专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种太阳能单晶多晶坩埚内表面Si3-CN201910394480.7有效
  • 穆建东 - 穆建东
  • 2019-05-13 - 2021-05-04 - C23D5/04
  • 本发明属于硅锭铸造技术领域,特别是涉及一种太阳能单晶多晶坩埚内表面Si3N4釉面处理工艺。采用碳质物作为还原剂,将坩埚内表面的SiO2还原为Si,然后采用N2作为氧化剂使N2与Si生成致密的Si3N4陶瓷釉面层。通过采用原位生长技术,利用氮置换掉氧,从而使坩埚内表面的氧化硅转换成氮化硅陶瓷釉面,从而使氮化硅陶瓷釉面更加不易在高温下从石英坩埚上脱落,从而使硅锭粘锅率大大降低,SiO2和O2也不会参杂到硅锭中,从而显著提高硅锭的出品率。
  • 一种太阳能多晶坩埚表面sibasesub

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