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[发明专利]在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备-CN201210287489.6有效
发明人： 约瑟夫·C·奥利桑;安东尼·丽奥 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01J37/141 文献下载
摘要：提供了在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备。一种在工件中注入离子的方法包括：产生离子束；将离子束调节到平面中的所需的平行度；测定所述平面中的所调节的离子束的离子束方向；绕垂直于所述平面的轴线将工件倾斜到相对于所测定的离子束方向的注入角度；以及对倾斜到注入角度的工件实施注入。
离子注入调节离子束平行方法设备

[发明专利]用于非直接加热阴极式离子源的阴极分装置-CN01809075.3无效
发明人： 约瑟夫·C·奥利桑;利奥·克劳斯;安东尼·丽奥;尼古拉斯·A·维尤托 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2001-04-25 - 公布日： 2003-10-22 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：非直接加热阴极式离子源的阴极被至少一个杆或钉支撑。阴极优选为盘状，支撑杆的直径小于阴极盘的直径以减少热传导和热辐射。在一个实施例中，阴极被单个杆在盘中心或中心附近支撑。为简单和稳定地夹紧和分离，支撑杆被一个弹簧夹夹持。阴极盘和支撑杆可制造成一块。一发射热电子化电子的丝极在靠近阴极处安装在支撑杆周围。
用于直接加热阴极离子源装置

[发明专利]在离子注入器中调节离子束平行的方法和设备-CN02106603.5无效
发明人： 约瑟夫·C·奥利桑;安东尼·丽奥 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2002-02-28 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：在工件(如半导体晶片)中注入离子的方法和设备，包括产生离子束，测定离子束的平行，根据测定的平行调节离子束到所需的平行程度，测定所调节的离子束的离子束方向，参照所测定的离子束方向以注入角度定向工件，以及使用参照所测定的离子束方向以注入角度定向的工件来实施注入。注入可以高度平行离子束来实施。
离子注入调节离子束平行方法设备

[发明专利]用于非直接加热阴极式离子源的控制系统-CN01808943.7有效
发明人： 约瑟夫·C·奥利桑;丹尼尔·迪斯塔索;安东尼·丽奥 -专利权人：瓦里安半导体设备联合公司
申请日： 2001-05-15 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01J27/02 文献下载
摘要：一非直接加热阴极式离子源，包括一个用于感测从弧光腔室抽出离子电流的抽出电流传感器和一个用于控制丝极电源、偏置电源和/或弧光电源的离子源控制器。离子源控制器可以比较感应抽出电流和参考抽出电流并计算出感应抽出电流和参考抽出电流之间的差值。控制非直接加热阴极式离子源的各个电源以使差值最小，这样就能使抽出电流基本上保持在一个恒定值。离子源控制器用一种控制算法，如一个闭合反馈回路，根据差值来控制各个电源。在第一种算法中，由偏置电源提供的偏置电流IB不断变化，以此来控制抽出电流IB。更进一步根据第一种控制算法，丝极电流IF和弧光电压VA保持恒定值。根据第二种控制算法，丝极电流IF不断变化，以此来控制抽出电流IE。更进一步根据第二种控制算法，偏置电流IB和弧光电压VA保持恒定值。
用于直接加热阴极离子源控制系统