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[发明专利]微型发光二极管显示器件及制备方法-CN202310077266.5有效
发明人：唐文昕;庄永漳;仉旭;胡双元;林长虹 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了微型发光二极管显示器件及制备方法，微型发光二极管显示器件包括：基板，基板具有触点；反射格栅层，反射格栅层具有阵列排布的多组凹槽；导电键合层，导电键合层位于基板与反射格栅层之间；绝缘层，绝缘层覆盖反射格栅层表面和凹槽侧壁；多个LED单元，LED单元位于凹槽内；触点上设有通孔，触点通过通孔与LED单元电性连接，以使LED单元单独被驱动。本申请通过选区外延制备LED单元，可以有效避免干法刻蚀或离子注入带来的LED单元侧壁损伤，同时更易实小尺寸台面，提高器件发光效率；同时，由于反射格栅层位于LED单元之间，还避免相邻像LED单元之间的光串扰，提高了显示器件的出光效率。
微型发光二极管显示器件制备方法

[发明专利]MicroLED显示器件及其制备方法-CN202211608392.0在审
发明人： 胡双元 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-12-14 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本申请公开了一种MicroLED显示器件及其制备方法，属于微显示技术领域，该MicroLED显示器件采用两次钝化的工艺，通过第一钝化层保护LED单元的侧壁，避免其产生表面态导致漏电增加；然后直接利用第一钝化层作为掩膜，无需另外设置掩膜即可在金属键合层形成孔槽，金属刻蚀后无需去除掩膜的工艺，不需要考虑去胶工艺对金属键合层的影响，因而键合金属的可选择范围更宽；在形成孔槽后，采用第二钝化层覆盖孔槽的侧壁，从而可以将侧壁暴露的键合金属覆盖，形成电学隔离，减少漏电，进而保障器件性能和可靠性。
microled 显示器件及其制备方法

[发明专利]一种微显示芯片及其制备方法-CN202211356839.X有效
发明人：卢子元;庄永漳;仉旭;胡双元;李海波 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及光学薄膜领域，具体涉及一种微显示芯片及其制备方法。包括：自发光层，发射第一颜色光；波长转换层，至少包括第一波长转换单元，叠加发光单元发出第二颜色光；第一透射反射层和/或第二透射反射层；第一透射反射层设置于自发光层与波长转换层之间；第二透射反射层设置于波长转换层的另一表面；第一透射反射层设置为对第一颜色光具有低反射率和高透射率且对第二颜色光具有高反射率和低透射率，第二透射反射层设置为对第一颜色光具有高反射率和低透射率且对第二颜色光具有低反射率和高透射率。本发明的微显示芯片能够有效提高转换光的吸光度和色纯度，继而得到更亮更纯的转换光谱。
一种显示芯片及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法-CN202210618918.7在审
发明人： 胡双元;庄永漳 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-06-07 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管显示结构及显示装置的制作方法，该方法包括：提供一外延衬底，外延衬底上具有LED外延功能层，所述LED外延功能层包括依次设置于所述外延衬底表面上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；在LED外延功能层上形成应力释放槽；提供一驱动基板，驱动基板包括多个所述的驱动芯片，该多个驱动芯片之间定义有划片道，将应力释放槽和划片道对准后进行金属键合；剥离外延衬底并露出所述应力释放槽。本发明在键合之前，通过对LED外延功能层进行图案化，能够大幅降低晶圆键合所造成的翘曲问题，大幅提升了生产良率，可制造性，以及器件可靠性。
微型发光二极管显示结构显示装置制作方法

[发明专利]微型发光二极管显示芯片及其制作方法-CN202210777014.9在审
发明人： 胡双元;庄永漳 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司;材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管显示芯片及其制作方法，微型发光二极管显示芯片包括：驱动基板，具有相对的第一表面和第二表面；LED外延层，键合于所述驱动基板的第一表面；以及应力补偿层，键合于所述驱动基板的第二表面，所述LED外延层和应力补偿层分别作用于驱动基板的应力相抵消。本发明通过在驱动基板相对LED外延层的另一侧设置应力补偿层，可以平衡LED外延层对驱动基板的应力，能够完全消除键合所带来的翘曲问题，同时对于键合温度，以及键合之后的工艺制程温度没有限制，大幅提升了良率，可制造性，以及器件可靠性。
微型发光二极管显示芯片及其制作方法

