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[发明专利]一种异性堆叠石墨烯的制备方法-CN201811592551.6有效
发明人：陈达;李久荣;王刚;赵梦晗;胡绪瑞;朱伟 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：本发明公开了一种异性堆叠石墨烯的制备方法，包括如下步骤：准备绝缘或半导体的衬底；在衬底的表面制备层状分布的镍层和掺杂碳源层，并且使得镍层和掺杂碳源层直接接触；对掺杂碳源层进行加热，使得碳融入到镍层中，然后进行降温，使得镍层的一侧生长掺杂石墨烯，另一侧生长纯石墨烯；退火蒸发镍层，使得掺杂石墨烯和纯石墨烯呈层状分布且相互接触。在绝缘或半导体的衬底上生长层状的掺杂石墨烯和纯石墨烯，避免了后续的转移步骤，也就避免了损坏掺杂石墨烯和纯石墨烯。
一种异性堆叠石墨制备方法

[发明专利]一种在不透明基底上制备微结构的方法-CN201811147993.X有效
发明人：陶天骋;袁张瑾;金瑜洋;任玺谕;胡绪瑞;顾银炜;陶卫东;王刚 -专利权人：宁波市效实中学;宁波大学
申请日： 2018-09-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种在不透明基底上制备微结构的方法，该方法引入螺旋塔图案，该螺旋塔图案为标示连续排列成的阵列，该阵列在水平面的投影中，由左向右横向排列n个标示后，朝上竖向排列n个标示，接着由右向左横向排列n个标示，然后向下竖向排列n‑1个标示…依次循环而构成回形图，各相邻标示在水平投影上的间距均为a，且各标示分别比按排列顺序位于其前面的标示竖向上升高度b，其中5≤n≤8，从而能在不同高度尝试刻写，进而找到合适的焦点起始位置，继而能实现在不透明基底上的准确光刻。本发明加工速度快，精度高，灵活性强，可在不透明基底上制备各种微结构，且制备过程简单易操作。
一种不透明基底制备微结构方法

[发明专利]一种以掺杂石墨烯量子点为形核点制备掺杂石墨烯的方法-CN201910231028.9有效
发明人：王刚;胡绪瑞;李久荣;陈达;朱伟;赵梦晗 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-03-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种以掺杂石墨烯量子点为形核点制备掺杂石墨烯的方法，包括如下步骤：制备铜箔衬底，并依次进行清洗、干燥、退火及冷却，然后留作备用；制备掺杂石墨烯量子点，将其旋涂至铜箔衬底表面，自然干燥；放置于CVD热炉中，在氩气和氢气氛围下，通入甲烷，在1000℃条件下甲烷分解，以掺杂石墨烯量子点为形核点外延生长形成掺杂石墨烯；在掺杂石墨烯表面旋涂PMMA的有机溶液；对掺杂石墨烯表面进行烘干，掺杂石墨烯表面的有机溶剂挥发，形成PMMA保护层；将上述样品浸泡至过硫酸铵溶液中，将铜箔衬底腐蚀，然后取出用去离子水冲洗；将样品用滤纸转移至目标衬底，并进行烘烤，使得掺杂石墨烯与目标衬底粘结；将样品转移至丙酮溶液中溶解PMMA保护层。
一种掺杂石墨量子形核点制备方法

[发明专利]一种石墨烯图案的制作方法-CN201910574912.2在审
发明人：丁阿飞;陶卫东;胡绪瑞;范时鸣;王刚 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯图案的制作方法，在石墨烯生长衬底上利用光刻胶制作载具；按照设计图像对载具进行固化处理；去除载具中未固化的光刻胶，进而获取具有微结构载具的第一样品；将第一样品放置在CVD加热炉中，在微结构载具的限制作用下，生成石墨烯图案，进而获取第二样品；在第二样品的石墨烯上涂覆保护膜溶液，并生成保护膜，进而获取第三样品；将第三样品置于腐蚀石墨烯生长衬底的溶液中，腐蚀石墨烯生长衬底以获取第四样品；对第四样品进行清洗后放置在去除保护膜的溶液中，去除石墨烯图案上的保护膜，进而获取石墨烯图案。该石墨烯图案的制作方法操作过程简单，生成的石墨烯图案精确度高，并且该石墨烯图案的制作成本也低。
石墨烯图案载具保护膜衬底去除制作光刻胶微结构生长加热炉保护膜溶液腐蚀操作过程固化处理样品放置未固化涂覆清洗图像

[发明专利]一种低温立状石墨烯的生长方法-CN201811592574.7在审
发明人：王刚;李久荣;陈达;朱伟;胡绪瑞;赵梦晗 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：本发明公开了一种低温立状石墨烯的生长方法，包括如下步骤准备二氧化硅基片；将二氧化硅基片水平放置在石英管中，对石英管内进行抽真空，之后通入氢气和氩气，并加热石英管至450℃，开启等离子体射频源，以甲烷为碳源在二氧化硅基片表面进行等离子体增强化学气相沉积，形成柱状石墨烯，柱状石墨烯的宽度为0.2μm‑0.4μm。首先本发明选取了现有技术中不会采用的低温(450℃)进行等离子体增强化学气相沉积，降低了能耗以及反应要求，更适应于大规模推广，此外与区别于现有的行业认知，采用低于600℃，乃至低于500℃的反应条件形成了柱状石墨烯的纳米墙，确保了柱状石墨烯的形貌特征。此外柱状石墨烯的宽度比较小，与500℃条件下生成的柱状石墨烯宽度相似。
石墨烯柱状二氧化硅基片等离子体增强化学气相沉积石英管立状等离子体射频加热石英管氩气反应条件反应要求宽度比较形貌特征氢气生长抽真空甲烷能耗认知

[实用新型]半导体制冷片式电脑散热器-CN201521074498.2有效
发明人： 胡绪瑞;刘云萍 -专利权人： 胡绪瑞
申请日： 2015-12-20 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体制冷片式电脑散热器，包括半导体制冷片，所述半导体制冷片的冷端面连接电脑CPU的散热面，所述半导体制冷片的热端面连接有导冷翅片，所述导冷翅片连接有热导管组，所述热导管组连接至电脑机箱壳体。本实用新型结构简单合理，工作稳定可靠，散热效率高，使用寿命长，适于推广应用。
半导体制冷电脑散热器

[实用新型]普朗克常数测定装置-CN201521070989.X有效
发明人： 胡绪瑞;刘云萍;赵钦;冯晓琪;李逸群;朱婷婷 -专利权人： 胡绪瑞
申请日： 2015-12-20 - 公布日： 2016-05-04 - 主分类号： G09B23/22 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种普朗克常数测定装置，包括具有固定波长、用于提供光源的半导体激光器，所述半导体激光器连接有供电电源，所述半导体激光器的光发射端设置有感光模块，所述感光模块与所述半导体激光器之间设置有遮光装置，所述感光模块的信号输出端连接有电信号检测仪。本实用新型不但具有设备功耗小、使用寿命长的优点，而且整体结构设计小巧简单，测试使用方便，测试结果精确。
普朗克常数测定装置