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[发明专利]具有多隔膜厚度的横向激励薄膜体声波谐振器及制作方法-CN202080070413.0有效
发明人：温切斯拉夫·扬捷切夫;帕特里克·特纳;罗伯特·B·哈蒙德 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H10N30/87 文献下载
摘要：公开了滤波器器件和方法。滤波器器件包括具有表面的衬底。单晶压电板的背面附接到衬底的表面，单晶压电板的部分形成跨越衬底中的各个空腔的多个隔膜。导体图案在压电板的正面上形成，该导体图案包括多个谐振器的多个叉指换能器(IDT)。多个IDT中的至少一个第一IDT的交错指状物设置在具有第一厚度的隔膜上，并且多个IDT中的至少一个第二IDT的交错指状物设置在具有小于第一厚度的第二厚度的隔膜上。
具有隔膜厚度横向激励薄膜声波谐振器制作方法

[发明专利]声波设备-CN202180084809.5在审
发明人：木村哲也;文西斯拉夫·扬切夫;帕特里克·特纳;罗伯特·B·哈蒙德;维克多·普莱斯基;苏米亚·亚德拉帕利;布赖恩特·加西亚;杰森·约翰 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H03H9/25 文献下载
摘要：一种声波设备包括：空腔，在基板中；重叠区域，其中，相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的部分彼此相对；第一间隙区域，在第一母线和重叠区域之间，并且包括第一叉指电极，但不包括第二叉指电极；以及第二间隙区域，在第二母线和重叠区域之间，并且包括第二叉指电极，但不包括第一叉指电极。比率d/p为约0.5或更小，其中，d是压电层的厚度，并且p是相邻的第一叉指电极和第二叉指电极的中心之间的距离。空腔的第一壁位于第一母线或第一间隙区域下方，并且空腔的第二壁位于第二母线或第二间隙区域下方。
声波设备

[发明专利]用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器-CN202310511615.X在审
发明人：布莱恩特·加西亚;罗伯特·B·哈蒙德;帕特里克·特纳;尼尔·芬齐;维克多·普莱斯基;温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(1DT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
用于大功率应用横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器-CN202310512524.8在审
发明人：布莱恩特·加西亚;罗伯特·B·哈蒙德;帕特里克·特纳;尼尔·芬齐;维克多·普莱斯基;温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
用于大功率应用横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器-CN202310513628.0在审
发明人：布莱恩特·加西亚;罗伯特·B·哈蒙德;帕特里克·特纳;尼尔·芬齐;维克多·普莱斯基;温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
用于大功率应用横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器-CN202310513637.X在审
发明人：布莱恩特·加西亚;罗伯特·B·哈蒙德;帕特里克·特纳;尼尔·芬齐;维克多·普莱斯基;温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
用于大功率应用横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]声波器件-CN202180072183.6在审
发明人：甲斐诚二;罗伯特·B·哈蒙德;文西斯拉夫·扬切夫;帕特里克·特纳 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-10-22 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：一种声波器件包括压电层和串联臂谐振器和并联臂谐振器，该压电层包括铌酸锂或钽酸锂，串联臂谐振器和并联臂谐振器各自包括在所述压电层上的至少一对第一电极和第二电极。该声波器件使用处于第一厚度剪切模式的体波。串联臂谐振器中的压电层的第一部分的膜厚度不同于并联臂谐振器中的压电层的第二部分的膜厚度。在串联臂谐振器和并联臂谐振器中的每一个中，假设压电层的膜厚度为d并且彼此相邻的第一电极和第二电极的中心之间的距离为p，则比率d/p小于或等于约0.5。
声波器件

