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[发明专利]半导体装置-CN202311099723.7在审
发明人：丁琦;彭路露;李仁雄;黄俊;何坤芹 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2023-08-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本公开提供了一种半导体装置，其包括：电容器，设置在后段工艺(BEOL)层中；以及电感器，设置在后段工艺层上方的远后段工艺(Far‑BEOL)层中，其中，电感器堆叠在电容器上方并且电连接到电容器。根据本公开的半导体装置实现了电容器和电感器的单芯片堆叠集成，其中电容器和电感器可以占用相同的芯片面积，从而能够获得设计紧凑、高集成度、制造工艺简单等技术效果。
半导体装置

[发明专利]用于声学换能器的电学调控方法和声学换能器及制造方法-CN202310754113.X在审
发明人：易拥洁;曾怀望 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2023-06-25 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H04R9/06 文献下载
摘要：提供了一种用于声学换能器的电学调控方法、声学换能器及其制造方法。声学换能器包括薄膜结构，薄膜结构包括底电极、设置于底电极上的第一压电层以及设置于第一压电层上的第一电极层，方法包括：在声学换能器作为声学传感器操作时，通过第一中心电极和第一边缘电极中的第一者采集借助于第一压电层的压电效应产生的第一感测电信号，或者在声学换能器作为声学致动器操作时，向第一者施加第一控制电信号，向薄膜结构施加第一作用力；以及向第一中心电极和第一边缘电极中的第二者施加第一调节电信号，向薄膜结构施加第二作用力。
用于声学换能器电学调控方法制造

[发明专利]光学神经网络的全光非线性激活函数实现方法、装置-CN202010696295.6有效
发明人：李强;田野;刘胜平;赵洋;王玮;冯俊波;郭进 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： G06N3/067 文献下载
摘要：本发明公开了一种光学神经网络的全光非线性激活函数实现方法和装置。方法包括步骤：获取待处理信号光信号、与待处理信号光信号相干的参考光信号；将待处理信号光信号与参考光信号输入至第一移相模块，第一移相模块对待处理信号光信号与参考光信号进行移相操作得到第一阵列的光学信号；将第一阵列的光学信号输入光学干涉模块，在光学干涉模块中对第一阵列的光学信号进行非线性运算得到第二阵列的光学信号，第二阵列的光学信号作为待处理的信号光信号的非线性响应输出。本发明技术方案解决了已有光学非线性函数计算单元对光功率和跨阻放大器的要求高的问题，且参数可调能提供的非线性函数灵活可控。
光学神经网络非线性激活函数实现方法装置

[发明专利]一种自举开关电路和模数转换器-CN202111039319.1有效
发明人：秦鹏;汪浩鹏;高贤永;罗乐;曾怀望 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：本发明提供一种自举开关电路和模数转换器，模数转换器包括模数转换电路和自举开关电路，自举开关电路至少包括控制模块和自举模块；自举模块包括储能支路、第九NMOS管、第十NMOS管和控制单元；控制模块的输入端连接反相时钟信号，控制模块的输出端连接储能支路，储能支路中的储能电容连接第九NMOS管的漏极和第十NMOS管的源极；控制单元的输入端连接时钟信号，控制单元的输出端连接第九NMOS管的栅极和第十NMOS管的栅极；第九NMOS管的源极连接开关电路的控制端，第十NMOS管的漏极连接开关电路的输入端；自举模块对储能电压进行自举抬高开关电路的驱动电压。本发明能够提升自举开关电路的开关速度并提高线性度。
一种开关电路转换器

[发明专利]基于片上光开关和延迟线阵列的傅里叶变换光谱仪-CN202011166605.X有效
发明人：路侑锡;金里;蒋平;冯俊波;郭进;韩建忠;曹睿;吴月;刘其鑫 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-10-27 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G01J3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于片上光开关和延迟线阵列的傅里叶变换光谱仪，包括光学分束器、马赫‑增德尔干涉仪、光学耦合器和光电探测器，光学分束器用于将输入光信号分配为第一光信号和第二光信号；马赫‑增德尔干涉仪包括第一臂、第二臂和光开关阵列，第一臂用于传送第一光信号，第二臂用于传送第二光信号，光开关阵列级联在第一臂和第二臂中的至少一个臂上，用于形成延迟光程差，实现从0、ΔL、2ΔL、3ΔL、到(2N‑1)ΔL的光延迟控制；光学耦合器用于将第一臂传送的第一光信号和第二臂传送的第二光信号组合成干涉信号，光电探测器用于基于干涉信号的光学功率提供输出信号。本发明能实现大范围、高精度的傅里叶光谱移相控制，提高集成度和精度，减少芯片占用面积。
基于上光开关延迟线阵列傅里叶变换光谱仪

