专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体存储器件-CN02124600.9有效
  • 中村宽;今宫贤一;竹内健 - 株式会社东芝
  • 2002-06-28 - 2003-06-25 - G11C16/00
  • 一种半导体存储器件,其特征在于:具备多个存储器芯片MC1、MC2;与这些存储器芯片对应地设置,分别输出在电源投入后电源电压的值到达规定值时就变成为忙状态,在上述多个存储器芯片的初始化动作结束之前的期间内维持忙状态,在上述多个存储器芯片的初始化动作全部结束之后,就解除忙状态的I/O端子13。
  • 半导体存储器件
  • [发明专利]非易失性半导体存储装置-CN00131302.9无效
  • 竹内健;田中智晴;柴田升 - 株式会社东芝
  • 2000-09-28 - 2001-07-18 - H01L29/78
  • 在存储单元中,非易失地存储3值以上的数据。即便是使单元数据多值化,也不会增大数据电路的规模。数据电路2具有多个存储电路。一个是锁存电路LATCH1。另一个是电容器DLN(C1)。这些锁存电路LATCH1和电容器DLN(C1),起着暂时性地存储2位以上的写入/读出数据的作用。对于保持在电容器DLN(C1)上的数据来说,在那些由漏泄电流引起的数据变动成为问题的情况下,用锁存电路LATCH1进行刷新。
  • 非易失性半导体存储装置
  • [发明专利]多阈值存储器-CN98106251.2有效
  • 田中智晴;竹内健 - 东芝株式会社
  • 1998-01-26 - 1998-10-07 - G11C16/02
  • 本发明揭示一种多阈值存储器。包括可电写入至少具有清除状态和第一写入状态及第二写入状态的存储单元(M);和在所述存储单元(M)上外加写入电压,进行预定写入的写入动作,在所述写入动作后,确认所述存储单元(M)是否达到所述第一写入状态的第一写入确认动作,或者,在所述写入动作后,一边确认所述存储单元(M)是否达到所述第二写入状态的第二写入确认动作,一边进行数据写入的(2、3、6、7、9)。
  • 阈值存储器

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