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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]基于拓扑磁结构的逻辑门-CN202111544774.7在审
发明人： 穆阿德·法图;麦启宇;张溪超;穆罕默德·哈菲迪;周艳 -专利权人：香港中文大学（深圳）
申请日： 2021-12-16 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本申请涉及一种基于拓扑磁结构的逻辑门。该逻辑门包括纳米轨道，纳米轨道包括磁性材料层、非磁性重金属材料层、磁性材料层依次叠置的叠层结构；纳米轨道包括第一输入端、第二输入端及输出端。本申请提供的基于拓扑磁结构的逻辑门，由于拓扑磁结构可以稳定存在于纳米轨道的叠层结构中，因此基于拓扑磁结构设计的逻辑门体积较小；由于拓扑磁结构具有一定的拓扑势垒，稳定性好，因此基于拓扑磁结构设计的逻辑门稳定性较高，功耗也较低；而且本申请提供的基于拓扑磁结构的逻辑门还通过在两层磁性材料层之间插入非磁性重金属材料层，使得两层磁性材料层之间可产生反铁磁交换耦合作用，从而减少霍尔效应，提升器件稳定性。
基于拓扑结构逻辑

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