[发明专利]声波设备-CN202180080393.X在审
发明人：山根毅;帕特里克·特纳;文西斯拉夫·扬切夫;布赖恩特·加西亚;罗伯特·B·哈蒙德 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H03H9/145 文献下载
摘要：一种声波设备包括：支撑基板，包括顶表面和底表面以及空腔或气隙；压电层，在支撑基板上，并包括顶表面和底表面；以及电极，在压电层的顶表面上，并包括顶表面和底表面。电极的至少一部分在空腔或气隙上方，并且满足方程式0.002Tg≤0.5(Lb‑Ls)＜Te，其中，Ls是电极的顶表面的最大长度，Lb是电极的底表面的最大长度，Tg是压电层的顶表面和支撑基板的顶表面之间的距离，并且Te是电极的厚度。
声波设备

[发明专利]用于大功率应用的横向激励薄膜体声波谐振器-CN202080066592.0有效
发明人：布莱恩特·加西亚;罗伯特·B·哈蒙德;帕特里克·特纳;尼尔·芬齐;维克多·普莱斯基;温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-10-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：公开了声学谐振器和滤波器装置。声学谐振器包括具有表面的衬底和具有平行的正面和背面的单晶压电板，背面附接到所述衬底除所述压电板的部分外的表面上，该部分形成隔膜，隔膜跨越所述衬底中的空腔。叉指换能器(IDT)在单晶压电板的正面上形成，使得IDT的交错指状物设置在隔膜上。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号在隔膜中激发主声模。IDT交错指状物的厚度大于或等于压电板厚度的0.85倍。
用于大功率应用横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]固态装配型横向激励的薄膜体声波谐振器-CN201980077326.5在审
发明人：维克多·普莱斯基;苏米亚·扬德拉帕利;罗伯特·B·哈蒙德;布莱恩特·加西亚;帕特里克·特纳;杰森·约翰;温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：谐振公司
申请日： 2019-10-29 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H03H9/125 文献下载
摘要：公开了谐振器器件、滤波器器件和制造方法。谐振器器件包括基板和具有平行的正面和背面的单晶压电板。一声布拉格反射器，夹在基板的表面和单晶压电板的背面之间。一叉指换能器(IDT)，在正面上形成。IDT被配置为响应于施加到IDT的射频信号来激发压电板中的剪切声波。
固态装配横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]一种横向激励的薄膜体声波谐振器-CN201980039853.7在审
发明人：维克多·普莱斯基;苏米亚·扬德拉帕利;罗伯特·B·哈蒙德;布莱恩特·加西亚;帕特里克·特纳;杰森·约翰;温切斯拉夫·扬捷切夫 -专利权人：谐振公司
申请日： 2019-06-11 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H03H3/02 文献下载
摘要：公开了一种声学谐振器装置和滤波器。一滤波器，包括一衬底，以及具有平行的正面和背面的压电板，背面附接到衬底上。在所述正面上形成导体图案，导体图案包括相应的多个谐振器的多个叉指式换能器(IDT)，其中多个IDT中的每一个IDT的交错的指状物设置在所述压电板的相应部分上，所述压电板悬挂在与所述衬底中形成的一个或多个空腔上。所述多个谐振器包括并联谐振器和串联谐振器。设置在所述并联谐振器的IDT的指状物之间的第一介电层的第一厚度大于设置在所述串联谐振器的IDT的指状物之间的第二介电层的第二厚度。
一种横向激励薄膜声波谐振器

[发明专利]根据频率响应要求设计声微波滤波器的方法-CN201710958871.8有效
发明人：帕特里克·J·特纳;理查德·N·西尔弗;巴拉姆·奎策·安德烈斯·威廉森科尔特斯;库尔特·F·赖恩;尼尔·O·芬齐;罗伯特·B·哈蒙德 -专利权人：谐振公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H03H9/46 文献下载
摘要：本公开涉及根据频率响应要求设计声微波滤波器的方法。所述方法包括选择初始滤波器电路结构，所述结构包括包含至少一个谐振元件和至少一个其它电抗电路元件的多个电路元件；基于频率响应要求，选择无损电路响应变量；根据所选择的无损电路响应变量为每个电路元件选择值，以生成初始滤波器电路设计；将所述初始滤波器电路设计的所述谐振元件和另外的电抗电路元件变换成至少一个声谐振器模型，以生成声滤波器电路设计；为声滤波器电路设计增加寄生效应，以便产生预优化滤波器电路设计；优化预优化滤波器电路设计，以便产生最终滤波器电路设计；并且根据最终滤波器电路设计，构建声微波滤波器。
根据频率响应要求设计微波滤波器方法

