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[发明专利]集成组合件及形成集成组合件的方法-CN202280016890.8在审
发明人： 罗双强;王东;张瑞;邢达;李晓;张佩琼;曾皛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-02-03 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B41/30 文献下载
摘要：一些实施例包含一种组合件，其具有沿着存储器阵列区及接近所述存储器阵列区的另一区内的层阶分布的导电结构。所述导电结构包含含金属区之上的第一堆叠。半导体材料在所述第一堆叠内。第二堆叠在所述导电结构之上且包含交替导电层级及绝缘层级。单元材料柱在所述存储器阵列区内。所述单元材料柱包含通道材料。所述半导体材料直接接触所述通道材料。导电柱结构在所述另一区内。所述导电柱结构中的一些是虚设结构且具有完全沿着绝缘氧化物材料的底面。所述导电柱结构中的其它者是与CMOS电路系统电耦合的带电柱。一些实施例包含形成组合件的方法。
集成组合形成方法

[发明专利]具有延伸穿过交替材料的堆叠的导电柱的集成组合件-CN202080034289.2有效
发明人： 罗双强;I·V·恰雷;J·B·德胡特;R·J·克莱因 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-04-21 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一些实施例包含一种在导电节点上方具有导电宽阔区的集成组合件。所述导电节点包含第一组合物。所述导电宽阔区的底部表面包含是不同于所述第一组合物的组合物的第二组合物。堆叠位于所述导电宽阔区上方。所述堆叠包含交替的第一层级及第二层级。支柱结构垂直地延伸穿过所述堆叠。所述支柱结构中的每一者包含由绝缘衬里横向环绕的导电材料柱。所述柱中的至少一者延伸穿过所述导电宽阔区以直接接触所述导电节点中的一者。一些实施例包含形成集成组合件的方法。
具有延伸穿过交替材料堆叠导电集成组合

[发明专利]包含互连件的微电子装置及相关存储器装置和电子系统-CN202310389113.4在审
发明人： 罗双强;I·V·恰雷;M·K·拉玛萨哈亚姆 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-04-12 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请涉及包含互连件的微电子装置及相关存储器装置和电子系统。微电子装置包括堆叠结构，其包括各自包含布置成层的导电材料和绝缘材料的竖直交替序列的块，所述块中的至少一个包括：存储器阵列区，其水平区域内具有竖直延伸的存储器单元串；及阶梯区，其与所述存储器阵列区水平相邻。所述阶梯结构具有包括所述层的水平端的台阶；及水平插入于所述阶梯结构和所述存储器阵列区之间的顶峰子区。掩模结构上覆于所述堆叠结构且具有与所述导电材料和所述绝缘材料中的每一个不同的材料组成。经填充槽结构插入于所述堆叠结构的所述块之间，所述经填充槽结构中的至少一个包括具有竖直下伏于所述掩模结构的最上部边界的最上部边界的至少一个填充材料。
包含互连微电子装置相关存储器电子系统

[发明专利]一种贮丝柜出料流量控制装置及控制方法-CN202110386589.3有效
发明人：孟瑾;石怀忠;崔建华;朱丹;王伟;孟霞;高振华;王锡强;单德森;付恒;钱亚红;赵鹏;周旭东;郭濛濛;罗双强;齐嘉;王瑜琛;郭建叶;王大锋 -专利权人：河南中烟工业有限责任公司
申请日： 2021-04-12 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B65G43/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种贮丝柜出料流量控制装置及控制方法，贮丝柜包括第一出料皮带机、第二出料皮带机、尾料检测光电管、高度传感器、电控柜。底带电机设置为底带变频电机；底带上形成梯形烟丝料，梯形烟丝料从出料口处依次包括料头坡面、中间贮丝段和尾料坡面，中间贮丝段包括中间凹凸形段；尾料检测光电管设于柜体侧壁，且位于距离出料口的预设位置处；高度传感器设于第一出料皮带机或第二出料皮带机，用于采集第一出料皮带机或第二出料皮带机上烟丝层的实际高度H1；电控柜用于调控底带变频电机的运行频率和调控耙辊电机的运行方向。提高了贮丝柜出料流量的均匀性，全过程不需人工干预，减少堵料风险，提高生产线工艺稳定性。
一种贮丝柜出料流量控制装置方法

