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[发明专利]一种用于DC/DC电源隔离工业芯片的紧凑型变压器及验证方法-CN202211506941.3在审
发明人：刘志强;徐鹏;周勇;夏衡;杨玉茹;刘问博 -专利权人： 芯创智创新设计服务中心(宁波)有限公司
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01F27/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于DC/DC电源隔离工业芯片的紧凑型变压器及验证方法，属于隔离器技术领域，该变压器包括层叠设置的主线圈和次线圈，主线圈具有输入端和中心抽头端，次线圈具有输入端和输出端，输入端用于信号输入，输出端用于与高速数字隔离器的内部电路相连；主线圈和次线圈的绕线方式为：主线圈和次线圈从输入端开始并行沿同一设定轨迹绕至抽头端，然后次线圈按设定轨迹继续绕至输出端，从而形成同心的螺旋线圈，输入端位于线圈最外侧，输出端位于线圈最内侧；以抽头端为界线，界线以外的部分形成外圈，界线以内的部分形成内圈；线圈宽度从内圈到外圈逐渐增大。本发明提供的变压器能够在保证隔离性能的前提条件下大幅度缩减变压器的面积。
一种用于 dc 电源隔离工业芯片紧凑型变压器验证方法

[发明专利]一种工业芯片常用变压器的深度神经网络建模方法-CN202211530054.X在审
发明人：刘志强;徐鹏;周勇;夏衡;杨玉茹;刘问博 -专利权人： 芯创智创新设计服务中心(宁波)有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： G06F30/398 文献下载
摘要：本发明涉及一种工业芯片常用变压器的深度神经网络建模方法，属于片上变压器建模技术领域，该方法包括：S1、确定变压器的结构、工作频率、几何参数以及仿真的性能，并将变压器的多个几何参数定义为向量X，待求解的多个性能定义为向量Y；S2、在设定区间采用适合的采样方法获取大量的几何参数X，然后通过电磁仿真计算出对应的性能指标Y，构成样本数据集(X,Y)；S3、对样本数据集(X,Y)进行归一化处理；S4、采用机器学习算法建立片上变压器的深度神经网络模型；S5、对所述深度神经网络模型进行测试和验证。本发明提供的方法能够在有限的建模样本下建立起高精度深度模型，提升建模时所需的样本效率并且避免机器学习的过拟合问题。
一种工业芯片常用变压器深度神经网络建模方法

[发明专利]一种金属-氧化层-栅极电容器及其制备方法-CN202110665747.9在审
发明人：吴汉明;陈春章;胡煜 -专利权人： 芯创智创新设计服务中心(宁波)有限公司
申请日： 2021-06-16 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属‑氧化层‑栅极电容器及其制备方法，包括以下步骤：在半导体衬底上覆盖第一绝缘层；在第一绝缘层的表面形成导电层；在导电层的表面上气相沉积第二层绝缘层；对第二层绝缘层进行蚀刻，形成对导电层的局部暴露，同时形成接触孔；对接触孔的开口进行金属填充，形成翅片结构，作为电容器的底板电极即栅极柱；对围绕栅极柱的第二层绝缘层进行蚀刻，使栅极柱从第二绝缘层突出，围绕栅极柱形成沟槽；在第二层绝缘层和栅极柱的表面上气相沉积绝缘介电层；在绝缘介电层上沉积并覆盖一层衬底金属层；在衬底金属层上沉积并覆盖一层主体金属层，形成电容器的上极板电极。本发明可用于传统半导体平面制备和最先进的FinFET制备技术。
一种金属氧化栅极电容器及其制备方法