[发明专利]Micro LED显示器件及制备方法-CN202210552675.1有效
发明人： 胡双元;庄永漳 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2022-05-21 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了Micro LED显示器件及制备方法，属于Micro‑LED制造技术领域。Micro LED显示芯片包括：驱动面板；LED单元，通过触点单独驱动；钝化层，位于LED单元上，包括第一钝化层、第二钝化层和第三钝化层；第二反光层，形成于第二钝化层和第三钝化层上。本发明制备方法包括提供驱动面板，在驱动面板上形成LED单元；在LED单元上形成钝化层；在钝化层上形成反光层；并剥离第一反光层，保留第二反光层。本发明通过反光层将自发辐射光子阻挡，并只由顶部出射，完全阻止相邻像素间串扰的发生，被反光层反射回的光子由唯一的出射窗口逸出，大大提升了出光功率。
micro led 显示器件制备方法

[发明专利]一种周向分布电极的霍尔元件及其制备方法-CN202111615584.X有效
发明人： 胡双元;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种周向分布电极的霍尔元件及其制备方法，包括衬底、缓冲层和第一功能层和钝化层，第一功能层包括中心的第一预设区域、围绕其四周设置的第二预设区域，第一预设区域包括交叉设置的第一轴向区域和第二轴向区域，第二预设区域包括依次首尾相连的第三轴向区域、第五轴向区域、第四轴向区域和第六轴向区域；输入电极设置于第一轴向区域的两端；输出电极设置于第二轴向区域的两端；第三轴向区域设有第一测试电极，第四轴向区域设有第二测试电极；第五轴向区域设有第三测试电极，第六轴向区域设有第四测试电极。本发明集成3D霍尔元件，三维正交性好，可同时测量X、Y、Z轴三个方向的磁场强度，且有源区面积减小，空间分辨率大幅提升。
一种分布电极霍尔元件及其制备方法

[外观设计]开关-CN202230077776.9有效
发明人：胡志敏;胡双元;盛黎明 -专利权人：深圳市港源微键技术有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：开关。2.本外观设计产品的用途：用于控制电路的开关。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
开关

[外观设计]开关底座-CN202230078005.1有效
发明人：胡志敏;胡双元;盛黎明 -专利权人：深圳市港源微键技术有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： 13-03 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：开关底座。2.本外观设计产品的用途：用于控制电路开关的底座。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
开关底座

[发明专利]一种霍尔元件及其制备方法-CN202111633411.0在审
发明人： 胡双元;朱忻 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法，包括从下至上依次生长的衬底、缓冲层、第一功能层；第一功能层包括：第一感应区域包括第一轴向区域和第二轴向区域，第一轴向区域和第二轴向区域上均设有电源正极、电源负极和第一测试电极，第一测试电极位于电源正极、电源负极之间；第一功能层被第一轴向区域和第二轴向区域划分成多个第二感应区域，第二感应区域分别包括第三轴向区域和第四轴向区域，第三轴向区域和第四轴向区域上均设有输入电极、第二测试电极；钝化层位于电极之间。本发明的有益效果在于：集成3D霍尔元件，工艺简单，集成度高，三维正交性好，且通过采用先进工艺制程，可以使有源区面积减小，从而大幅提升空间分辨率。
一种霍尔元件及其制备方法