[发明专利]包含具有不同材料的支撑结构和接触结构的存储器装置-CN202310238227.9在审
发明人： 罗双强;J·霍普金斯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-13 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： G11C5/04 文献下载
摘要：本申请涉及包含具有不同材料的支撑结构和接触结构的存储器装置。设备中的一个包含：彼此上下定位的层次，所述层次包含相应存储器单元和用于所述存储器单元的控制栅极；第一柱，其延伸穿过所述层次且与所述控制栅极分离，所述第一柱包含第一电介质衬垫部分和邻近所述第一电介质衬垫部分的第一芯部分，所述第一电介质衬垫部分和所述第一芯部分沿所述第一柱的长度延伸；以及第二柱，其延伸穿过所述层次且与所述控制栅极分离，所述第二柱包含第二电介质衬垫部分和邻近所述第二电介质衬垫部分的第二芯部分，所述第二电介质衬垫部分和所述第二芯部分沿所述第二柱的长度延伸，其中所述第一芯部分和所述第二芯部分具有不同材料。
包含具有不同材料支撑结构接触存储器装置

[发明专利]一种真空回潮机运行状态监测方法及运行系统-CN202210753290.1有效
发明人：赵志伟;韩明;张跃民;王珺;陈亮;胡亚凯;宁小鹁;吴雪芹;朱建新;罗双强;韩慧丹;石怀忠;孟瑾;陈瑞清;盛军杰;李伟玮;付恒;王文飞;刘玉叶;陈媛园 -专利权人：河南中烟工业有限责任公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： A24B3/04 文献下载
摘要：本发明提供一种真空回潮机运行状态监测方法及运行系统，该方法包括：设置阀门到位检测设备在各自动控制阀上，用于检测各阀门的开启及关闭状态；对供水泵、排水泵、真空泵及运行电机进行运行电流检测，并将实时检测到的电流信息与预存的正常电流值进行比对，在超出范围时进行故障报警；在各水管路上设置温度传感器，在排水温度大于设定温度阈值时进行水温过高报警；在各水泵的出水侧设置压力传感器，以检测各水泵的循环水压力，并将实时检测到的循环水压力与预设的压力值相比对，在超出设定范围时进行故障报警。本发明能提高设备的检测效率和生产效率，减少人工成本。
一种真空回潮机运行状监测方法运行系统

[发明专利]形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统-CN202310231881.7在审
发明人： 罗双强;J·D·霍普金斯;陈洁薇;J·D·格林利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-03-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本申请涉及形成微电子装置的方法以及相关微电子装置、存储器装置和电子系统。微电子装置包含堆叠结构、狭槽结构和电介质材料。所述堆叠结构包含各自包含布置成层面的导电材料和绝缘材料的竖直交替序列的块。所述块中的至少一个包含阵列区和阶梯区，所述阵列区包含存储器单元串，所述阶梯区包含插入于阶梯结构与所述阵列区之间的顶峰子区。所述顶峰子区内的所述层面的最上部边界位于所述阵列区内的所述层面的最上部边界之下。所述狭槽结构插入于所述堆叠结构的所述块之间。所述电介质材料在所述堆叠结构的所述块上方和之间延伸。位于所述顶峰子区之上的所述电介质材料的部分的厚度大于位于所述阵列区之上的所述电介质材料的额外部分的厚度。
形成微电子装置方法以及相关存储器电子系统

