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[发明专利]半导体器件-CN201810312732.2有效
发明人：坂田贤治;秋叶俊彦;船矢琢央;土屋秀昭;吉田裕一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-04-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L23/13 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。旨在提高半导体器件的可靠性。半导体器件包括印刷电路板和安装在印刷电路板上方的半导体芯片。该半导体芯片包括焊盘、包括露出焊盘的一部分的开口的绝缘膜以及形成在从开口露出的焊盘上方的柱电极。印刷电路板包括端子和包括用于露出端子的一部分的开口的抗蚀剂层。半导体芯片的柱电极和印刷电路板的端子经由焊料层耦合。从绝缘膜的上表面测量柱电极的厚度h1。从抗蚀剂层的上表面测量焊料层的厚度h2。厚度h1大于或等于厚度h2的一半并且小于或等于厚度h2。
半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN201810383978.9有效
发明人： 船矢琢央;五十岚孝行 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置。在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201480001983.9有效
发明人：五十岚孝行;船矢琢央 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2)；形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3)；形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C)，实现耐湿性的提高。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910645110.6在审
发明人：五十岚孝行;船矢琢央 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-01-29 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：使半导体器件特性提高。半导体器件具有形成于层间绝缘膜(IL2)上的线圈(CL1)及布线(M2)；形成于层间绝缘膜(IL3)上的布线(M3)；形成于层间绝缘膜(IL4)上的线圈(CL2)及布线(M4)。且线圈(CL2)与布线(M4)的距离(DM4)比线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大(DM4>DM3)。另线圈(CL2)与布线(M3)的距离(DM3)大于等于位于线圈(CL1)与线圈(CL2)间的层间绝缘膜(IL3)的膜厚与层间绝缘膜(IL4)的膜厚之和。由此能使易产生高电压差的线圈(CL2)与布线(M4)间等的绝缘耐压提高。另设置包围变压器形成区域(1A)和周边回路形成区域(1B)的密封环形成区域(1C)，实现耐湿性的提高。
布线层间绝缘膜半导体器件膜厚半导体器件特性密封环形成区域绝缘耐压周边回路高电压耐湿性变压器包围

[发明专利]半导体装置和半导体装置的制造方法-CN201310712188.8有效
发明人： 船矢琢央;鴫原宏美;鴫原久雄 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-12-20 - 公布日： 2019-04-09 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置和半导体装置的制造方法，目的在于改善半导体装置的特性。半导体装置具有形成于感应器(Ia)的上方的层叠绝缘膜。该层叠绝缘膜具有聚酰亚胺膜(PI1)和形成于聚酰亚胺膜(PI1)上且与聚酰亚胺膜(PI1)之间具有阶梯差(St2)的聚酰亚胺膜(PI2)。并且，在层叠绝缘膜上形成有感应器(Ib)。通过采用这样的聚酰亚胺膜(PI1)与(PI2)的层叠结构，能够使感应器(Ia、Ib)之间的绝缘膜的膜厚增大，能够提高绝缘耐压。而且，能够减少由曝光不良导致的凹陷、剥落的发生，而且能够减少Cu籽晶层(SE)的分段、由此导致的电镀不良。
半导体装置制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN201510030429.X有效
发明人： 船矢琢央;五十岚孝行 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-01-21 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明的各个实施例涉及一种制造半导体器件的方法。提供了一种具有得到改善的可靠性半导体器件。在半导体衬底之上，经由第一绝缘膜形成第一线圈。形成第二绝缘膜，以便用以覆盖第一绝缘膜和第一线圈。在第二绝缘膜之上，形成焊盘。在第二绝缘膜之上，形成具有使部分焊盘暴露出来的开口的多层膜。在多层绝缘膜之上，形成第二线圈。将第二线圈放置在第一线圈之上。第二线圈和第一线圈彼此磁耦合。多层膜包括二氧化硅膜、在二氧化硅膜之上的氮化硅膜、和在氮化硅膜之上的树脂膜。
绝缘膜半导体器件二氧化硅膜氮化硅膜多层膜焊盘多层绝缘膜磁耦合树脂膜衬底半导体制造开口暴露覆盖

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201380075051.4有效
发明人： 船矢琢央;五十岚孝行 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2013-03-25 - 公布日： 2018-06-08 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：在半导体基板(SB)上隔着第1绝缘膜地形成线圈(CL1)，以覆盖第1绝缘膜以及线圈(CL1)的方式形成第2绝缘膜，在第2绝缘膜上形成有焊盘(PD1)。在第2绝缘膜上形成有具有使焊盘(PD1的一部分露出的开口部(OP1)的层叠膜(LF)，在所述层叠绝缘膜上形成有线圈(CL2)。线圈(CL2)配置在线圈(CL1)的上方，线圈(CL2)与线圈(CL1)进行磁耦合。层叠膜(LF)由氧化硅膜(LF1)、其上的氮化硅膜(LF2)、以及其上的树脂膜(LF3)构成。
绝缘膜层叠膜焊盘半导体基板半导体装置层叠绝缘膜氮化硅膜绝缘膜地氧化硅膜磁耦合开口部树脂膜覆盖配置制造

[发明专利]半导体装置-CN201710684423.3在审
发明人：内田慎一;长濑宽和;船矢琢央 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间，在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈，在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈，它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时，在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201280077812.5在审
发明人：内田慎一;长濑宽和;船矢琢央 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2012-12-19 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01L21/822 文献下载
摘要：在半导体基板上形成有线圈CL5、CL6以及焊盘PD5、PD6、PD7。线圈CL5与线圈CL6串联地电连接在焊盘PD5与焊盘PD6之间，在线圈CL5与线圈CL6之间电连接有焊盘PD7。在线圈CL5的正下方形成有与线圈CL5磁耦合的线圈，在线圈CL6的正下方形成有与线圈CL6磁耦合的线圈，它们串联连接。当在线圈CL5、CL6的正下方的串联连接的线圈中流过电流时，在线圈CL5、CL6中流过的感应电流的方向在线圈CL5和线圈CL6中成为相反方向。
半导体装置