[发明专利]光学超构表面器件及其设计方法和制造方法-CN202310702245.8在审
发明人：李瑜;曹国威 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2023-06-13 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B1/00 文献下载
摘要：一种光学超构表面器件的设计方法，光学超构表面器件包括衬底和衬底上的周期性排列的多个超构结构单元，该方法包括：获取表示相应超构结构单元的单元图案，单元图案包括具有多个像素的像素阵列，每一个像素具有第一状态或第二状态；响应于确定超构结构单元的透射性能不满足预设条件，循环执行以下操作：确定多个像素各自的权值；基于权值，随机翻转多个像素中的一组一个或多个像素的状态以得到当前单元图案；并且基于对当前单元图案所表示的超构结构单元的光学仿真，选择性地维持多个像素各自的状态或将一组一个或多个像素的状态恢复为翻转之前的状态；响应于确定超构结构单元的透射性能满足预设条件，生成定义光学超构表面器件的描述信息。
光学表面器件及其设计方法制造

[发明专利]用于光学相控阵的波导光栅天线阵列及其制备方法-CN202011529276.0有效
发明人：吴蓓蓓;金里;路侑锡;刘其鑫 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-12-22 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：本发明提供一种用于光学相控阵的波导光栅天线阵列及其制备方法，包括：衬底；位于衬底上的波导光栅天线阵列，每条波导光栅天线包括基体波导和若干个光栅齿；覆盖层，覆盖于波导光栅天线阵列及衬底上，且位于波导光栅天线阵列上的覆盖层呈空间曲面形状，覆盖层的折射率介于波导光栅天线与空气的折射率之间。通过在波导光栅天线上覆盖覆盖层，且使位于波导光栅天线上的覆盖层呈空间曲面形状，当从波导光栅天线出射的光束经过曲面部和空气的界面时，根据光的折射定律，光束出射角将变大，使从波导光栅天线出射的光功率分布至更大的角度范围，使得光学相控阵扫描到大角度时仍具有较大的出射功率，提升了光学相控阵光束转向到大角度工作时的性能。
用于光学相控阵波导光栅天线阵列及其制备方法

[发明专利]带有PDAF功能的CMOS图像传感器-CN202111094166.0有效
发明人：丁琦;陈世杰 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明提供一种带有PDAF功能的CMOS图像传感器，包括：PDAF像素；其由上至下依次包括微透镜、介质导光层及衬底层；介质导光层中设置有金属栅格，将进入介质导光层中的光分成左右两部分，衬底层中由上至下依次设置有PDAF光电二极管及信号采集光电二极管。通过金属栅格将入射光一分为二，同时在衬底层中设置处于不同深度的光电二极管，基于不同深度的光电二极管可吸收不同颜色的光信号，可使分隔为左右两部分的入射光分别被采集，从而同时实现对焦信号与拍摄信号的采集，将自动对焦过程中损失的信号有效收集；另外，由于不需要将一个PDAF光电二极管一分为二实现聚焦，从而不存在井口变小，缓解满井容量急剧衰减、动态范围严重衰减的问题。
带有 pdaf 功能 cmos 图像传感器

[发明专利]一种单线激光雷达-CN201911379513.7有效
发明人：刘祖文;金里;蒋平;杨伟;路侑锡;刘祺鑫;曹睿;李同辉;杨米杰 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本发明提供了一种单线激光雷达，包含相邻设置的第一扩束准直透镜与第二扩束准直透镜，在第一扩束准直透镜的焦距位置设有激光探测器，且激光探测器的主探测光路与第一扩束准直透镜的光轴重合；在第二扩束准直透镜的焦距位置，偏离第二扩束准直透镜的光轴设置半导体激光模块。所述半导体激光模块集成了快轴和慢轴压缩透镜，经合理设计可发出圆高斯光束或近圆高斯光束；半导体激光模块的主光线与第二扩束准直透镜的光轴间距不超过激光探测器的探测面半径。
一种单线激光雷达

[发明专利]一种超线程光子计算结构-CN201911415675.1有效
发明人：田野;赵洋;王玮;刘胜平;李强;冯俊波;郭进;韩建忠 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G06E3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种超线程光子计算结构，包含分光系统、用于对光信息进行线性运算的光学调相网络，所述分光系统将所接收的光分束为信号光、A参考光与B参考光，A参考光与B参考光对应的光程差为A或B参考光的四分之一波长；分光系统对应信号光的输出光路与光学调相网络的输入光路连接；A或B参考光分束后，分别与光学调相网络的各输出光路连接，以形成两组干涉光；任一干涉光分像输出或分为两路含有互反相位分量的光输出，并对应光路连接至两个光探测器，且两个光探测器的输出做差运算即得运算结果。本发明能够在同一时间内实现输入一套数据，能够得到两套结果，达到算力翻倍的结果。
一种线程光子计算结构

