“罗木昌”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种激光脉冲检测与测量输入级电路-CN202110495653.1在审
发明人： 罗木昌;袁扬;王朝龙;刘媛俐 -专利权人：上海嘉沃光电科技有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： G01S7/4861 文献下载
摘要：本发明公开了一种激光脉冲检测与测量输入级电路，涉及激光测距、激光成像领域，包括微分电路、比较器、SR锁存器和TOF测量电路，TOF测量电路包括第一开关、第二开关、第一采样电容、第二采样电容和双采样TAC电路。本发明采用微分电路代替传统的放大器，提高了电流检测的灵敏度，降低了电路的噪声；同时设计了一种双采样TAC电路，单帧能实现宽时间测量范围和高的时间测量精度。本发明可以实现光子到达时刻检测和光子飞行时间测量功能。
一种激光脉冲检测测量输入电路

[发明专利]一种高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法-CN201810922732.4有效
发明人：叶嗣荣;黄俊龙;刘昆;莫才平;田坤;罗木昌;申志辉;叶峻宏;张永川 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2018-08-14 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L27/144 文献下载
摘要：本发明属于探测器阵列的制作工艺技术领域，具体涉及一种高占空比背照式GaN探测器阵列及其制作方法，所述制作方法包括在GaN外延片上溅射Ni/Au层；在所述Ni/Au层上采用等离子体增强化学的气相沉淀法PECVD生长SiNx/SiO2膜；在所述SiNx/SiO2膜上涂覆光刻胶层；曝光显影，采用接触式曝光模式曝光探测器GaN外延片；采用电磁耦合等离子体ICP方法刻蚀SiNx/SiO2膜；采用电磁耦合等离子体ICP方法刻蚀GaN层；采用氢氟酸去除SiNx/SiO2膜及残余光刻胶；本发明本发明具有成本低、效率高、制作工艺简单等优点，在制作背照式GaN探测器阵列的技术领域内有突出的技术优势。
一种高占空背照式 gan 探测器阵列及其制作方法

[发明专利]一种图像传感单元电路和具有其的像元-CN201510391344.4有效
发明人： 罗木昌;王晶;荣磊 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所;北京立博信荣科技有限公司
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2019-10-11 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种新型的图像传感单元电路和具有其的像元，包括：图像传感单元电路，用于在高压型光电转换模块正常工作时，对高压型光电转换模块生成的电信号进行放大和输出；高压型光电转换模块与预设高压偏置提供端相连；高压保护模块，分别与高压型光电转换模块和图像传感单元电路相连，高压保护模块用于在高压型光电转换模块短路时，保护图像传感单元电路。本发明实施例具有高压保护功能，从而预设高压偏置提供端提供高电压例如100V时，图像传感单元电路不需要特殊高压工艺，在普通工艺下即可，保证了高压型光电转换模块的响应率，而且电路结构简单、面积小，保证了正常工作时的电路性能，有利于进行大规模集成。
一种新型图像传感单元电路具有

[发明专利]一种图像传感器及其信号处理电路-CN201510428776.8有效
发明人：刘晓磊;罗木昌;于海魁;荣磊 -专利权人：北京立博信荣科技有限公司;中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2015-07-20 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： H04N5/369 文献下载
摘要：本发明提供一种图像传感器及其信号处理电路，电路包括M个信号处理模块，每个模块包括列处理电路和分别与列处理电路相连的N个像素电路，列处理电路包括参考电流源与第一公共端相连；第一MOS管的源极与第一公共端相连，栅极和漏极相连；列公共电路与第一MOS管的栅极相连；每个像素电路包括开关模块一端与参考电流源、第一MOS管的漏极和列公共电路分别相连；第二MOS管的漏极和栅极相连，漏极与开关模块另一端相连，源极与第二公共端相连；第三MOS管的漏极与开关模块另一端相连，栅极与第二MOS管的栅极相连，源极与第二公共端相连；像素公共电路与第二MOS管的栅极和开关模块另一端分别相连。本发明均匀性好，串扰小。
一种图像传感器及其信号处理电路

