“端木庆铎”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于硅微通道板基体整体氧化防变形约束装置-CN201810076698.3有效
发明人：王国政;袁云龙;王蓟;杨继凯;端木庆铎 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2018-01-26 - 公布日： 2019-06-18 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：用于硅微通道板基体整体氧化防变形约束装置属于光电子器件技术领域。现有技术无法避免硅微通道板基体氧化后发生变形。本发明之防变形约束装置其特征在于，左右两个护板夹持一个保持环，护板、保持环材质均为蓝宝石晶体，护板、保持环均为圆片状，且外径相等，护板中间区域均匀分布有气孔，护板的厚度为2～3mm，保持环的内径为25～30mm、厚度为350～400μm；卧式卡座呈长槽形，在槽内横向间隔分布若干卡槽，卡槽的宽度比左右两个护板以及一个保持环的总厚度大20～30μm；立式压筒的裙部开有条形气孔；卧式卡座、立式压筒的材质均为石英玻璃；两个护板与一个保持环能够落入一个卡槽中，或者由上下两个立式压筒对压固定，此时两个立式压筒裙部相向排布。整体氧化后硅微通道板平面度公差小于10μm。
护板硅微通道约束装置板基体防变形卡槽压筒卡座光电子器件蓝宝石晶体横向间隔石英玻璃条形气孔中间区域公差板平面长槽形宽度比圆片状夹持排布裙部相向相等变形

[发明专利]硅微通道板真空填蜡结构释放方法-CN201310092179.3无效
发明人：梁永照;柴进;杨继凯;王国政;端木庆铎 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2013-03-21 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：硅微通道板真空填蜡结构释放方法属于硅微细加工技术领域。现有技术工艺步骤较多，背部减薄消耗大量药品，且容易带来二次污染，石蜡填充效果差，盲孔率高，硅微通道板质量及成品率低。本发明在填蜡后抛光硅片背部，然后清洗并去蜡，其特征在于，所述填蜡工序是将经电化学腐蚀并清洗后的硅片与凝固状态的石蜡一同放入容器内，再将放置有所述硅片和石蜡的容器放入真空加热炉，抽真空后加热至所述石蜡熔化，熔化后的石蜡布满硅片正面，再将炉腔恢复常压，之后降温至室温。本发明填蜡充分，最后硅片的盲孔率仅为3.82×10-4%，硅微通道板质量及成品率大幅提高。另外，本发明不含硅片背部减薄工序，这也避免了药品的大量消耗和带来的二次污染。
通道真空结构释放方法

[发明专利]具有加强环的硅微通道板基体加工方法-CN201210590676.1无效
发明人：王蓟;王国政;端木庆铎;杨继凯 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-12-29 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：具有加强环的硅微通道板基体加工方法属于光电成像器件制造技术领域。现有技术背面减薄工序效率低，会破坏微通道，抛光工序存在微通道堵塞现象，所制作的硅微通道板基体没有加强环。本发明之方法由通过电化学腐蚀制作微通道阵列、通过硅片背面减薄使微通道通透、切圆形成硅微通道板基体加强环以及硅微通道板基体正面、背面抛光各工序组成。采用本发明获得的具有加强环的硅微通道板基体制作的硅微通道板，微通道通透，通道内部清洁无污染，表面平整光滑，通道长达320μm，通道截面形状近似正方形，边长仅8μm，长径比达40，边缘实体加强环有效强化硅微通道板的机械强度。
具有加强通道基体加工方法

[发明专利]微光像增强器组件反馈离子测试装置及方法-CN201210405060.2无效
发明人：李野;秦旭磊;付申成;端木庆铎 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2012-10-22 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： G01N15/08 文献下载
摘要：微光像增强器组件反馈离子测试装置及方法，属于光电成像器件领域，包括聚焦紫外光源、真空室、无阴极微光像增强器组件、离子导管、离子探测器、屏蔽盒；方法是：聚焦紫外光源通过紫外窗口入射到微通道板表面，激发出的电子使微光像增强器组件工作，微光像增强器组件中产生的反馈离子经加速后，经离子导管、隔离栅网进入离子探测器，输出信号经电荷放大器放大后输入到多道脉冲幅度分析器，通过脉冲幅度分析将离子脉冲信号与噪声信号进行分离，得到反馈离子脉冲信号幅度值，然后将信号幅值做为阈值输入到单道谱仪中，实现离子脉冲计数。该装置能够实现复杂电磁环境下的极微弱离子流检测，用于微光像增强器中防离子反馈膜离子阻透特性的测量。
微光增强组件反馈离子测试装置方法

