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[发明专利]一种高温老化测试插座调节方法-CN202310992887.6在审
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及芯片高温老化测试技术领域，具体为一种高温老化测试插座调节方法，所述调节方法依次执行以下步骤：步骤a，确定芯片压块的下降高度；步骤b，根据芯片压块的下降高度，确定转环的转动角度；步骤c，根据转环转动的角度，确定挡球与挡块的接触点；步骤d，沿转环的径向方向移动挡球；步骤e，沿转环的轴向方向移动挡球；该方法通过改变挡球在转环径向方向的位置，能够使挡球与不同的挡面接触，每个挡面能够限定一个转环转动的角度，从而限定多个转环转动的角度，从而适应多个不同封装的芯片，调节方式简单方便，能够实现快速调节。
一种高温老化测试插座调节方法

[发明专利]一种芯片温度循环老化测试台的加热插座-CN202310360987.7有效
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明一种芯片温度循环老化测试台的加热插座涉及芯片桌面级高温老化测试技术领域；所述加热插座包括：加热插座体、加热棒、控温风扇、调整环、加热插座滑杆和加热插座弹簧；将其用于老化测试台，能够同时测试两个芯片，通过滑座和连接架使加热插座和降温插座交替与两个测试芯片接触，期间加热插座没有热量损失，在对另一个芯片升温时，升温速度更快，降温插座与芯片间没有加热棒，且与芯片更近，降温速度快，缩短温度循环时间，提高测试效率；将其用于老化测试方法，通过将两个待测芯片交替与加热插座和降温插座接触，避免在降温时加热插座温度随之降低，同时采用更高效的降温插座，降温速度快，提高了温度循环老化测试效率。
一种芯片温度循环老化测试加热插座

[发明专利]一种高温老化测试插座及其循环结构-CN202310961736.4有效
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及芯片高温老化测试技术领域，具体为一种高温老化测试插座及其循环结构，通过在芯片压块的底部设置接触罩，所述接触罩的底部为用于与芯片上表面接触的平面，接触罩与芯片压块的底面间留有间隙，该间隙内填充有导热油，在对芯片进行装载后，芯片压块的底部与芯片上表面共同对接触罩挤压，接触罩内部的导热油向外侧流动至缓冲腔，使接触罩发生纵向形变，在将不同封装的芯片进行老化测试时，接触罩能够通过不同程度的发生形变，对不同封装的芯片进行适应，在不需要改变芯片压块限定位置的前提下，能够通过接触罩的变形，对不同封装芯片的高度在接触罩变形范围内进行适应，提高了测试插座对不同封装的芯片适应性。
一种高温老化测试插座及其循环结构

[发明专利]一种高温老化测试插座调节结构-CN202310992865.X有效
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-08-08 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明涉及芯片高温老化测试技术领域，具体为一种高温老化测试插座调节结构，所述调节结构包括：挡块和挡球，挡块设置在上盖上，挡球设置在转环上，且挡球能够随着转环转动，挡块设置在挡球随着转环转动的路径上，并且在挡球与挡块接触后使转环停止转动，挡块靠近挡球的一侧沿转环的轴线方向设置有若干个挡面，由此结构能够实现，通过改变挡球在转环径向方向的位置，能够使挡球与不同的挡面接触，每个挡面能够限定一个转环转动的角度，从而限定多个转环转动的角度，从而适应多个不同封装的芯片，调节方式简单方便，能够实现快速调节。
一种高温老化测试插座调节结构

[发明专利]一种芯片温度循环老化测试台的降温插座-CN202310429235.1有效
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明一种芯片温度循环老化测试台的降温插座涉及芯片桌面级高温老化测试技术领域；所述降温插座包括：降温插座体、降温风扇、调整圈、降温插座滑杆和降温插座弹簧；将其用于老化测试台，能够同时测试两个芯片，通过滑座和连接架使加热插座和降温插座交替与两个测试芯片接触，期间加热插座没有热量损失，在对另一个芯片升温时，升温速度更快，降温插座与芯片间没有加热棒，且与芯片更近，降温速度快，缩短温度循环时间，提高测试效率；将其用于老化测试方法，通过将两个待测芯片交替与加热插座和降温插座接触，避免在降温时加热插座温度随之降低，同时采用更高效的降温插座，降温速度快，提高了温度循环老化测试效率。
一种芯片温度循环老化测试降温插座

