“艾利维特半导体公司”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果2个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]低功率有源负载-CN201880006004.7有效
发明人：帕特里克·G·苏利万;周康飞 -专利权人： 艾利维特半导体公司
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： G01R31/319 文献下载
摘要：一种有源负载电路，所述有源负载电路包括具有第一节点至第四节点的二极管桥，其中，电压缓冲器与所述第一节点连接，拉电流镜与所述第二节点连接，所述第三节点被配置用于到受测装置(DUT)的连接，并且灌电流镜与所述第四节点连接。第一电流镜与所述拉电流镜连接，并且第二电流镜与所述灌电流镜连接。第一差分对与所述第一电流镜连接并且包括与所述DUT连接的输入端和与所述输入电压连接的第二输入端。第二差分对与所述第二电流镜连接并且包括与所述DUT连接的第一输入端和与所述输入电压连接的第二输入端。
功率有源负载

[发明专利]参数引脚测量单元高电压扩展-CN201580050517.4有效
发明人：帕特里克·G·苏利万 -专利权人： 艾利维特半导体公司
申请日： 2015-09-21 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： G01R19/00 文献下载
摘要：一种用于测量信号的集成电路，包括发送强制信号的参数引脚测量单元(PPMU)，所述PPMU具有第一放大器、第二放大器，所述第二放大器的输出端通过公共电阻器连接到所述第一放大器的输入端；电压‑电流转换器，连接到所述PPMU输出并具有第一输出和第二输出；n沟道MOSFET，连接到所述电压‑电流转换器的第一输出；p沟道MOSFET，连接到所述电压‑电流转换器的第二输出；缓冲放大器，连接到所述n沟道MOSFET和所述p沟道MOSFET之间的输出端口；以及电阻分压器，连接到所述缓冲放大器的输出。
参数引脚测量单元电压扩展