[发明专利]一种基于马赫曾德尔调制器的调制方法-CN202111177859.6有效
发明人：谭旻;付强;邵斯竹;胡志朋;冯俊波 -专利权人：华中科技大学;联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G02F1/21 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于马赫曾德尔调制器的调制方法，属于光通信领域，包括：S1：将初始光信号输入马赫曾德尔调制器进行分束，以使马赫曾德尔调制器的上臂电极和下臂电极各载有一路待调制信号；S2：将上臂电极和下臂电极均进行等分分割得到的多个电极单元，并将多个电极单元按照预设方式进行分组得到多个电极组；S3：为多个电极组各配置一路NRZ信号进行驱动；每个电极单元的长度小于NRZ信号波长的十分之一；S4：将上臂电极对应的调制完成信号和下臂电极对应的调制完成信号进行合束得到多电平脉冲幅度调制信号，其电平幅度与预设方式对应。本发明能够降低调制过程中的电学驱动难度、提高调制信号有效摆幅，最终提高电光调制效率。
一种基于马赫曾德尔调制器调制方法

[发明专利]一种光子神经网络-CN202111116962.X有效
发明人：刘胜平;田野;李强;赵洋;王玮 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： G06E1/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种光子神经网络，包括激光器阵列、调制器阵列、第一合束器、调制器、分束器、延时线、第二合束器和探测器；激光器阵列发出多束波长不同的激光；调制器阵列对激光器阵列输出的激光进行调制，将卷积核的权重加载到激光器阵列发出的光上；该第一合束器将调制后的多束激光合束，得到第一光束；调制器对第一光束进行调制，将待处理信息加载到第一光束上；分束器将加载待处理信息的第一光束分束，得到波长不同的多束光；延时线使分束后的多束光产生等差延时；第二合束器将产生等差延时后的多束光合束，得到第二光束；探测器接收第二光束，实现信号的错位相加。减少了控制电路的数目，同时也消除了因性能差异导致的计算误差。
一种光子神经网络

[发明专利]TSV导电结构、半导体结构及制备方法-CN202011289012.2有效
发明人：陈世平;唐昭焕;陈世杰;吴罚;朱克宝;张斌 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种TSV导电结构、半导体结构及制备方法，TSV导电结构包括衬底、TSV导电柱及TSV导电块，TSV导电柱与TSV导电块为一体成型，TSV导电柱的一端显露于衬底，TSV导电柱的另一端与TSV导电块相接，且TSV导电块的横截面积大于TSV导电柱的横截面积，以及衬底显露TSV导电块，从而可在进行TSV导电结构的导电引出时，通过TSV导电块增大接触面积，以有效降低由对准偏差所带来的接触不良的风险概率，以及可有效降低互连失效的风险概率，TSV导电结构的深度均一性容忍度较高，应用范围较广，且制备工艺较简单，易于实施，制造成本较低。
tsv 导电结构半导体制备方法

[发明专利]制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路-CN202010440124.7有效
发明人：朱继光;金里 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-05-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：公开了一种制作半导体器件的方法、半导体器件和半导体集成电路。该方法包括：提供绝缘体上半导体衬底，所述绝缘体上半导体衬底包括第一衬底、第一绝缘层以及半导体层；对所述半导体层进行图案化以形成光栅耦合器；在所述半导体层背离所述第一绝缘层的一侧形成彼此堆叠的至少一个功能层，包括：形成第二绝缘层；以及在所述第二绝缘层的背离所述第一绝缘层一侧形成图案化导电层，其中所述图案化导电层包括反射性图案部分，并且所述光栅耦合器在所述第二绝缘层的上的正交投影位于所述反射性图案部分在所述第二绝缘层的上的正交投影内；将所述至少一个功能层与载体衬底进行键合；以及完全移除所述第一衬底。
制作半导体器件方法半导体集成电路

[发明专利]定向耦合器及基于氮化硅平台的光开关-CN202010102717.2有效
发明人：杨忠华;崔乃迪;杨明祥;梁宇鑫;冯靖;李智慧;廖海军;陈仙;冯俊波;郭进 -专利权人： 联合微电子中心有限责任公司
申请日： 2020-02-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G02F1/313 文献下载
摘要：本发明提供了一种定向耦合器及基于氮化硅平台的光开关，所述定向耦合器包括耦合器本体和设置在所述耦合器本体上的至少两个氮化硅波导，所述耦合器本体包括由电光材料构成的可调波导和为所述可调波导提供电场环境的电极组，所述至少两个氮化硅波导被所述可调波导间隔设置于耦合器本体的同一侧；所述光开关包括至少一个输入波导、至少两个输出波导和定向耦合器，所述至少一个输入波导连接一个氮化硅波导的输入端，每个所述输出波导对应连接一个氮化硅波导的输出端。本发明提出的基于氮化硅平台的光开关采用的定向耦合器结构使其具有开关速度快、性能稳定、尺寸小、工艺简单，能够与COMS工艺兼容的优点，有利于实现大规模光开关阵列。
定向耦合器基于氮化平台开关

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