[发明专利]在硅衬底上制作台阶生长Mg_xZn_1-xO薄膜的方法-CN201010244531.7无效
发明人：王新;向嵘;李野;王国政;端木庆铎;田景全 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：在硅衬底上制作台阶生长MgxZn1-xO薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术在硅衬底上引入缓冲层，要么在后续生长的MgxZn1-xO薄膜中引入外来杂质，要么造成MgxZn1-xO薄膜中的Mg原子或者Zn原子比例失调。本发明在硅衬底上生长MgxZn1-xO薄膜之前，在硅衬底表面制作规则分布的台阶，硅衬底表面因此被划分为顶层表面、底层表面两种，顶层表面、底层表面高度相差30～200nm，顶层表面面积之和小于底层表面面积之和。本发明用于在硅衬底上直接制备MgxZn1-xO薄膜。
衬底制作台阶生长 mg sub zn 薄膜方法

[发明专利]光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液-CN201010141527.8无效
发明人：王国政;付申成;端木庆铎 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2010-04-08 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： B81B1/00 文献下载
摘要：一种光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液，属于硅微细加工技术领域。已知技术中通过向氢氟酸电解液中添加作为表面活性剂的乙醇或者聚乙二醇辛基苯基醚，制备光辅助电化学腐蚀方法加工N型硅微通道阵列用腐蚀液，使用这种腐蚀液在腐蚀过程中会导致严重的侧蚀。本发明之腐蚀液为氢氟酸、乙醇水溶液，氢氟酸浓度为1～10wt％，乙醇浓度为5～10wt％；另外加入阴离子表面活性剂，加入量为所述氢氟酸、乙醇水溶液体积的0.1～1％。用于N型宏孔硅微通道阵列的加工。
辅助电化学腐蚀方法加工型硅微通道阵列

[发明专利]具有Al₂O₃缓冲层的硅衬底Mg_xZn_1-xO薄膜磁控溅射制备方法-CN200910066945.2无效
发明人：王新;李野;姜德龙;向嵘;王国政;端木庆铎;田景全 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：具有Al₂O₃缓冲层的硅衬底Mg_xZn_1-xO薄膜磁控溅射制备方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有技术通常采用分子束外延、金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石、氮化镓衬底上制备Mg_xZn_1-xO薄膜。本发明包括：(1)采用包含两个射频溅射靶位的磁控溅射设备，一个靶位放置Al靶，另一个靶位放置Mg_xZn_1-xO陶瓷靶，采用Si衬底；(2)将Si衬底放置于磁控溅射设备中的衬底转动装置上并与Al靶相对；(3)以Ar为溅射气体，以O₂为反应气体，生长Al₂O₃缓冲层薄膜；(4)旋转衬底转动装置，使Si衬底与Mg_xZn_1-xO陶瓷靶相对；(5)以Ar为溅射气体，生长Mg_xZn_1-xO薄膜。
具有 al sub 缓冲衬底 mg zn 薄膜磁控溅射制备方法

[发明专利]两步制备NiO透明导电薄膜的方法-CN200810051538.X无效
发明人：王新;李野;王国政;姜德龙;付申成;端木庆铎;吴奎 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：两步制备NiO透明导电薄膜的方法属于半导体光电子材料制造技术领域。现有方法所采用的NiO陶瓷靶制备工艺较复杂、价格昂贵，易破损。由于在制备NiO陶瓷靶的过程中，Ni和O原子比例已固定，限制了制备的NiO透明导电薄膜中Ni和O原子比例调整范围，不能满足不同的应用需求。由于低温生长的特点导致薄膜中的缺陷较多，从而造成薄膜中载流子迁移率降低，大大降低了NiO透明导电薄膜的导电率和光学透过率。本发明第一步通过溅射Ni靶制备Ni膜；第二步将得到的Ni膜置于500～1200℃范围内的某一温度下的氧化气氛中，氧气流量为5～15l/min，热氧化时间为30～180分钟，将Ni膜氧化而形成NiO透明导电薄膜。
制备 nio 透明导电薄膜方法

[发明专利]n型硅光辅助电化学腐蚀装置-CN200810050598.X无效
发明人：王国政;李野;端木庆铎 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2008-04-15 - 公布日： 2008-10-15 - 主分类号： C25F3/12 文献下载
摘要：n型硅光辅助电化学腐蚀装置属于硅微细加工技术领域。已知技术采用卤素灯为光源，采用滤光片滤除大于800nm的光辐射。该方案导致光激发效率大大降低，并且，无法通过采用波长较长的光激发的同时，精密控制光源实现高效率激发及避免有害激发。再有，其光源能耗大，发热量也大，体积大。本发明采用发光二极管(LED)或者半导体激光器(LD)为光源，发射波长在700nm～1100nm之间，光源的电源功率在0.1W～100W之间。全面克服了已知技术存在的不足。可应用于在n型硅片上刻蚀具有较大长径比的微通道。
型硅光辅助电化学腐蚀装置

