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[发明专利]一种基于光刻建模仿真的参数获取方法-CN202310214995.0有效
发明人：付海昊;乐彬;刘小峰 -专利权人： 苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请涉及集成电路制造技术领域，具体而言，涉及一种基于光刻建模仿真的参数获取方法，一定程度上可以解决进行仿真获取参数需要花费大量的时间，消耗大量的算力，难以满足工程需要的问题。所述方法包括：根据光强函数定义目标函数，并对目标函数的定义域空间进行初始全局搜索，迭代寻找潜在最优矩形，计算潜在最优矩形的中心点及对应函数值；输入第一终止条件，终止全局搜索并输出当前种群的第一最优点；基于第一最优点，获取新定义域；对新定义域进行离散点划分，阶梯化目标函数，局部搜索新种群点；输入第二终止条件，当局部搜索结果达到第二终止条件时，终止局部搜索并输出若干第二最优点；输出并检验若干第二最优点对应的参数。
一种基于光刻建模仿真参数获取方法

[发明专利]一种基于离子注入的沟道离子分布确定方法及装置-CN202211703931.9有效
发明人：倪海洋;贡顶;汤焱博 -专利权人： 苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本申请涉及离子注入技术领域，具体而言，涉及一种基于离子注入的沟道离子分布确定方法及装置，一定程度上可以解决现有技术存在的计算得到的沟道离子分布情况与实际的沟道离子分布情况相差甚远的问题。所述基于离子注入的沟道离子分布确定方法，包括：按照预设参数，将离子分多次注入靶材料；获取每次通过预设参数注入离子后的背散射质子能谱，背散射质子能谱用于表征靶材料中晶格损伤分布；基于晶格损伤分布以及晶格损伤分布与沟道离子数量之间的关系，确定每次注入离子后，发生沟道效应的沟道离子数量，沟道离子数量用于反映离子在靶材料中的分布情况。
一种基于离子注入沟道分布确定方法装置

[发明专利]一种软件升级版本正确性的检测方法及装置-CN202210683196.3有效
发明人：陈智卫;周洁云;崔绍春 -专利权人： 苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2022-06-17 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F11/36 文献下载
摘要：本申请提供一种软件升级版本正确性的检测方法及装置。所述方法包括：分别利用标准软件和待测软件对同一测试电路进行仿真，并对各自的仿真信号进行采样，利用插值函数分别对采样结果进行处理，获取各自对应的插值曲线，利用DP算法分别获取描述插值曲线的目标点，根据目标点确定对应插值曲线的形状标准值后，根据两条插值曲线的形状标准值确定第一相似度，如果第一相似度满足要求，则根据每条插值曲线上每个采样点的纵坐标值，确定两条插值曲线的第二相似度，如果第二相似度也满足要求，则确定待测软件通过正确性检测。整个过程中使用DP算法进行处理，因此参与运算的目标点的数量很少，进而可以极大地缩短正确性检测的耗时，检测成本也较低。
一种软件升级版本正确性检测方法装置

[发明专利]一种刻蚀工艺仿真方法及系统-CN202210694026.5有效
发明人：侯毅然 -专利权人： 苏州培风图南半导体有限公司
申请日： 2022-06-20 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本申请涉及刻蚀工艺仿真技术领域，具体而言，涉及一种刻蚀工艺仿真方法及系统，一定程度上可以解决采用元胞自动机法对半导体刻蚀工艺进行仿真占用内存空间较大的问题。方法包括：将半导体模型从物理坐标系转换至元胞坐标系；建立并压缩半导体模型的初始表面元胞数组，得到初始压缩表面元胞数组；建立演化表面元胞数组；根据元胞的棱边信息，对演化表面元胞数组进行刻蚀，得到演化刻蚀表面元胞数组；沿着元胞坐标系中的至少一个坐标轴方向，压缩演化刻蚀表面元胞数组，得到演化压缩表面元胞数组；根据初始压缩表面元胞数组和演化压缩表面元胞数组，计算终止表面元胞数组；将终止表面元胞数组从元胞坐标系转换至物理坐标系，得到半导体刻蚀表面模型。
一种刻蚀工艺仿真方法系统