[发明专利]包含阶梯结构的微电子装置及相关的存储器装置、电子系统及方法-CN202180084278.X在审
发明人： 罗双强;B·D·洛 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成阶层的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列，所述堆叠结构经划分成通过狭槽结构而彼此分离的块结构；楼梯结构，其在所述堆叠结构内，所述楼梯结构具有包括所述阶层的水平边缘的阶状部；导电接触结构，其与所述楼梯结构的所述阶状部接触；支撑柱结构，其延伸穿过所述堆叠结构；及额外狭槽结构，其在所述块结构中的一者内部分地延伸穿过所述堆叠结构，所述额外狭槽结构中的一者在水平邻近的支撑柱结构之间延伸且与所述水平邻近的支撑柱结构中的额外者相比更靠近所述水平邻近的支撑柱结构中的一者。还描述相关的微电子装置、存储器装置及电子系统。
包含阶梯结构微电子装置相关存储器电子系统方法

[发明专利]形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统-CN202180085079.0在审
发明人： 罗双强;J·D·霍普金斯;徐丽芳;N·M·洛梅利;I·V·恰雷;K·W·汤;王世聪 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H10B41/40 文献下载
摘要：一种微电子装置包括堆叠结构，所述堆叠结构包括以层级布置的导电材料及绝缘材料的竖直交替序列。堆叠结构具有通过第一电介质槽结构彼此分离的块。所述块中的每一者包括：两个顶区；体育场结构，其在第一水平方向上插入于两个顶区之间且包括各自具有包括所述堆叠结构的层级的边缘的梯级的相对阶梯结构；及两个桥区，其在正交于所述第一水平方向的第二水平方向上与体育场结构的相对侧相邻且具有与所述两个顶区的上表面基本上共面的上表面。至少一个第二电介质槽结构在第一水平方向上在体育场结构的水平边界内且部分竖直延伸穿过两个桥区中的每一者且使两个桥区中的每一者分段。还描述存储器装置、电子系统及形成微电子装置的方法。
形成微电子装置方法相关存储器电子系统

[发明专利]形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统-CN202180077602.5在审
发明人： 罗双强;I·V·恰雷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H10B43/27 文献下载
摘要：一种微电子装置包括：支柱结构，其包括半导电材料；接触结构，其与所述支柱结构的上部物理接触；及导电结构，其在所述接触结构之上且与所述接触结构物理接触。所述导电结构中的每一者包括具有第一宽度的上部及垂直插入于所述上部与所述接触结构之间的下部。所述下部具有渐缩轮廓以界定从在所述下部的最上边界处小于所述第一宽度的第二宽度变化到在所述下部的最下边界处小于所述第二宽度的第三宽度的额外宽度。还描述存储器装置、电子系统及形成微电子装置的方法。
形成微电子装置方法相关存储器电子系统

[发明专利]微电子装置及相关存储器装置和电子系统-CN202211696911.3在审
发明人： 罗双强;N·M·洛梅利 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及微电子装置以及相关存储器装置和电子系统。微电子装置包括：堆叠结构，其包括按层布置的竖直交替的导电结构和绝缘结构，每一个层分别包括一个导电结构和一个绝缘结构，堆叠结构具有通过经填充槽结构彼此分隔开的块；源极层结构，其下伏于堆叠结构且包括：经合并导电结构，其沿第一方向邻近于第一离散导电结构；以及第二离散导电结构，其沿第一方向且通过第一离散导电结构与经合并导电结构间隔开；第一支撑接触结构，其在第一离散导电结构上；及后续支撑接触结构，其在经合并导电结构上且沿第一方向邻近于第一支撑接触结构，经填充槽结构中的一个在经合并导电结构的至少一部分的竖直正上方。
微电子装置相关存储器电子系统

