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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子发射装置和设置有其的晶体管-CN201580050591.6有效
发明人：石川刚;胜野高志;副岛成雅 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2015-10-02 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：提供了一种其生产简单的光诱导电子发射装置。该电子发射装置(1)包括基板(12)和电子发射膜(14)。电子发射膜(14)被设置在基板(12)上方，并且具有在其中形成的开口(14A)。电子发射膜(14)被以使得当光辐照界定开口(14A)的边缘部分(14a)时，从这个边缘部分(14a)发射电子的方式配置。
电子发射装置设置晶体管

[发明专利]电子装置-CN201580040140.4在审
发明人：齐藤友美;胜野高志;上杉勉 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2015-09-17 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：电子装置具备基板、沟道部、第一电极、第二电极及形状变化生成部。沟道部设于基板上，包含通过形状变化而在金属相与绝缘体相之间进行相变的相变材料。第一电极设于沟道部上，并与沟道部的上表面的一部分电连接。第二电极设于沟道部上，并与沟道部的上表面的另一部分电连接。形状变化生成部构成为使沟道部产生形状变化。
电子装置

[发明专利]半导体装置-CN201210458371.5有效
发明人： 胜野高志;树神雅人;市川正;石井荣子 -专利权人：株式会社丰田中央研究所
申请日： 2012-11-14 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种在常闭状态下工作并具备高耐压和低导通电阻的半导体装置。在半导体装置（1）中，漏极（21）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电连接，源极（29）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层电绝缘且构成为可与形成于第二异质结面（34）的二维电子气层电连接，栅极部（28）与第二异质结面（34）相向，导通电极（25）构成为可与形成于第一异质结面（32）的二维电子气层及形成于第二异质结面（34）的二维电子气层这两者电连接。形成于第一异质结面（32）的二维电子气层的电子浓度比形成于第二异质结面（34）的二维电子气层的电子浓度大。
半导体装置

[发明专利]制造碳化硅半导体器件的方法-CN201110259637.9有效
发明人：远藤刚;宫原真一朗;森野友生;小西正树;藤原广和;森本淳;石川刚;胜野高志;渡边行彦 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2011-08-30 - 公布日： 2012-03-21 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底(1)上形成漂移层(2)；在漂移层(2)上形成基极层(3)；形成沟槽(6)以穿透所述基极层(3)，并到达所述漂移层(2)；修圆沟槽(6)的肩部角落和底部角落；利用有机膜(21)覆盖所述沟槽(6)的内壁；向基极层(3)的表面部分注入杂质；通过激活所注入的杂质来形成源极区(4)；以及在形成所述源极区(4)之后去除所述有机膜(21)。衬底(1)、漂移层(2)、基极层(3)和源极区(4)由碳化硅制成，在沟槽(6)被有机膜(21)覆盖的情况下执行杂质的注入和激活。
制造碳化硅半导体器件方法

[发明专利]具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置及其制造方法-CN201110045710.2有效
发明人：山本武雄;远藤刚;森本淳;藤原广和;渡边行彦;胜野高志;石川刚 -专利权人：株式会社电装;丰田自动车株式会社
申请日： 2011-02-23 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置，其包括：基板(1)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中所述基板包括主表面和背表面；漂移层(2)，其由碳化硅制成且具有第一导电类型，其中漂移层设置在基板的主表面上且具有比基板低的杂质浓度；肖特基电极(4)，其设置在漂移层上且与漂移层的表面肖特基接触；以及欧姆电极(5)，其设置在基板的背表面上。肖特基电极与漂移层直接接触，以使得肖特基电极的晶格与漂移层的晶格匹配。本发明还涉及一种具有肖特基势垒二极管的碳化硅半导体装置的制造方法。
具有肖特基势垒二极管碳化硅半导体装置及其制造方法

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