[发明专利]一种测试插座用探针-CN202111169130.4有效
发明人： 章圣达;金永斌;王强;贺涛;朱伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种测试插座用探针，包括：导电胶结构，其包括弹性绝缘件、及设置在所述弹性绝缘件中且沿厚度方向布置的若干个连接线结构；刚性绝缘件，其固定在所述导电胶结构厚度方向一端；及探针头结构，其包括固定在所述刚性绝缘件上且与所述若干个连接线结构对应贴合的若干个探针头；在测试状态下，当所述导电胶结构受力压缩时，所述连接线结构被压缩成锯齿状通路。本发明提供的测试插座用探针，满足高频高速测试需求，同时可提高使用寿命。
一种测试插座探针

[发明专利]一种高温老化测试方法-CN202310961726.0在审
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-08-02 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明涉及芯片高温老化测试技术领域，具体为一种高温老化测试方法；所述高温老化测试方法包括步骤：步骤a，芯片加热；步骤b，辅助降温；步骤c，辅助升温；步骤d，循环测试；本发明配合高温老化测试插座及其循环结构，能够在高温循环老化测试过程中，使芯片升温阶段和降温阶段的时间缩短，使一个温度循环周期时间缩短，从而提高了芯片温度循环老化测试的效率。
一种高温老化测试方法

[发明专利]片上芯片高温老化测试插座控制系统及控制方法-CN202310013046.6有效
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：本发明片上芯片高温老化测试插座控制系统及控制方法属于半导体测试技术领域；所述片上芯片高温老化测试插座控制系统，包括上位机，温度控制单元和片上芯片高温老化测试插座；所述上位机连接至少一个温度控制单元，通过温度控制单元TCP/IP协议及网口命令，对温度控制单元进行配置、监测和记录；所述温度控制单元连接至少一个片上芯片高温老化测试插座，对每一个片上芯片高温老化测试插座进行监测和控制；在片上芯片高温老化测试插座控制系统的基础上，本发明还公开了一种片上芯片高温老化测试插座控制方法，低成本、升温快、体积小、可移动、配套设施要求低、兼容性高。
芯片高温老化测试插座控制系统控制方法

[发明专利]一种芯片温度循环老化测试台上实现的芯片温度循环老化测试方法-CN202310381860.3有效
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明一种芯片温度循环老化测试台的基座涉及芯片桌面级高温老化测试技术领域；所述基座包括：基座体、滑槽、正反牙丝杆和丝杆电机；将其用于老化测试台，能够同时测试两个芯片，通过滑座和连接架使加热插座和降温插座交替与两个测试芯片接触，期间加热插座没有热量损失，在对另一个芯片升温时，升温速度更快，降温插座与芯片间没有加热棒，且与芯片更近，降温速度快，缩短温度循环时间，提高测试效率；将其用于老化测试方法，通过将两个待测芯片交替与加热插座和降温插座接触，避免在降温时加热插座温度随之降低，同时采用更高效的降温插座，降温速度快，提高了温度循环老化测试效率。
一种芯片温度循环老化测试台上实现方法

[发明专利]一种转接探针测试方法-CN202310500283.5在审
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体测试技术领域，具体涉及一种转接探针测试方法；该方法首先根据测试周期确定电机转动角速度，然后根据待测芯片与转接探针接触时间确定凸轮圆弧部分所对应的圆心角，再根据待测芯片通电时间确定供电辊的前半部分圆周上的导体所对应的圆心角，再调整凸轮和供电辊，使得凸轮圆弧部分所对圆心角的角分线和供电辊的前半部分圆周上的导体所对圆心角的角分线符合要求，然后将上导电层和后电刷连接可调电流源，调整可调电流源的电流大小，模拟转接探针的工作电流，最后启动电机，实现转接探针打击下的通电测试；本发明能够实现不同测试电流和待测芯片反复打击共同作用下的转接探针使用寿命测试。
一种转接探针测试方法

