专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]SAW物理仿真的方法、系统和相关设备-CN202211107089.2有效
  • 杨睿智;胡锦钊;李帅;袁军平;陈柔筱;张磊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-09-09 - 2023-07-04 - G06F30/30
  • 本发明属于无线通讯领域,尤其涉及一种SAW物理仿真的方法、系统和相关设备,所述方法包括:确定指条的基本参数;根据基本参数按照预设空间位置构建不同的仿真指条对象;将不同的仿真指条对象按照预设电学规则连接,得到多个仿真谐振器对象,并计算每一个仿真谐振器对象的电学响应参数;将不同的仿真谐振器对象按照预设电学规则与电路匹配元件对象连接,得到仿真滤波器单元,并根据连接使用的仿真谐振器对象对应的电学响应参数计算仿真滤波器单元的总体电学响应参数;将仿真滤波器单元按照预设电学规则与射频前端对象的散射矩阵进行耦合,得到以仿真滤波器单元构成的仿真射频前端模组的物理仿真结果。本发明实现了SAW物理仿真方案的整合。
  • saw物理仿真方法系统相关设备
  • [实用新型]滤波器的晶圆级封装模组及射频模组-CN202320324588.0有效
  • 胡锦钊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2023-02-20 - 2023-07-04 - H03H1/00
  • 本实用新型公开了一种滤波器的晶圆级封装模组及射频模组,其中,所述滤波器的晶圆级封装模组包括:衬底,所述衬底的其中一面作为安装面;谐振器,所述谐振器固定于所述安装面;围堰,所述围堰呈环状结构,所述围堰固定于所述安装面并环绕所述谐振器间隔设置,所述围堰的内侧面为不平整的面;锡球组件,所述锡球组件包括多个且间隔固定于所述安装面;盖板,所述盖板固定于所述围堰远离所述衬底的一侧并与所述衬底及所述围堰共同围设形成空腔;所述锡球组件穿过所述盖板向外延伸。本实施例中的滤波器的晶圆级封装模组可以吸收谐振器发射的多余声表面波,以降低声表面波被反射导致出现杂波的可能性,并提升谐振器的Q值,从而提升滤波器的性能。
  • 滤波器晶圆级封装模组射频
  • [发明专利]双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组-CN202310153489.5在审
  • 胡锦钊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-06-06 - H03H3/007
  • 本发明提供了一种双工器晶圆级的封装方法、封装结构及射频模组,封装方法包括以下步骤:S1、提供压电衬底;S2、通过光刻工艺在压电衬底上制作第一插指组件和第二插指组件;S3、通过光刻工艺在压电衬底上制出第一围堰和第二围堰;S4、通过光刻工艺形成同时盖设于第一围堰和第二围堰的盖板,并在盖板上通过光刻工艺形成第一缺口、第二缺口和第三缺口;S5、通过电镀工艺在压电衬底对应第一缺口、第二缺口及第三缺口的位置分别电镀第一填充层、第二填充层及第三填充层,S6、在第一填充层和第三填充层上分别生长锡球,完成封装。本发明双工器晶圆级的封装方法制造的双工器的结构简单,空间隔离性能,降低空间的电磁串扰,便于提高双工器的隔离度。
  • 双工器晶圆级封装方法结构射频模组
  • [发明专利]异质集成弹性波滤波器和射频芯片-CN202211741603.8在审
  • 胡锦钊;张磊;杨睿智;李帅;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-05-30 - H03H1/00
  • 本发明提供了一种异质集成弹性波滤波器和射频芯片,异质集成弹性波滤波器包括压电衬底、声表面波谐振器和横向激励薄膜体声波谐振器;压电衬底包括支撑层、牺牲层和压电层,牺牲层为多晶硅或二氧化硅制成;压电层为压电材料制成;声表面波谐振器包括第一叉指换能器和第一汇流条;横向激励薄膜体声波谐振器包括第二叉指换能器和第二汇流条,第二汇流条分别与第二叉指换能器和第一汇流条电连接;压电衬底还设有由牺牲层刻蚀形成的空腔,横向激励薄膜体声波谐振器向压电衬底的正投影完全位于空腔内,声表面波谐振器向压电衬底的正投影完全位于空腔范围以外。与相关技术相比,本发明的技术方案的工作频率范围宽、带外抑制性能好、集成度高且体积小。