[发明专利]硅微通道内连续打拿极的制作方法-CN200710086664.4无效
发明人： 端木庆铎;李野;王国政;姜德龙;付申成;吴奎;王新 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2007-03-29 - 公布日： 2007-08-22 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：硅微通道内连续打拿极的制作方法涉及到的是一种在长径比大于40的硅单晶基体微孔深通道内制作连续打拿极的方法，最终制得微通道板，属于光电成像技术领域。现有采用玻璃骨架制作的微通道板噪声高、分辨率低。本发明采用硅单晶微通道阵列骨架作为微通道板基体，先在硅单晶微通道阵列骨架表面制作SiO₂绝缘层，再在该绝缘层上制作硅结晶导电层，最后将该导电层表层一部分硅热敏化，制作二次电子发射层，完成打拿极的制作。当一次电子能量为50～100eV时，其二次电子发射系数可达到1.25～2.50，电子增益达到10⁴～10⁵，并且，按照上述方法制作连续打拿极的微通道板分辨率得到提高，噪声得到降低。可应用于微光夜视技术领域。
通道连续打拿极制作方法

[发明专利]碳纤维上胶剂及其制取方法-CN200510063352.2无效
发明人：苏春辉;张洪波;许素莲;端木庆铎;邵晶;郑茹娟;朱晓薇;杨玉兰 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2005-04-08 - 公布日： 2005-09-21 - 主分类号： D06M15/55 文献下载
摘要：碳纤维上胶剂及其制取方法涉及到一种单体为环氧树脂的乳液型高分子聚合物及一种该聚合物的乳化聚合方法，属于精细化工技术领域。现有的这类上胶剂存在稳定性差，用这种上胶剂处理过的碳纤维的可挠性和层间剪切强度均不够理想等问题。本发明在乳化聚合的原料配比中使用复合乳化剂，乳化聚合过程分为两步，并确定了最佳的温度和搅拌速度。所制取的碳纤维上胶剂贮存期长达8个月，具有较强的耐水性、适中的粘度和高达80MPa的层间剪切强度，基本克服了现有技术的不足。本发明可应用于碳纤维上胶剂的制备以及碳纤维的上胶处理。
碳纤维上胶剂及其制取方法

[发明专利]一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法-CN200410010839.X无效
发明人： 端木庆铎;姜德龙;田景全;吴奎 -专利权人：长春理工大学
申请日： 2004-04-30 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01J9/00 文献下载
摘要：一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法，属于光电成像技术领域中涉及的一种防离子反馈膜的制备工艺。本发明要解决的技术问题：提供一种防止污染微通道板的防离子反馈膜的制备方法。解决的技术方案包括自持有机载膜的制备，在自持有机载膜上磁控溅射铝膜、铝膜贴膜、氧化和脱除有机载膜；自持有机载膜的制备是在去离子水中进行的，磁控溅射铝膜、贴膜、氧化和脱除有机载膜都是在真空室内进行的，在气体辉光放电中完成铝膜与微通道板输入面的贴附，辉光放电产生的氧离子对铝膜氧化并使有机载膜分解脱除，由于铝膜与微通道板输入面紧密贴附，在分解有机载膜过程中挥发的分子被铝膜挡住，微通道板免受污染，延长了光电成像器件的使用寿命、改善了背景。
一种防止污染通道离子反馈制备方法

[发明专利]各向异性导电粘接薄膜-CN01118419.1无效
发明人：苏春辉;许素莲;张洪波;端木庆铎;董树歧 -专利权人：长春光学精密机械学院
申请日： 2001-05-30 - 公布日： 2001-11-28 - 主分类号： C09J163/00 文献下载
摘要：各向异性导电粘接薄膜属于一种层结构膜状化工产品,具有异向导电性和粘接性。其特点是,它只由主剂层和固化剂层构成。主剂层由混合树脂和导电粒子组成。混合树脂由环氧树脂、聚乙烯醇缩丁醛和/或酚醛树脂按2～4∶1∶1的重量配比混合而成。固化剂层由聚乙烯醇缩丁醛或聚乙烯醇树脂加潜固化剂595组成。潜固化剂595与主剂层中的环氧树脂的重量配比为3∶20。薄膜总厚度在30～50μm之间。所制得的异向导电粘接薄膜可应用于微电子领域精细电路中微小电极的连接。
各向异性导电薄膜

1
共 13 条