单氟烯烃衍生物的立体选择性高、产率高达80％‑97％，同时本发明的制备方法中原料来源广泛，反应条件温和，对环境友好，对设备要求低，适于工业化生产。
一种烯烃衍生物制备方法

[实用新型]能够快速精确定位的自动涂料装置-CN202022442415.8有效
发明人： 蒋高喜 -专利权人：苏州韦恩斯生物科技有限公司
申请日： 2020-10-29 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B05C11/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及制药辅助设备技术领域，尤其涉及一种能够快速精确定位的自动涂料装置。包括固定安装底座、设置在所述固定安装底座上的滑轨组、通过滑块滑动安装在所述滑轨组上的涂料精度调节工装，所述涂料精度调节工装包括固定安装在所述滑块上的工装安装块、设置在所述工装安装块前端的调节块、通过螺钉安装在所述调节块前端的辅助安装块、通过螺母安装在所述辅助安装块前端的刮刀固定安装板，所述辅助安装板底部设置有刮刀，所述刮刀一边贴合所述调节块一边贴合刮刀固定安装板设置，所述工装安装块上设置有螺母调节杆，所述工装安装块上还设置有数显万分尺。本实用新型的有益之处：实现自动涂料，自动化程度高，调节定位速度快，精度高。
能够快速精确定位自动涂料装置

[发明专利]萘并吡喃类化合物及其制备方法-CN201810121584.6有效
发明人： 蒋高喜;张金龙;杨化萌;夏春谷 -专利权人：中国科学院兰州化学物理研究所苏州研究院
申请日： 2018-02-07 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： C07D311/92 文献下载
摘要：本发明公开了一种萘并吡喃类化合物及其制备方法，该化合物性能稳定，突破了以前萘并吡喃类化合物的结构欠缺。制备方法包括步骤：(1)将二芳基联烯类化合物和萘酚类化合物溶于溶剂中，得到预反应混合溶液；(2)步骤(1)中所得的预反应混合溶液在温度为50‑80℃和催化剂的条件下反应，得到所述萘并吡喃类化合物。制备方法步骤简单，条件温和，易于实现，绿色环保更适合于工业化生产。
吡喃类化合物及其制备方法

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