[发明专利]微型发光二极管显示装置及其制作方法-CN202111471747.1在审
发明人：庄永漳;仉旭;胡双元 -专利权人：镭昱光电科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-12-03 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L33/46 文献下载
摘要：本发明公开了一种微型发光二极管显示装置及其制作方法，该微型发光二极管显示装置包括基板和形成于所述基板上的可独立工作的多个LED单元，每个所述LED单元包括：可导电的键合层，形成于所述基板上；反射器层，形成于所述键合层上，反射器层上开设有贯穿其上下表面的电极连接孔；以及LED半导体层，形成于所述反射器层上；所述LED半导体层包括：第一掺杂型半导体层，形成于所述反射器层上，所述的键合层透过所述电极连接孔与所述的第一掺杂型半导体层电性连接；有源层，形成于所述第一掺杂型半导体层上；第二掺杂型半导体层，形成于所述有源层上。本发明通过在反射器层上设置电极连接孔，实现键合层与第一掺杂型半导体层之间的电性连接。
微型发光二极管显示装置及其制作方法

[实用新型]一种搅拌站污水处理系统-CN202121032130.5有效
发明人：肖洁;熊敏;杨小庆;陈莉;李明翀;胡双元;叶红学;夏金凤;杨世超;艾桃敏 -专利权人：中国葛洲坝集团三峡建设工程有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： C02F1/52 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种搅拌站污水处理系统，它包括污水处理站，所述污水处理站是由预沉池、沉淀池和清水池形成的多级沉淀池；所述预沉池的侧边上部设置有干化池；所述预沉池和沉淀池的隔板顶部设置有作业平台；所述预沉池为沉淀大颗粒渣滓、淤泥等物质，沉淀池为沉淀细颗粒的物质，清水池为经沉淀净化后的清水；所述清水池的内部安装有用于清水循环系统。本系统根据搅拌站生产排放的废污水，汇流进入预沉池及沉淀池，经多级沉淀处理变为清水，通过清水回用泵及管道引流进入搅拌站，可重复投入各生产部位冲洗、洒水降尘使用。
一种搅拌污水处理系统

[实用新型]一种超直径骨料拦截装置-CN202121032125.4有效
发明人：李明翀;刘传志;王玉辉;张飞;杨世超;叶红学;胡双元;秦兰;夏金凤;李学祝;艾桃敏 -专利权人：中国葛洲坝集团三峡建设工程有限公司
申请日： 2021-05-14 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： B07B1/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种超直径骨料拦截装置，它包括固定在自卸车的货箱尾端两侧的固定支架，位于两侧的固定支架之间插装配合有筛网；所述筛网将货箱的尾部进行阻挡。该装置可灵活调整筛网尺寸，按骨料级配要求将筛网安装于自卸车货箱内，自卸车下料时可直接拦截超直径的半成品骨料，具有结构简单、节省人工及机械成本、安拆方便等优点。
一种直径骨料拦截装置

[实用新型]用于制备InSb功能层的衬底结构-CN202120205263.1有效
发明人：颜建;胡双元;黄勇;李鑫;吴文俊 -专利权人：苏州矩阵光电有限公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01L43/04 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于制备InSb功能层的衬底结构，包括：III‑V族化合物半导体单晶衬底；缓冲层，生长在所述衬底上；过渡层，生长在所述缓冲层上并与所述缓冲层晶格常数匹配。根据本申请实施例的用于制备InSb功能层的衬底结构所制备的InSb霍尔元件，由于减少失配引起的InSb功能层的晶格失配位错密度，提升InSb功能层的晶体质量，从而有效提高InSb霍尔元件的性能。
用于制备 insb 功能衬底结构

[发明专利]一种斜井钢管运输方法-CN202110670607.0在审
发明人：罗康吉;尤绪华;王继飞;胡双元;谷明强;罗威;高得力;苏鹏;王彦锋;朱彬;付志刚;杨承彬 -专利权人：中国葛洲坝集团国际工程有限公司
申请日： 2021-06-17 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： E21F13/04 文献下载
摘要：本发明提供一种斜井钢管运输方法，将钢管节本体作为运输台车，利用卷扬机作为牵引力，通过滑轮组和地锚切换不同的牵引模式，将钢管节运输至安装位置。本方法在施工中得到了良好应用，使钢管在斜井运输中安全可靠性更好，运输效率更高，同时增大了工作空间，更利于钢管安装，减小了安全风险，提高了工作效率，加快是施工进度，节约了施工成本。
一种斜井钢管运输方法

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