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[发明专利]用于癫痫预测的轻量型卷积神经网络硬件IP核-CN202310405598.1在审
发明人： 艾广鹏;张跃军;顾明鸿;陈烜旭;蒋子涵 -专利权人：宁波大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于癫痫预测的轻量型卷积神经网络硬件IP核，包括第一卷积层、第二卷积层、第三卷积层和全连接层，第一卷积层将大小为256×22，通道数为1的特征图处理为大小为126×9，通道数为1的特征图输出至第二卷积层，第二卷积层将输入的特征图处理为大小为62*3，通道数为1的特征图输出至第三卷积层，第三卷积层用于将输入的特征图处理为大小为31，通道数为1的特征图输出至全连接层，全连接层将输入的特征图处理为预测结果输出；优点是通过硬件实现卷积神经网络来进行癫痫预测，延时较小，实时性较强，实验结果表明每个卷积层功耗为1.43mW，单层卷积层延时0.66ms，消耗能量0.94μJ，面积为0.23mm2，具有更低的功耗、更小的面积、更小的延时以及更高的准确度。
用于癫痫预测轻量型卷积神经网络硬件 ip

[发明专利]基于RRAM的EEPROM安全非易失存储器-CN202210561450.2在审
发明人：张跃军;戴晟;艾广鹏 -专利权人：宁波大学
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于RRAM的EEPROM安全非易失存储器，包括字线WL、n个EEPROM单元电路、n条位线BL1‑BLn、灵敏放大器模块和开关电路，灵敏放大器模块包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第三NMOS管，开关电路包括第五PMOS管，每个EEPROM单元电路分别包括RRAM和第四NMOS管，RRAM由顶电极、氧化层和底电极组成，当RRAM的顶电极和底电极之间没有加载电压时，RRAM处于高阻抗状态(HRS)，当在RRAM的顶电极和底电极之间加载电压，且该电压超过预设的阈值电压时，氧化层形成导电丝，RRAM处于低阻抗状态(LRS)，当RRAM处于低阻抗状态时，在RRAM的顶电极和底电极之间加载反向电压，此时RRAM将从LRS再次变为HRS；优点是面积较小、工艺简单、成本较低，整体电路结构简单。
基于 rram eeprom 安全非易失存储器