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[发明专利]存储器元件及其制造方法-CN202210230998.9在审
发明人： 苏嬿如 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-03-10 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器元件及其制造方法。该存储器元件包括：介电基底、导体层、栅极叠层结构、多个环形分隔墙以及多个内分隔墙。导体层位于所述介电基底上。栅极叠层结构位于第一部分的所述导体层上。介电层，位于所述栅极叠层结构以及第二部分的所述导体层上。多个环形分隔墙，延伸穿过所述介电层、所述栅极叠层结构与所述导体层以界定出多个块元。所述多个内分隔墙设置在所述多个环形分隔墙内，将每一块元界定出多个区块。所述多个内分隔墙与所述多个环形分隔墙的高度相同。
存储器元件及其制造方法

[发明专利]三维AND快闪存储器元件及其制造方法-CN202210024879.8在审
发明人： 苏嬿如 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/417 文献下载
摘要：本发明提供一种三维AND快闪存储器元件，包括：堆叠结构、通道柱、第一导体柱和第二导体柱以及电荷存储结构。堆叠结构位于介电基底上，其中所述堆叠结构包括彼此交替堆叠的多个栅极层与多个绝缘层。通道柱，延伸穿过所述堆叠结构。第一导体柱和第二导体柱，位于所述多个通道柱内，且与所述多个通道柱电性连接。所述第一导体柱包括第一金属硅化物柱，所述第二导体柱包括第二金属硅化物柱。电荷存储结构，位于所述多个栅极层与所述通道柱之间。
三维 and 闪存元件及其制造方法