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- [发明专利]功率用半导体装置-CN201280067069.5有效
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寺井护;太田达雄;生田裕也;林建一;西村隆;筱原利彰
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三菱电机株式会社
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2012-01-25
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2017-06-30
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H01L25/07
- 本发明的目的在于得到一种不易在密封树脂中产生龟裂或者不易从基板引起剥离的可靠性高的功率用半导体装置。因此具备半导体元件基板(4)，形成有表面电极图案(2)；功率用半导体元件(5、6)，经由接合材料粘着于表面电极图案；分隔壁(9)，以包围功率用半导体元件的方式接合在表面电极图案上而设置；第一密封树脂(120)，填满该分隔壁的内侧，覆盖功率用半导体元件以及分隔壁内的表面电极图案；以及第二密封树脂(12)，覆盖分隔壁、第一密封树脂及从分隔壁向外露出了的半导体元件基板，第二密封树脂的弹性模量被设定为小于第一密封树脂的弹性模量，在分隔壁的未与表面电极图案接触的面具备中继端子用电极(8)，经由中继端子用电极引出从分隔壁内向分隔壁外的布线(130)。
- 功率半导体装置
- [发明专利]半导体模块-CN201210102703.6无效
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太田达雄;筱原利彰
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三菱电机株式会社
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2012-04-10
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2012-08-01
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H01L23/495
- 本发明的目的在于提供一种电极端子的可靠性高并且能够以低成本制造的半导体模块。本发明的半导体模块具备：绝缘板（2）；多个金属图案（22、23），在绝缘板（2）上彼此离开地形成；功率器件芯片（3），焊接在一个金属图案（22）上；引线框架（5），焊接在未焊接有功率器件芯片（3）的金属图案（23）上和功率器件芯片（3）上；外部主电极（51），设置于外围壳体（8），在未接合有功率器件芯片（3）的金属图案（23）上利用引线键合与引线框架（5）接合；密封树脂（7），利用灌注形成，密封功率器件芯片（3）、引线框架（5）、金属图案（22、23）。
- 半导体模块
- [发明专利]功率模块及其制造方法-CN201110206287.X无效
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筱原利彰
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三菱电机株式会社
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2011-07-22
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2012-05-09
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H01L23/00
- 本发明涉及功率模块及其制造方法，其目的在于提供一种能防止铝线接合部的可靠性的劣化，能实现Si、SiC器件的高温工作的功率模块。本发明的功率元件具备：绝缘衬底（5），被配置在盒体（8）内；功率元件（1），被接合在绝缘衬底（5）上；作为第一布线构件的布线构件（9），是第一侧面被接合于功率元件（1）的表面电极的、矩形筒状的金属；作为布线的铝线（3），在布线构件（9）的与第一侧面相向的第二侧面连接；以及密封材料（2），被填充在盒体（8）内，覆盖绝缘衬底（5）、功率元件（1）、布线构件（9）、铝线（3）。
- 功率模块及其制造方法
- [发明专利]功率模块-CN200910205197.1无效
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筱原利彰
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三菱电机株式会社
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2009-10-16
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2010-09-29
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H01L25/00
- 本发明的目的在于提供降低了电阻和热阻的功率模块。本发明以上部金属块和下部金属块夹入功率元件的表面电极和背面电极，具备：上部冷却通电块，其与该上部金属块的上表面连接，具有散热功能和导电性；下部冷却通电块，其与该下部金属块的下表面连接，具有散热功能和导电性。本发明的特征在于，具备：绝缘盒，其与该上部冷却通电块和该下部冷却通电块离开规定间隔，以与该上部冷却通电块连接的上部端子和与该下部冷却通电块连接的下部端子的一部分露出的方式，覆盖该功率元件、该上部金属块、该下部金属块、该上部冷却通电块、该下部冷却通电块。
- 功率模块
- [发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法-CN200810215882.8无效
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筱原利彰
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三菱电机株式会社
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2008-09-05
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2009-09-02
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H01L21/50
- 半导体装置及半导体装置的制造方法包括如下工序：准备基板(172)、与基板(172)留有间隔而配置且形成从一侧至另一侧的贯通孔的板状端子台(182)以及嵌入贯通孔并从端子台(182)突出的控制端子(153)；准备第1和第2金属模，前者形成有容纳基板(172)的第1凹部的第1金属模，后者形成有容纳端子台(182)的第2凹部以及可容纳设置在第2凹部内且从端子台(182)突出的控制端子(153)的第3凹部的第2金属模；在第1凹部内配置基板(172)；在第2凹部内配置端子台(182)，并在第3凹部内配置控制端子(153)，用端子台(182)封闭第2凹部的开口部；在由第1金属模和第2金属模夹持端子台(182)的周边部的状态，在基板(172)与端子台(182)之间充填树脂，在基板(172)上形成模塑树脂(174)。
- 半导体装置制造方法
- [发明专利]半导体模块-CN200610058960.9无效
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筱原利彰
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三菱电机株式会社
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2006-03-09
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2006-09-13
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H01L25/00
- 提供一种具备合适的绝缘空间距离和绝缘沿面距离的半导体模块。本发明的半导体模块(10)的特征在于，包括：半导体装置(12)和斗形的壳体(14)，半导体装置(12)具有，a)封固半导体元件、具有用来与散热器(16)抵接的主面(20)的封壳(18)；b)具有从封壳(18)的侧面(24)突出而向离开主面(20)的方向弯折的端子(26)；斗形的壳体(14)在底部(30)具备插通端子(26)的端子孔(32)，以端子(26)插通在端子孔(32)中的状态收容半导体装置(12)的封壳(18)；将绝缘性树脂(34)填充于壳体(14)和半导体装置(12)之间，至少将位于封壳(18)侧面的端子部分封固。
- 半导体模块
- [发明专利]半导体器件-CN200510081349.3有效
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西堀弘;筱原利彰;吉田健治
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三菱电机株式会社
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2005-06-27
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2006-04-05
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H01L23/14
- 本发明的课题是，在半导体器件组装时，提供一种减少在加热工序中所产生的底板的翘曲或变形的技术。在底板1内部形成增强板13。增强板13的材料使用Cu、Cu合金、Fe、Fe合金等比底板1的其它部位的材料(例如Al)的线膨胀系数低的材料。通过在底板1的内部形成线膨胀系数低的增强板13，减少了底板1的视在线膨胀系数。其结果是，由于底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差减小，故在加热工序中，可减少因底板1与绝缘基板2的线膨胀系数之差大而产生的底板1的翘曲。
- 半导体器件
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