  • 集成弹性滤波器射频芯片
  • [发明专利]声表面滤波器优化设计方法、相关设备和存储介质-CN202310216323.3在审
  • 胡锦钊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2023-02-27 - 2023-05-30 - G06F30/20
  • 本发明实施例提供了一种声表面滤波器优化设计方法、优化设计设备和计算机可读存储介质,所述声表面滤波器优化设计方法包括:建模得到模型,再输出优化参数,设置优化目标;判断插损参数是否满足与其对应的优化目标:若否,则将模型采用预设的第一优化函数进行计算并将计算出的结果更新优化参数,再返回上一步骤;若是,则将模型采用预设的第二优化函数进行计算,并将计算出的结果更新优化参数;判断带外抑制参数和插损参数是否同时满足相对于的优化目标:若否,则将返回上一步骤;若是,则输出模型的优化结果。与相关技术相比,采用本发明的技术方案可降低对初始值的依赖且优化结果的效果好。
  • 表面滤波器优化设计方法相关设备存储介质
  • [发明专利]滤波器的裸芯片封装结构及射频模组-CN202211700136.4在审
  • 胡锦钊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-05-26 - H03H9/10
  • 本发明实施例提供了一种滤波器的裸芯片封装结构及射频模组,滤波器的裸芯片封装结构包括:线路基板;衬底;叉指换能器与线路基板间隔设置;衬底锡球,所述衬底锡球包括多个,多个衬底锡球固定于衬底靠近线路基板的一侧,衬底锡球与叉指换能器间隔设置,衬底通过衬底锡球支撑固定于线路基板且形成电连接;至少部分衬底锡球采用的焊接材料的配比相异,以使不同位置的衬底锡球在同样的回流焊温度条件时下陷度相异,并使得衬底相对于线路基板呈倾斜设置,衬底与线路基板形成斜向空腔;盖板层,以及衬底保护层。本发明的滤波器的裸芯片封装结构的封装方便,生产效率高,模组质量良好。
  • 滤波器芯片封装结构射频模组
  • [发明专利]射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质-CN202310158113.3在审
  • 胡锦钊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2023-02-23 - 2023-05-05 - H01L21/50
  • 本发明提供了一种射频模组封装方法、射频模组和计算机可读存储介质。射频模组封装方法包括:在基板的相对两侧分别制作出多个焊盘和多个第二焊接点,焊盘和第二焊接点电连接,焊盘的位置与第一焊接点的位置一一对应;将预制的锡球在焊盘远离基板一侧进行植球;将裸芯片倒置盖设于基板并与基板间隔形成空腔,且使裸芯片的第一焊接点分别与对应的锡球进行焊接固定;在裸芯片远离基板的一侧贴合有机衬底保护层,并使有机衬底保护层沿裸芯片的周侧延伸至与基板贴合以覆盖裸芯片,再在有机衬底保护层远离基板的一侧进行注塑生成注塑层。采用本发明的技术方案可有效避免植球过程中对横向激励薄膜体声波滤波器的空腔造成损坏,封装工艺简单且可靠性高。
  • 射频模组封装方法计算机可读存储介质
  • [实用新型]滤波器的裸芯片封装模组及射频模组-CN202223609276.9有效
  • 胡锦钊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-12-28 - 2023-05-02 - H10N30/88
  • 本实用新型公开了一种滤波器的裸芯片封装模组及射频模组,其中,该滤波器的裸芯片封装模组包括:线路基板;衬底,衬底正对且间隔支撑于线路基板的其中一面;叉指换能器,叉指换能器固定于衬底靠近线路基板的一侧;衬底锡球组件,衬底锡球组件包括多个且间隔固定于衬底靠近线路基板的一侧;铜柱挡板,铜柱挡板固定于衬底靠近线路基板的一侧并与线路基板间隔设置;盖板层,盖板层盖设固定于线路基板并完全覆盖衬底;衬底保护层;衬底保护层夹设于盖板层与衬底之间。本实施例中的滤波器的裸芯片封装模组可以通过铜柱挡板阻挡盖板层的模料填充时向空腔溢流的现象,以保证空腔的洁净和叉指换能器的正常工作。
  • 滤波器芯片封装模组射频
  • [发明专利]晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片-CN202211626577.4在审
