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[实用新型]具备除尘功能的玉米加工用自动投料机-CN202123105791.9有效
发明人： 肖彩华 -专利权人： 肖彩华
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： B65G65/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了具备除尘功能的玉米加工用自动投料机，涉及玉米加工技术领域。该具备除尘功能的玉米加工用自动投料机，包括放置板和投料机构，所述放置板上设置有投料机构，放置板的底部设置有固定机构，投料机构包括投料组件和除尘组件，投料组件可相对于放置板进行转动，除尘组件设置于投料组件内。一方面该装置可以将进行自动投料的投料组件拆卸下来，闲置时便于收纳，不占据空间同时也方便对投料组件内部的零件进行检修和清洁，另一方面除尘组件可以在投料组件进行自动投料的同时也对投料组件内部的灰尘进行清理，除尘组件加速投料组件内部的空气流通，灰尘从透气板内排出，最终达到除尘的效果。
具备除尘功能玉米工用自动投料

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其制造方法-CN201610559805.9在审
发明人：胡舜涛;张杰;肖彩华 -专利权人：上海源翌吉电子科技有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：绝缘栅双极型晶体管及其制造方法。本发明提供了一种IGBT及其制造方法，该IGBT包括：具有第一导电类型的衬底；具有第二导电类的基区，其形成于衬底的上表面；具有第一导电类型的发射区，其掺杂浓度大于衬底的掺杂浓度，形成于基区的上表面；发射极，形成于发射区的上表面；沟槽，其从衬底的上表面垂直延伸到衬底的中部，并与基区间隔设置，沟槽由多晶硅填充形成栅电极，多晶硅始于沟槽的底部并止于基区的上表面，多晶硅与衬底之间、以及多晶硅与基区之间形成有栅极氧化层；绝缘层，形成于栅电极的上表面；集电极区，形成于衬底的下表面；集电极，形成于集电极区的下表面。本发明可提高电流驱动能力，减小栅极沟道长度，把碳化硅‑氧化层界面态对沟道电子迁移率的变小的影响减至最小。
绝缘栅双极型晶体管及其制造方法

[发明专利]沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法-CN201610124586.1在审
发明人：张杰;肖彩华 -专利权人：上海源翌吉电子科技有限公司
申请日： 2016-03-04 - 公布日： 2016-07-20 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明揭示了一种沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，所述沟槽绝缘栅双极型晶体管IGBT包括：N‑型基区、P型基区、N+缓冲层、背P+发射区、N+集电区、栅氧化层、多晶栅、集电极、发射极、栅电极、P+型基区、载流子存储层、P‑型浮空层；所述N‑型基区、N+缓冲层、背P+发射区、集电极自上而下依次设置；所述N‑型基区的上部周边设有槽体，槽体内设置P‑型浮空层。本发明提出的沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，在传统的沟槽IGBT结构中引入载流子存储层存储层可以增大电子扩散，避免电流集中，增强电导调制；同时在沟槽栅的下端又附加了一层P‑型浮空层，可以起到分压的作用，提到器件的耐压。
沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法