[发明专利]p‑i‑n—‑n型GaN单光子雪崩探测器-CN201610978709.8有效
发明人：周勋;李艳炯;申志辉;王玺;叶嗣荣;罗木昌 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2016-11-08 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L31/107 文献下载
摘要：本发明提供一种p‑i‑n‑‑n型GaN单光子雪崩探测器，包括由上向下依次设置的p‑GaN上接触层、i‑GaN雪崩倍增层、n‑‑GaN空穴注入层和n‑AlGaN下接触层，其中所述n‑‑GaN空穴注入层为轻掺杂。本发明以n‑‑GaN/n‑AlGaN异质结取代传统pin型结构的n‑GaN层，n‑‑GaN作为吸收注入层，n‑AlGaN作为下接触层，既利于有源区外延材料的晶体质量改善，又能提高外量子效率和空穴少子注入效率，n‑‑GaN层的掺杂浓度、厚度等参数灵活可调，通过折衷优化可在较低工作偏压下获得极高的雪崩增益。
gan 光子雪崩探测器

[发明专利]带高压保护的雪崩焦平面图像传感器-CN201710084169.3在审
发明人： 罗木昌;申志辉;周勋 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2017-02-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H04N5/374 文献下载
摘要：本发明提出了一种带高压保护的雪崩焦平面图像传感器，其创新在于所述带高压保护的雪崩焦平面图像传感器由雪崩焦平面探测器阵列、CMOS读出电路和多个高压保护单元组成；本发明的有益技术效果是提出了一种带高压保护的雪崩焦平面图像传感器，该传感器内设置有高压保护单元，传感器正常工作时，高压保护单元对光生电流无影响，当雪崩焦平面探测器阵列发生短路时，高压保护单元可阻止高压和大电流进入CTIA型读出单元，对后级电路起到保护作用，高压保护单元采用常规的硅集成电路工艺制作，相比于耐高压CMOS工艺，本发明的工艺成本较低。
高压保护雪崩平面图像传感器

[实用新型]紫外雪崩二极管测试装置-CN201320642914.9有效
发明人：申志辉;罗木昌;周勋;龙维刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2013-10-18 - 公布日： 2014-03-19 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：一种紫外雪崩二极管测试装置，其结构为：所述测试装置由光源、导轨、光学组件、夹具和壳体组成；光源、光学组件和夹具顺次设置于导轨上，且光源、光学组件和夹具均与导轨滑动连接；壳体将光源、导轨、光学组件和夹具包裹在内；待测件设置于夹具上，待测件与一测试源表相连。本实用新型的有益技术效果是：结构简单、成本低廉，操作十分简单、方便，可满足对大批量器件进行高效测试的需求。
紫外雪崩二极管测试装置

[发明专利]紫外线指数监测模块-CN201310654529.0无效
发明人：周勋;罗木昌;申志辉;卢杰;龙维刚 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十四研究所
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2014-03-05 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明公开一种紫外线指数监测模块，包括探测器芯片及信号处理电路，所述探测器芯片用于将紫外辐射光电转换为光电流信号，所述信号处理电路用于对转换之后的光电流信号进行转换处理以得到紫外线指数；所述信号处理电路包括低噪声跨阻放大电路、A/D采样转换电路及紫外线指数计算电路，所述低噪声跨阻放大电路用于将光电流信号转换为电压信号，所述A/D采样转换电路用于将接收的电压信号转换为数字信号，所述紫外线指数计算电路用于根据所接收的数字信号并参照红斑作用光谱曲线对应的加权值计算紫外线指数。上述紫外线指数监测模块能够有效解决功能模块在智能手机、智能穿戴平台上的微型化集成、功耗、监测灵敏度、可靠性等问题。
紫外线指数监测模块

1
共 8 条