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[发明专利]一种显示面板-CN201610835745.9有效
发明人：安德鲁·加布里埃尔·林兹勒;米歇尔·奥斯汀·麦卡锡;刘波 -专利权人：佛罗里达大学研究基金会
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2021-11-05 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明提供了关于稀释源极实现垂直有机发光晶体管的各个实施例。在各个实施例中，显示面板包括像素阵列。在一个实施例中，其中，至少一个像素包括开关晶体管以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管，其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光。所述驱动晶体管可以是稀释源极实现垂直有机发光晶体管(DS‑VOLET)。所述开关晶体管可以包括稀释源极实现垂直场效应晶体管(DS‑VFET)。在另一个实施例中，双稀释源极实现垂直场效应晶体管(DS‑VFET)包括第一DS‑VFET，所述第一DS‑VFET耦接至第二DS‑VFET。
一种显示面板

[发明专利]有源矩阵稀释源极实现垂直有机发光晶体管-CN201180064181.9有效
发明人：安德鲁·加布里埃尔·林兹勒;米歇尔·奥斯汀·麦卡锡;刘波 -专利权人：佛罗里达大学研究基金会
申请日： 2011-12-07 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供了关于稀释源极实现垂直有机发光晶体管的各个实施例。在各个实施例中，显示面板包括像素阵列。在一个实施例中，其中，至少一个像素包括开关晶体管以及耦接至所述开关晶体管的驱动晶体管，其中所述驱动晶体管经配置以响应于所述开关晶体管的启动而发光。所述驱动晶体管可以是稀释源极实现垂直有机发光晶体管（DS‑VOLET）。所述开关晶体管可以包括稀释源极实现垂直场效应晶体管（DS‑VFET）。在另一个实施例中，双稀释源极实现垂直场效应晶体管（DS‑VFET）包括第一DS‑VFET，所述第一DS‑VFET耦接至第二DS‑VFET。
有源矩阵稀释实现垂直有机发光晶体管