[发明专利]根据频率响应需求设计声微波滤波器的方法-CN201711130193.2在审
发明人：理查德·N·西尔弗;库尔特·F·赖恩;尼尔·O·芬齐;罗伯特·B·哈蒙德 -专利权人：谐振公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H03H9/60 文献下载
摘要：本申请公开了根据频率响应需求设计声微波滤波器的方法。该方法包括基于频率响应需求选择滤波器部。滤波器部包括输入、输出及多个电路元件。电路元件具有成对的串联声谐振器和并联声谐振器，并且进一步具有额外的串联声谐振器和并联声谐振器中的至少一个。方法进一步包括选择每个电路元件的值，选择滤波器部的数量，以及级联所选择的数量的滤波器部以产生级联的滤波器电路设计，使得至少一对直接相邻的滤波器部通过输入或输出彼此连接。方法进一步包括向级联的滤波器电路设计增加寄生效应，以便产生预先优化的滤波器电路设计；优化预先优化的滤波器电路设计，以产生最终滤波器电路设计；并且基于最终滤波器电路设计，构造声微波滤波器。
根据频率响应需求设计微波滤波器方法

[发明专利]微波声波滤波器的改进设计-CN201480001750.9有效
发明人：理查德·N·西尔弗;库尔特·F·赖恩;尼尔·O·芬齐;罗伯特·B·哈蒙德 -专利权人：谐振公司
申请日： 2014-02-27 - 公布日： 2017-12-15 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种设计声微波滤波器(100)的方法包括基于频率响应需求选择滤波器部。所述滤波器部包括输入(106)、输出(108)以及多个电路元件。所述电路元件至少具有串联声谐振器(102a、104a)或并联声谐振器(102b、104b)。所述方法进一步包括选择每个电路元件的值，选择滤波器部的数量，以及级联所选择的数量的滤波器部以产生级联的滤波器电路设计，使得至少一对直接相邻的滤波器部通过其输入或其输出彼此连接。所述方法进一步包括向级联的滤波器电路设计增加寄生效应，以便产生预先优化的滤波器电路设计；优化预先优化的滤波器电路设计，以便产生最终滤波器电路设计；并且基于最终滤波器电路设计，构造声微波滤波器。
微波声波滤波器改进设计

[发明专利]微波声波滤波器的网络合成设计-CN201480001748.1有效
发明人：帕特里克·J·特纳;理查德·N·西尔弗;巴拉姆·奎策·安德烈斯·威廉森科尔特斯;库尔特·F·赖恩;尼尔·O·芬齐;罗伯特·B·哈蒙德 -专利权人：谐振公司
申请日： 2014-03-14 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： H03H9/46 文献下载
摘要：一种根据频率响应要求设计声微波滤波器的方法。所述方法包括选择初始滤波器电路结构，所述结构包括包含至少一个谐振元件和至少一个其它电抗电路元件的多个电路元件；基于频率响应要求，选择无损电路响应变量；根据所选择的无损电路响应变量为每个电路元件选择值，以生成初始滤波器电路设计；将所述初始滤波器电路设计的所述谐振元件和另外的电抗电路元件变换成至少一个声谐振器模型，以生成声滤波器电路设计；为声滤波器电路设计增加寄生效应，以便产生预优化滤波器电路设计；优化预优化滤波器电路设计，以便产生最终滤波器电路设计；并且根据最终滤波器电路设计，构建声微波滤波器。
微波声波滤波器网络合成设计

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