  • 胡锦钊;杨睿智;李帅;张磊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-12-16 - 2023-04-18 - H03H9/64
  • 本发明提供了一种晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片,晶圆级声表面波滤波器包括:衬底;插指组件,插指组件包括通过光刻丝印形成于衬底上插指、汇流条和金属板;围堰,围堰固定于衬底;盖板,盖板盖设于围堰上,盖板设有多个贯穿其上的通孔;金属柱,多个金属柱分别固定于衬底且分别插入对应的一个通孔内;金属共地层,金属共地层贴设于盖板远离插指组件的一侧,其中部分金属柱与金属共地层电连接以形成共地信号端,其中另一部分金属柱与金属共地层绝缘以形成信号输入端和信号输出端;以及锡球,每一个金属柱远离衬底的一端固定设置一个锡球。本发明晶圆级声表面波滤波器的结构简单,抗磨压性能良好,WLP封装可靠性高。
  • 晶圆级声表面波滤波器射频模组芯片
  • [发明专利]晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片-CN202211626578.9在审
  • 胡锦钊;周温涵;李帅;张磊;杨睿智;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-12-16 - 2023-03-21 - H03H9/64
  • 本发明提供了一种晶圆级声表面波滤波器及射频模组芯片,晶圆级声表面波滤波器包括:衬底;插指组件;围堰;盖板,盖板设有贯穿其上的多个通孔,多个通孔包括相对设置的多个第一通孔和一个第二通孔;金属柱,金属柱包括多个并位于围堰的内侧,多个金属柱分别固定于衬底且分别插入对应的至少一个第一通孔内;焊盘,焊盘固定于第二通孔内;焊球,焊球包括多个信号焊球和虚设焊球,每一金属柱远离衬底的一端固定一个信号焊球,焊盘上固定虚设焊球以及电感绕线,所述电感绕线绕设形成于所述盖板,且其两端分别连接于虚设焊球和任一信号焊球。本发明晶圆级声表面波滤波器的结构简单,提升射频模组中电感绕线电感的感值。
  • 晶圆级声表面波滤波器射频模组芯片
  • [发明专利]声表面波滤波器的制造方法及声表面波滤波器-CN202211631781.5在审
  • 胡锦钊;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-12-16 - 2023-03-21 - H03H3/08
  • 本发明适用于半导体加工制造领域,尤其涉及一种声表面波滤波器的制造方法及声表面波滤波器,所述制造方法包括:S1、获取用于声表面波滤波器制造的压电衬底;S2、在压电衬底的表面进行刻蚀,使压电衬底形成多个沟槽;S3、在每一沟槽中填充电极金属;S4、在每两个相邻的电极金属外露于压电衬底表面的露出部分以及压电衬底位于两个相邻的电极金属之间的表面镀上电极,使所述压电衬底表面形成多个叉指换能器;S5、在压电衬底表面镀上反射栅,得到用于声表面波滤波器的单个谐振器腔体;S6、将不同的谐振器腔体按照电学特性进行组合,以得到声表面波滤波器。本发明通过异形叉指换能器提高了声表面波滤波器的可用频率范围。
  • 表面波滤波器制造方法
  • [发明专利]声表面波滤波器的制造方法及声表面波滤波器-CN202211585469.7在审
  • 胡锦钊;李帅;张磊;杨睿智;郭嘉帅 - 深圳飞骧科技股份有限公司
  • 2022-12-09 - 2023-03-17 - H03H3/08
  • 本发明适用于半导体加工制造领域,提供了一种声表面波滤波器的制造方法及声表面波滤波器,所述声表面波滤波器由多个腔体组成,所述腔体包括:衬底,所述衬底表面具有多个沟槽;汇流条,所述汇流条固定于所述沟槽中,且所述汇流条的顶面高于所述衬底的表面;镀层,所述镀层覆盖相邻的所述汇流条的露出面之间的所述衬底的表面。本发明通过离子束刻蚀将汇流条下衬底刻蚀至一定深度,再通过离子束蒸镀或电镀填充金属材料以形成具有一定深度的汇流条的方法,使得汇流条边沿具有刻蚀截面,消除了原本声传播方向的连续势能面,最终使得汇流条产生的横向声表面波被减小、消除,降低了通带内抖动,从而提高了声表面波滤波器的通带性能。
  • 表面波滤波器制造方法

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