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[发明专利]探针卡及WAT测试机台-CN202010078678.7有效
发明人：徐晶;肖尚刚;周波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-02-03 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明公开了一种WAT测试机台，包括WAT自动参数测试仪和自动探针台，WAT自动参数测试仪的测试头设置在自动探针台测试机台柜的顶部，测试机台柜内设有用于承载被测试晶圆的承载盘，晶圆装载柜与测试机台柜相邻；第一风源，其形成在所述测试头顶部；第二风源，其形成在所述顶部；第三风源，其形成在所述测试机台柜左侧壁；第四风源，其形成在所述晶圆装载柜右侧壁；其中，所述测试头中心设有第一风道，测试机台柜右侧壁和探针卡装载柜左侧壁密闭相邻且其间形成有第二风道。本发明克服了WAT测试机台现有技术方案带来的弊端，有效提高了晶圆的测试洁净度。
探针 wat 测试机台

[发明专利]MOS管阈值电压的WAT测试方法-CN201811323081.3有效
发明人： 肖尚刚;莫保章 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-11-08 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种MOS管阈值电压的WAT测试方法，其中，将一片晶圆划分为多个测试单元；对第一个测试单元内的MOS管进行阈值电压测试时，栅极电压从指定的起始电压开始扫描，从第二个测试单元开始，相同MOS管测试时栅极的起始扫描电压采用上一个测试单元中相同MOS管测试的阈值电压，直至所有测试单元完成测试。本发明将每个测试单元间相同MOS管的阈值电压Vt测试联系起来，前一个测试单元MOS管的阈值电压Vt作为后一个测试单元中相同MOS管栅极的起始扫描电压，这样可以快速定位到被测试MOS管的阈值电压Vt，避免重复的栅极电压扫描，从而大量节约阈值电压Vt的测试时间，提升测试效率WPH，实现WAT测试产能的提升。
mos 阈值电压 wat 测试方法

[发明专利]侦测WAT测试中电弧放电的装置和方法-CN202010053205.1在审
发明人： 肖尚刚;周波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2020-01-17 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种侦测WAT测试中电弧放电的方法包括如下步骤：步骤一、采用图像识别装置识别出测试键的测试前图像。步骤二、采用WAT测试机台对测试键上的各测试结构进行WAT测试。步骤三、采用图像识别装置识别出测试键的测试后图像。步骤四、比较测试前图像和测试后图像。如果测试前后图像中的测试结构的图像存在差异，则判断WAT测试中发生电弧放电并停止WAT测试。如果测试前后图像中的测试结构的图像不存在差异，则判断WAT测试中未发生电弧放电并继续下一条测试键的WAT测试。本发明还公开了一种侦测WAT测试中电弧放电的装置。本发明能在第一时间侦测电弧放电，从而最大化减轻电弧放电对晶圆质量的影响。
侦测 wat 测试电弧放电装置方法

[发明专利]共享接触孔及其刻蚀缺陷检测方法-CN201911106502.1在审
发明人：徐晶;肖尚刚;周波 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于半导体器件制造过程中的共享接触孔刻蚀缺陷检测方包括：在半导体器件中形成所述共享接触孔，共享接触孔下方是该半导体器件有源区，共享接触孔与该半导体器件多晶硅栅之间电性隔离；对共享接触孔进行电子束扫描缺陷检测的电压衬度模式检测判断是否存在刻蚀缺陷。本发明所提供技术方案解决目前现有监控方式面临着接触孔蚀刻工艺窗口监测的反馈时间长及灵敏度不够的问题。本发明采用短制程将多晶硅线换为绝缘介质(如氮化硅)线的方法，可跳过(不执行)多道离子注入且无需锗硅制程，无需设计额外测试图形或光罩，可实现在有源区和多晶硅栅共享接触孔上高灵敏度地对蚀刻工艺窗口进行监测。
共享接触及其刻蚀缺陷检测方法