专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种消防装置-CN202320071221.2有效
  • 高源;周剑飞;蔡耀清;刘志民;韩桂印;陈刚;宋辉;苏雪冰 - 北京首钢股份有限公司
  • 2023-01-10 - 2023-07-18 - A62C31/03
  • 本实用新型公开了一种消防装置,应用于厂区的消防作业,涉及消防设备领域,包括:箱体;电机,固定于箱体内;离心泵,固定于所述箱体内,与电机的输出轴连接,所述电机的输出轴与所述离心泵连接,所述电机带动离心泵对进入的所述离心泵的水流进行加压后输出;输入管,固定于所述箱体,与所述离心泵的输入端连接,用于将水流输入至离心泵;输出管,固定于所述箱体,与所述离心泵的输出端连通,用于供离心泵加压后的水流输出;出水管,与所述输出管连通;喷头,连接于所述出水管,设置有调节所述喷头出水通道大小的调节手柄。本实用新型提供的一种消防装置,提高水流的喷射高度,能够应用于厂区高层建筑的消防作业。
  • 一种消防装置
  • [发明专利]MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202110695398.5有效
  • 汪洋;苏雪冰;杨帅康;杨红姣;邓志勤 - 湘潭大学
  • 2021-06-23 - 2022-05-17 - H01L29/778
  • 本发明公开了一种MIS分裂栅GaN基高电子迁移率晶体管,包括从下而上依次层叠的硅衬底、AIN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层,AlGaN势垒层中设有凹槽,凹槽的槽底和槽壁上设有栅介质层,栅介质层底部对称设有两个栅极,靠近漏极的栅设有栅场板,两个栅极之间设有阻挡层,AlGaN势垒层上表面两侧分别设有源极和漏极,源极上设有源场板,源极和漏极之间设有钝化层。本发明的第二AlGaN势垒层和AlGaN缓冲层具有相同的铝组分,完全耗尽第一AlGaN势垒层与第二AlGaN势垒层之间的极化电荷,且凹槽栅底部正处于第二AlGaN势垒层之中,进而降低因刻蚀因素对器件阈值电压稳定性的影响。
  • mis分裂gan电子迁移率晶体管及其制备方法

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