[发明专利]集成电路系统、包括存储器单元串的存储器电路系统和形成集成电路系统的方法-CN202211649824.2在审
发明人： 罗双强;C·拉森;张瑞 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请针对于集成电路系统、包括存储器单元串的存储器电路系统和形成集成电路系统的方法。包括存储器单元串的存储器电路系统包括横向间隔开的存储器块，其分别包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层面和导电层面。存储器单元的沟道材料串在存储器阵列区中延伸穿过所述绝缘层面和所述导电层面。所述横向间隔开的存储器块的所述绝缘层面和所述导电层面从所述存储器阵列区延伸到阶梯状区中。所述阶梯状区中的个别阶梯包括所述导电层面中的一个。导电通孔分别直接抵靠所述个别阶梯中的一个中的所述一个导电层面中的导电材料。所述阶梯状区中的绝缘体材料处于所述阶梯正上方。绝缘材料衬里周向环绕所述导电通孔个体并且沿着所述导电通孔个体在所述个别导电通孔与所述绝缘体材料之间竖向地延伸。所述绝缘材料衬里和所述绝缘体材料中的个体包括其间的界面。公开包含方法的其它实施例。
集成电路系统包括存储器单元电路形成方法

[发明专利]包含与阶梯结构相邻的隔离结构的微电子装置以及相关存储器装置、电子系统及方法-CN202180071378.9在审
发明人： 罗双强;I·V·恰雷;H·N·贾殷 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-14 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：一种微电子装置包括：堆叠结构，其包括布置成层级的导电结构及绝缘结构的垂直交替序列；阶梯结构，其在所述堆叠结构内，所述阶梯结构具有包括所述层级的水平边缘的台阶；第一绝缘材料，其垂直上覆于所述阶梯结构；导电接触结构，其包括延伸穿过所述第一绝缘材料且与所述阶梯结构的所述台阶接触的导电材料；及第二绝缘材料，其沿第一水平方向延伸于水平相邻导电接触结构之间且展现与所述第一绝缘材料不同的一或多个性质。还描述相关微电子装置、电子系统及方法。
包含阶梯结构相邻隔离微电子装置以及相关存储器电子系统方法

[发明专利]形成微电子装置的方法及相关微电子装置、存储器装置及电子系统-CN202180067129.2在审
发明人： 罗双强;I·V·恰雷;N·M·洛梅利;李晓 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2021-09-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H10B43/50 文献下载
摘要：一种形成微电子装置的方法包含形成微电子装置结构。所述微电子装置结构包含堆叠结构，其包括绝缘结构及与所述绝缘结构竖直交替的导电结构；支柱结构，其竖直地延伸穿过所述堆叠结构；蚀刻终止材料，其竖直地上覆于所述堆叠结构；及第一介电材料，其竖直地上覆于所述蚀刻终止材料。所述方法进一步包含移除所述第一介电材料、所述蚀刻终止材料及所述堆叠结构的上部区的部分，以形成插入所述支柱结构的水平相邻群组之间的沟槽；在所述沟槽内形成内衬材料；基本上用第二介电材料填充所述沟槽的其余部分以形成介电阻挡结构。
形成微电子装置方法相关存储器电子系统

[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法-CN202211456092.5在审
发明人： J·D·格林利;A·麦克蒂尔;R·J·克莱因;J·D·霍普金斯;N·M·洛梅利;李晓;A·N·斯卡伯勒;陈洁薇;刘乃铭;罗双强;S·博尔萨里;J·M·梅尔德里姆;胡申 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H10B41/35 文献下载
摘要：本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，所述横向间隔开的存储器块个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述存储器块中的所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串。穿阵列通孔TAV区包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的TAV构造。所述TAV构造个别地包括径向外绝缘内衬和在所述绝缘内衬的径向内侧的导电芯。所述绝缘内衬包括具有相对彼此不同的组合物的径向内绝缘材料和径向外绝缘材料。所述径向外绝缘材料处于径向外凹部中，所述径向外凹部相对于第二层处于第一层中。所述径向内绝缘材料沿着所述绝缘层和所述导电层竖向地延伸。公开了其它实施例，包含方法。
包括存储器单元阵列用于形成方法

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