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[发明专利]电子装置以及电子装置的安装结构-CN202080047076.3在审
发明人：土山寿朗;糟谷泰正;山崎达生 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2020-06-25 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：电子装置包括：电子元件，其具有在第1方向上隔开间隔的元件主面和元件背面，且在所述元件主面上配置有主面电极；树脂部件，其覆盖所述电子元件，且具有朝向与所述元件背面相同的方向的树脂背面；和导电部件，其支承所述电子元件且与所述电子元件导通。所述导电部件具有分别从所述树脂背面露出的第1露出面、第2露出面和第3露出面。所述树脂部件还具有分别从所述树脂背面立起并且彼此相连的第1树脂侧面和第2树脂侧面。从所述第1方向上看，所述第1露出面配置在所述第1树脂侧面与所述第2树脂侧面相连的角部。从所述第1方向上看，所述第2露出面在沿着所述第1树脂侧面的第2方向上与所述第1露出面并排。所述第3露出面在所述第2方向上位于所述第1露出面与所述第2露出面之间。从所述第1方向上看，所述第3露出面的面积比所述第1露出面和所述第2露出面各自的面积大。
电子装置以及安装结构

[发明专利]半导体装置-CN201510378917.X有效
发明人：芳我基治;吉田真悟;糟谷泰正;永原斗一;木村明宽;藤井贤治 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置。该半导体装置包括：层问绝缘膜，其形成在半导体基板上；最上层布线，其由铜构成且形成在所述层间绝缘膜上；钝化膜，其形成在所述最上层布线上，且具有使所述最上层布线的表面作为电极焊盘而选择性露出的焊盘开口；和焊线，其由铜构成，且直接接合于所述电极焊盘。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201080023252.6有效
发明人：芳我基治;吉田真悟;糟谷泰正;永原斗一;木村明宽;藤井贤治 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2010-06-17 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是提供一种半导体装置。该半导体装置包括：半导体芯片；电极焊盘，其由含铝的金属材料构成，且形成在所述半导体芯片的表面；电极引脚，其配置在所述半导体芯片的周围；焊线，其具有线状延伸的主体部、和形成在所述主体部的两端且与所述电极焊盘以及所述电极引脚分别接合的焊盘接合部以及引脚接合部；和树脂封装，其对所述半导体芯片、所述电极引脚以及所述焊线进行密封，所述焊线由铜构成，所述电极焊盘整体以及所述焊盘接合部整体被非透水膜呈一体地覆盖。
半导体装置

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201010170101.5有效
发明人：芳我基治;安永尚司;糟谷泰正 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2010-04-21 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： H01L23/10 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法，半导体装置包含：半导体芯片；与上述半导体芯片接合的固体板；以及介于上述半导体芯片与上述固体板之间、并由BiSn系材料构成的接合件，其中，上述接合件具有用于提高上述半导体芯片与上述固体板之间的热传导性的由Ag构成的热传导通路。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置、基板及半导体装置的制造方法-CN201010162179.2无效
发明人： 糟谷泰正;芳我基治;松原弘招 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2010-09-15 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，包含半导体芯片和芯片接合部(该芯片接合部具有通过焊锡粘接剂与半导体芯片的背面接合的接合面)。所述接合面的面积，小于所述半导体芯片的背面的面积。所述半导体装置最好包含多个延伸部，这些延伸部分别从所述接合面的周边，向着与所述接合面平行的方向延伸。即使为了将半导体芯片的背面与岛及片凸垫等芯片接合部的接合面接合而使用焊锡粘接剂时，也能够防止半导体芯片受到损伤。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法以及基板-CN200680030503.7有效
发明人：芳我基治;糟谷泰正;松原弘招 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-08-18 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明提供一种能够充分提高半导体芯片与基板之间的接合强度，且可确实防止由于热冲击或温度循环等造成断裂的发生的半导体装置。半导体装置具备半导体芯片、和具有该半导体芯片经由金属层接合的接合区域的基板。金属层具有Au－Sn－Ni合金层、和重叠于Au－Sn－Ni合金层的焊料层。Au－Sn－Ni合金层和焊料层的界面形成有凹凸。
半导体装置及其制造方法以及

