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[发明专利]玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘-CN202211718846.X在审
发明人：梁宸;李海青;谭会会;臧向荣;刘征;赵世柯;蔡安富 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： C03C10/00 文献下载
摘要：本发明涉及玻璃陶瓷制造及静电卡盘技术领域，公开了一种玻璃陶瓷及其制备方法与静电卡盘。本发明提供的玻璃陶瓷，以所述玻璃陶瓷的总重为基准，以氧化物计，所述玻璃陶瓷的化学组成包括：二氧化硅23‑36wt％、氧化钙8‑18wt％、氧化锌5‑18wt％、氧化铝8‑16wt％、氧化硼0‑9wt％、第一助剂4‑15wt％和第二助剂12‑28wt％；其中，所述第一助剂选自氧化钡和/或氧化锶；所述第二助剂选自二氧化钛、二氧化锆和五氧化二磷中的至少一种；(氧化钙+第一助剂)：(二氧化硅+氧化硼)的重量比≥0.5。该玻璃陶瓷能够兼顾低烧结温度和电绝缘性能，与氧化铝基底的烧结亲和性好，能够很好满足电极层采用低熔点材料的静电卡盘对电介质层材料的性能要求。
玻璃陶瓷及其制备方法静电卡盘

[发明专利]微波体衰减陶瓷材料及其制备方法和应用-CN202010630856.2在审
发明人：鲁燕萍;杨艳玲;臧向荣;刘钊;王帅 -专利权人：中国电子科技集团公司第十二研究所
申请日： 2020-07-03 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C04B35/582 文献下载
摘要：本发明公开了一种微波体衰减陶瓷材料，该陶瓷材料包括基体相和微波衰减相，所述微波衰减相的平均粒径为1‑2μm；所述微波衰减相均匀地分布在所述基体相的晶粒间界，形成了晶界网络结构。该微波体衰减材料制备得到的大功率高频微波真空电子器件具有高导热率和好的衰减量。本发明还公开了该微波体衰减陶瓷材料的制备方法和应用。
微波衰减陶瓷材料及其制备方法应用

[发明专利]Mg-Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法-CN201610524513.1有效
发明人：马卫兵;臧向荣;李娜;王燕云;尤博仟 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-07-05 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种Mg‑Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷，其化学式为Mg_xBi_4‑xTi_3‑xNb_xO₁₂,式中x＝0.1～0.4。先将原料Bi₂O₃、TiO₂、(MgCO₃)₄·Mg(OH)₂·5H₂O和Nb₂O₅按Mg_xBi_4‑xTi_3‑xNb_xO₁₂其中x＝0.1～0.4的化学计量比，混合后球磨6h，再于90℃烘干，研磨，过筛；再于800℃合成，并进行二次球磨12h，再烘干，研磨，过筛，再外加质量百分比为7wt.％的聚乙烯醇水溶液进行造粒，压柱均化，捣碎，研磨过筛，压制成型为坯体；坯体于650℃保温1h，进行有机物排除；再于1000～1100℃烧结，制得Mg‑Nb掺杂钛酸铋微波介质陶瓷。本发明在较低烧结温度下制备出了高介电常数的钛酸铋微波介质陶瓷，降低了钛酸铋的介电损耗，提高了制品性能，最佳烧结温度为1050℃，其ε_r＝125、Q×f＝632GHz。
mg nb 掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法

[发明专利]碳酸钙掺杂钛酸铋微波介质陶瓷-CN201610436569.1有效
发明人：马卫兵;赵怀党;臧向荣;郭靖栋;马民杰 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-06-14 - 公布日： 2018-08-21 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种CaCO3掺杂钛酸铋微波介质陶瓷及其制备方法，其化学计量式为CaxBi4‑xTi3O12‑0.5x，式中x＝0.6～1.4。本发明以钛酸铋微波介质陶瓷为基础，采用传统的固相反应法，加入CaCO3来改善微波性能，提高Q×f值，制备出具有较好综合性能的CaxBi4‑xTi3O12‑0.5x微波介质陶瓷材料。提供了一种烧结温度相对较低、综合性能好的微波陶瓷，最佳烧结温度为1050℃，其εr＝166、Q×f＝704GHz。本发明主要作为介质谐振器和滤波器应用于低频(f<4GHz)的民用移动通信系统中，降低了成本，减少了污染。
碳酸钙掺杂钛酸铋微波介质陶瓷

[发明专利]高居里温度无铅SNKBT压电陶瓷及其制备方法-CN201610375370.2有效
发明人：马卫兵;李娜;臧向荣;王燕云 -专利权人：天津大学
申请日： 2016-05-31 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种高居里温度无铅SNKBT压电陶瓷，其化学式为Sr0.9(Na0.5‑xKxBi0.5)0.1Bi4Ti4O15，其中x＝0.12～0.32wt.％。先将原料Na2CO3、K2CO3、SrCO3、TiO2,和Bi2O3按其化学计量比配料，球磨4h，再经烘干、过筛，于850℃合成；再进行二次球磨，烘干，过筛，外加质量百分比为7wt.％的聚乙烯醇水溶液造粒，压力成型为坯件；坯件排胶后于1100℃烧结，再将压电陶瓷上下表面涂覆银浆进行银层烧渗，于170℃的硅油中，在电场强度10KV/mm下极化5～10min，制得高居里温度无铅SNKBT压电陶瓷。本发明克服了制备工艺中需要掺杂其它元素、大量取代而获得高压电性能的缺点，同时该体系降低了陶瓷的矫顽场和极化不充分导致的低压电性能，完善了制备工艺，提高了压电性能。
压电陶瓷无铅制备工艺极化烘干过筛坯件聚乙烯醇水溶液化学计量比质量百分比高压电二次球磨上下表面压电性能压力成型烧结低压电矫顽场硅油排胶球磨烧渗涂覆银层银浆造粒制备掺杂陶瓷合成