[发明专利]一种转接探针测试装置-CN202310500284.X在审
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体测试技术领域，具体涉及一种转接探针测试装置；包括测试底座，下导电层，供电辊，电机，传动结构，凸轮，压板和上导电层；测试底座上方设置有下导电层，下导电层上设置有阶梯孔，阶梯孔用于放置转接探针，供电辊外表部分为导体，部分为绝缘体，供电辊与电机同轴设置，在电机的作用下匀速旋转，供电辊与凸轮通过传动结构联动，以相同的角速度转动，凸轮顶在压板上方，控制压板上下运动，所述压板下方设置有上导电层，凸轮外边界一部分为圆弧，一部分为非圆弧，凸轮转轴到非圆弧的距离小于到圆弧的距离，上导电层和供电辊连接可调电流源的两极；本发明能够实现不同测试电流和待测芯片反复打击共同作用下的转接探针使用寿命测试。
一种转接探针测试装置

[发明专利]片上芯片高温老化测试插座风扇双加热棒控制方法-CN202310212857.9在审
发明人：赵烟桥;金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2023-03-08 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明片上芯片高温老化测试插座风扇双加热棒控制方法属于芯片测试和温度控制技术领域；该方法首先设置测试环境目标温度，并采集测试环境当前温度；然后判断二者大小，根据测试环境当前温度是否达到测试环境目标温度，选择风扇是否工作以及两个加热棒各自的工作方式；本发明基于本公司研发的片上芯片高温老化测试插座，给出了两个加热棒的具体控制策略，并在不同控制策略之间进行比较，总结出各种控制策略的特点，为根据测试需求选择合适控制策略提供理论依据。
芯片高温老化测试插座风扇加热控制方法

[发明专利]一种转接探针打击通电模拟方法-CN202310476104.9在审
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-04-28 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明属于半导体测试技术领域，具体涉及一种转接探针打击通电模拟方法；该方法在上触头和下触头分离，上导电层与转接探针分离的条件下启动电机，首先上导电层与转接探针接触，实现转接探针打击模拟，然后上触头和下触头接触，给转接探针通电，并进行转接探针通电模拟，再然后上触头和下触头分离，完成通电模拟过程，最后上导电层与转接探针分离，实现系统复位；本发明不仅能够模拟探针测试插座中转接探针的真实工作场景，而且同现有技术相比，节省了一部分零部件，使装置成本进一步降低，体积进一步减小，复杂程度进一步降低，为转接探针有效接触待测芯片与测试机提供测试保障。
一种转接探针打击通电模拟方法

[发明专利]芯片老化测试台-CN202310018152.3有效
发明人：金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;章圣达;陈伟 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R31/28 文献下载
摘要：本发明芯片老化测试台涉及芯片桌面级高温老化测试技术领域，所述的测试台包括：圆台、承载环、测试环、测试插座、机械手和驱动器，所述圆台的上表面转动设置有承载环和测试环，机械手设置在承载环和测试环之间，测试环穿过至少两个适应相同或不同封装芯片的测试插座设置，承载环通过驱动器驱动转动，对芯片进行选择，由机械手抓取后放入测试环，同样的，由驱动器驱动测试环转动，将选择的芯片送入测试插座内部进行高温老化测试，在测试完成后，驱动器驱动测试环转动，测试环携带着检测完成后的芯片转动至机械手，由机械手抓取后放入承载环内部，实现芯片高温老化的桌面级自动化测试。
芯片老化测试

[发明专利]一种高频同轴探针塔和测试探针孔-CN202310486753.7有效
发明人： 章圣达;金永斌;王强;贺涛;丁宁;朱伟;侯燕兵;徐海林 -专利权人：法特迪精密科技（苏州）有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： G01R1/073 文献下载
摘要：本发明涉及一种高频同轴探针塔和测试探针孔。本发明所述的高频同轴探针塔的同轴模块装入测试探针后，测试探针充当导体，金属屏蔽装针壳体内的空气与金属屏蔽盖板内的绝缘材料形成内绝缘，金属屏蔽装针壳体作为屏蔽层，形成同轴结构。可分别调控金属屏蔽盖板和金属屏蔽装针壳体部分，使得其阻抗值一致。且高频同轴探针塔工作时，测试探针压缩至同轴模块内，测试探针在工作时各部分阻抗值一致，从而大大提升高速率、低损耗、高信号屏蔽的信号传输。
一种高频同轴探针测试

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