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[发明专利]低温CVD生长二维半导体材料的方法-CN202310054707.X在审
发明人：颜泽毅;吴燕庆;黄春晖;胡城伟 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2023-02-03 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明提供一种低温CVD生长二维半导体材料的方法，采用直接在热受限目标衬底上低温生长二维半导体材料的方式，通过在钼源中混合低熔点稀散金属，使前驱体通过稀散金属共熔体的形式在较低的温度下蒸发，达到降低前驱体蒸发温度的目的，避免高温导致的介电层结晶漏电，同时避免因转移带来的褶皱、残胶以及试剂污染的引入。
低温 cvd 生长二维半导体材料方法

[发明专利]模拟神经网络中突触可塑性的光突触器件及其制备方法-CN202210301403.4在审
发明人：范斌斌;吴燕庆;李晟曼;邓香香;颜泽毅;黄春晖;胡城伟 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及半导体传感器技术领域，提供一种模拟神经网络中突触可塑性的光突触器件，包括：衬底；位于衬底上方的第一介电层；位于第一介电层上方的、由硫化钼薄膜构成的沟道层，并且所述硫化钼薄膜为单原子层厚度；位于沟道层上方两侧、并间隔开的源极电极层以及漏极电极层；以及位于沟道层上方、并形成于源极电极层与漏极电极层之间的空间范围内的第二介电层。其中，所述由硫化钼薄膜构成的沟道层具有1.2～1.9eV的可见光学带隙，在对栅极电极层施加栅极电压，并对器件施加可见光波段的光脉冲时，基于源漏极电极层施加读出电压，实现光突触器件对光刺激后的兴奋性突触后的电位模拟。
模拟神经网络突触可塑性器件及其制备方法

[发明专利]二维半导体材料的转移方法-CN202210274087.6在审
发明人：邓香香;黄春晖;颜泽毅;范斌斌;胡城伟;李晟曼;吴燕庆 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2022-03-20 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种二维半导体材料的转移方法，包括：在生长衬底上制备二维半导体材料，得到二维半导体材料/生长衬底结构；旋涂PMMA并加热固化得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/生长衬底的三层结构；保持转移环境湿度大于50％RH，将目标区域的PMMA固化胶层/二维半导体材料两层结构夹起贴附到目标衬底上，得到PMMA固化胶层/二维半导体材料/目标衬底三层结构，经室温静置、丙酮浸和去丙酮处理后，用氮气枪吹干，得到二维半导体材料/目标衬底的双层结构。本发明提出的高湿度环境下进行二维半导体材料的干法转移，既保证二硫化钼的转移效率，还避免褶皱和污染的引入，有效提升转移后单层二硫化钼半导体晶体管的电学性能。
二维半导体材料转移方法