[发明专利]半导体装置-CN200810002121.4有效
发明人： 糟谷泰正;芳我基治;安永尚司 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-01-15 - 公布日： 2008-07-23 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置，其具备：半导体芯片；顶料板，其通过焊料接合并搭载半导体芯片；多条引线，其与半导体芯片电导通；应力缓和层，其设于顶料板的搭载半导体芯片的面的背面，缓和作用于半导体芯片的应力；以及密封体，其至少密封半导体芯片。
半导体装置

[发明专利]接插件及半导体装置-CN200680020122.0有效
发明人： 糟谷泰正;藤井贞雅;芳我基治 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-06-02 - 公布日： 2008-06-04 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：提供一种可以防止绝缘性基板发生热翘曲的接插件和具备该接插件的半导体装置。接插件，与半导体芯片一起，向半导体装置所具备的该半导体装置的安装基板进行安装时，介于上述半导体芯片和上述安装基板之间。该接插件包括：由绝缘性树脂构成的绝缘性基板；岛，其形成在绝缘性基板的一个面上，通过粘接剂与半导体芯片的背面接合；放热焊盘，其在与绝缘性基板的一个面相反侧的另一面上，在相对于岛隔着绝缘性基板几乎对置的位置形成；放热通孔，其贯通绝缘性基板的一个面和另一个面之间而形成，将岛和放热焊盘可导热地连接。
插件半导体装置

[发明专利]半导体装置、基板及半导体装置的制造方法-CN200680013260.6有效
发明人： 糟谷泰正;芳我基治;松原弘招 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-06-01 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明的半导体装置，包含半导体芯片和芯片接合部(该芯片接合部具有通过焊锡粘接剂与半导体芯片的背面接合的接合面)。所述接合面的面积，小于所述半导体芯片的背面的面积。所述半导体装置最好包含多个延伸部，这些延伸部分别从所述接合面的周边，向着与所述接合面平行的方向延伸。即使为了将半导体芯片的背面与岛及片凸垫等芯片接合部的接合面接合而使用焊锡粘接剂时，也能够防止半导体芯片受到损伤。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置-CN200710161374.1有效
发明人：芳我基治;糟谷泰正 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2007-09-28 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明的半导体装置具备：形成在树脂制基板的一面上的岛部；配置在上述基板的另一面上的外部端子；形成在上述基板的上述另一面上并与上述岛部对置配置的导热垫；贯通上述基板的上述一面与上述另一面之间而形成、可传热地连接上述岛部与上述导热垫的传热部；和形成在上述基板的上述另一面上，并具有散热用开口部和端子用开口部的阻焊层，其中，上述散热用开口部按照在与上述导热垫的外周之间形成有间隙的方式开口，上述端子用开口部按照使上述外部端子露出的方式开口。
半导体装置

[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200680012102.9有效
发明人： 糟谷泰正;藤井贞雅 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2008-04-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：在本发明的半导体制造方法中，首先，在原基板的一个面，在跨规定切断线的区域形成一侧金属层。另外，在原基板的另一面，在与一侧金属层对置的位置形成另一侧金属层。接着，在跨切断线的位置，形成连续贯通另一侧金属层及原基板的连续贯通孔。然后，在另一侧金属层的表面、连续贯通孔的内面及内部端子的面对连续贯通孔面对的部分，覆盖金属镀层。之后，在将原基板分割成单个支承基板之前，将切断线上的另一侧金属层及该另一侧金属层上的金属镀层除去。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200410083390.X无效
发明人：中野博隆;糟谷泰正 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：一种半导体装置及其制造方法，在由芳香族聚酰胺无纺布环氧树脂薄膜构成的绝缘薄膜上一体形成粘接电极(64)和取出电极(65)，在该粘接电极(64)上方介由软焊料(67)安装半导体元件(70)，用金丝(69)接合半导体元件(70)的上面电极和取出电极(65)，用保护用合成树脂(73)进行树脂密封。另外，在上述绝缘薄膜的与上述粘接电极(64)和取出电极(65)的下面对应的部分设置比上述各下面的面积小的任意大小的开口(66)，取出电极(75)通过开口(66)接合在凸点(72)上，同时粘接电极(64)的下端面露出在大气中。因此，这种半导体装置，可减薄，并且散热性好。
半导体装置及其制造方法

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