[发明专利]用于制造半导体装置的方法-CN201210097778.X有效
发明人：菊池克;山道新太郎;村井秀哉;前田胜美;船矢琢央;森健太郎;前田武彦;川野连也;萱岛祐治 -专利权人：日本电气株式会社;瑞萨电子株式会社
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2012-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种用于制造半导体装置的方法，包括：在金属基材的一个表面上形成金属图案；形成覆盖金属图案的树脂层；通过从金属基材的另一表面侧在金属基材中形成开口，使得金属图案被保留来得到金属框架；在半导体芯片的电路形成表面面朝上的情况下，将半导体芯片安装在开口内；形成覆盖金属框架和半导体芯片的绝缘层；形成连接到半导体芯片的上表面的导电部分的通孔导体；形成电连接到通孔导体的互连层；以及去除树脂层，使得金属图案被暴露。
用于制造半导体装置方法

[发明专利]焊锡及使用该焊锡的安装品-CN200910160475.6无效
发明人： 船矢琢央;冥加修;松井孝二 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2005-04-21 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： B23K35/26 文献下载
摘要：Sn-Zn类合金焊锡具有以下组成：含有7至10质量％的Zn、0.075至1质量％的Ag、0.07至0.5质量％的Al，进一步含有0.01至6质量％的Bi及0.007至0.1质量％的Cu中的一种或二种，并根据需要含有0.007至0.1质量％的Mg，剩余部分为Sn及不可避免的杂质。这种焊锡具有和现有的Sn-37重量％Pb共晶类焊锡同等的作业性、使用条件、及连接可靠性，且不含有对人体有害的铅。
焊锡使用安装

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200780041277.7有效
发明人：菊池克;山道新太郎;村井秀哉;前田胜美;船矢琢央;森健太郎;前田武彦;川野连也;萱岛祐治 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-10-09 - 公布日： 2009-09-16 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种半导体装置，包括：金属框架，其包括贯通的开口；半导体芯片，其设置在开口中；绝缘层，其设置在金属框架的上表面上，以覆盖上表面，所述上表面是半导体芯片的电路形成表面；布线层，其通过绝缘材料只设置在金属框架的上表面侧，并且电连接到半导体芯片的电路；通孔导体，其用于在将半导体芯片的电路和布线层电连接；以及树脂层，其设置在金属框架的下表面上。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]布线板复合体、半导体器件、以及制造布线板复合体和半导体器件的方法-CN200780032766.6有效
发明人：森健太郎;山道新太郎;菊池克;村井秀哉;船矢琢央;前田武彦;本多广一;小川健太;塚野纯 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-09-04 - 公布日： 2009-08-19 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：一种布线板复合体，其由支撑衬底和分别在该支撑衬底的上表面和下表面上形成的布线板构成。所述支撑衬底由支撑体和分别布置在该支撑体的上表面和下表面的每个上的金属体构成。所述布线板至少设置有绝缘层、通过绝缘层绝缘的上和下布线、以及用于连接上和下布线的通路。安装在金属体上的布线板构成设置有金属体的布线板。因此，在金属体上形成布线板的处理中高效地使用用于支撑金属体的支撑体，并提供在制造处理中和在成品结构中具有较少的翘曲和膨胀且能够提高布线板产量的布线板复合体。还提供一种半导体器件和一种用于制造此类布线板复合体和半导体器件的方法。
布线复合体半导体器件以及制造方法

[发明专利]布线板、使用布线板的半导体器件、及其制造方法-CN200780031703.9无效
发明人：菊池克;山道新太郎;村井秀哉;船矢琢央;森健太郎;前田武彦;本多广一;小川健太;塚野纯 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2007-06-29 - 公布日： 2009-08-12 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：一种布线板，具有：绝缘层，以使其被绝缘层相互绝缘的方式形成的多个布线层，以及在绝缘层中形成以连接布线层的多个通道。在布线层当中，在绝缘层一个表面内形成的表面布线层包括从那个表面暴露的第一金属膜，和嵌入绝缘层并堆叠在第一金属膜上的第二金属膜。第一金属膜的边缘在第二金属膜的扩展方向上从第二金属膜的边缘凸出。如此设计嵌入绝缘层的布线层的形状，可以获得高可靠性的布线板，该布线板可以有效地防止制造过程中的侧蚀刻，并能适合于小型化和高致密度的布线封装。
布线使用半导体器件及其制造方法

[发明专利]电路基板、电子器件配置及用于电路基板的制造工艺-CN200780024077.0无效
发明人： 船矢琢央;山道新太郎 -专利权人：日本电气株式会社
申请日： 2007-04-27 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：提供了一种电路基板，在其上，电子零件可在不形成阻焊剂的情况下直接表面安装在导电布线上，该电路基板具有极好的高速传输特性，扩大了内含的功能元件的电极端子的布线规则，并可通过与电子器件连接的步骤而以极好的可加工性和可靠性来安装。还提供了一种电子器件配置和用于电路基板的制造方法。该电路基板设有：具有电极端子(5)的功能元件(1)；基材，其中内含功能元件(1)并且在正面和背面上分别具有至少一层导电布线；以及通孔(6)，用于将电极端子(5)连接到形成在基材上的导电布线(3)。形成在基材的正面或背面上的导电布线具有从基材暴露于外部的表面，该表面位于与基材的形成有导电布线的表面处于同一平面的位置或位于基材的形成有导电布线的表面内侧的位置。
路基电子器件配置用于制造工艺

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