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本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]包括MOSFET和双栅极JFET的电子电路-CN201510002272.X有效
发明人： D·A·玛斯利亚;A·G·布拉卡尔 -专利权人：艾壳
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了用于包括信号放大的各种应用的电子电路和方法。一种示例电子电路包括处于共源共栅配置的MOSFET和双栅极JFET。双栅极JFET包括布置在沟道上方和下方的顶部栅极和底部栅极。JFET的顶部栅极受依赖于控制MOSFET的栅极的信号的信号控制。JFET的底部栅极的控制可以依赖于或者独立于顶部栅极的控制。MOSFET和JFET可以被实现为在相同的衬底上具有不同的诸如栅极宽度之类的尺寸的分离的部件。
电子电路双栅极共源共栅信号控制配置的衬底沟道应用

[发明专利]用于差分功率放大器的多模式操作-CN201610363919.6有效
发明人： H·康;P·雷尼尔;E·皮卡德 -专利权人：艾壳
申请日： 2016-05-26 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本公开涉及用于差分功率放大器的多模式操作，具体涉及一种用于无线设备的RF电路，包括用于每个频带的单端差分功率放大器和阻抗平衡电路。阻抗平衡电路用于在设备的操作模式改变时在放大器的输出处提供适当阻抗，并且还将放大器的差分输出转换为单端输出。阻抗平衡电路任选地包括BALUN电路和可变电容器，其中可变电容器随着操作模式的改变而变化以改变放大器的输出处的阻抗。
用于功率放大器模式操作

[发明专利]切换控制器-CN201410256058.2有效
发明人： H·康;S·韦内;F·多斯桑托斯 -专利权人：艾壳
申请日： 2014-06-10 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H03K17/56 文献下载
摘要：本发明提供了用于射频装置的切换器，与现有技术的切换器相比，所提供的切换器能更好地平衡功率损耗并提供更好的切换时间。本发明的切换器包括由对称偏置网络控制的晶体管的堆叠。晶体管的堆叠包括串联的偶数个晶体管，其中每两个相继的晶体管限定一个晶体管对。偏置网络包括一组对称分支的连接件，其中每个晶体管对的栅极由具有第一节点的第一连接件连接，两个或多个第一节点由第二连接件连接至第二节点，以此类推。偏置网络的对称性趋于抑制偶次谐波，可以通过在偏置网络和晶体管堆叠之间的对称点处添加电容器来进一步增强对偶次谐波的抑制。
晶体管偏置网络切换器堆叠电容器第二连接件第一连接件切换控制器对称分支偶次谐波平衡功率射频装置次谐波对称点连接件对偶串联对称

[发明专利]源极注入的Tx消除系统-CN201711039478.5在审
发明人： Z·塞塔夫;H·康;G·布拉蒙;F·雨安 -专利权人：艾壳
申请日： 2017-10-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01P5/12 文献下载
摘要：消除与接收信号一起接收到的泄露的发送信号，是在系统的接收器放大器处消除的，所述系统包括接收器放大器、功率放大器和将两者耦合到天线的双工器。来自功率放大器的放大的发送信号的一部分在双工器之前被拆分。所述部分可控地应用于接收器放大器。反馈回路监视接收器放大器的放大输出，并改变放大的发送信号的一部分的增益和相位，以便最小化接收器放大器的放大输出中的发送信号量。
注入 tx 消除系统

[发明专利]电容交叉耦合与谐波抑制-CN201611093259.0在审
发明人： C·布亚瓦勒;D·玛斯利亚;F·于安 -专利权人：艾壳
申请日： 2016-10-28 - 公布日： 2017-05-10 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：本发明涉及电容交叉耦合与谐波抑制，其中的功率放大器包括第一级联结构，第一级联结构包括MOSFET和JFET以及电连接在JFET的源极与漏极之间的第一电容器。并联的两个这样的功率放大器形成差分功率放大器。在差分放大器中，第二电容器可以电连接在第二JFET的源极与漏极之间。另一个差分功率放大器包括电连接在第一MOSFET的栅极与第二MOSFET的源极之间的第一电容器，以及电连接在第二MOSFET的栅极与第一MOSFET的源极之间的第二电容器。这些差分功率放大器中的一些还包括电连接在JFET的源极与漏极之间的电容器。
电容交叉耦合谐波抑制

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