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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法-CN202211356409.8在审
发明人：苏琳琳;程淇美;陈渝湘;夏开鹏;杨成东 -专利权人：无锡学院
申请日： 2022-11-01 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC APD线性阵列击穿电压的调控方法，该方法通过设置击穿电压，获取每个像元间的平均击穿电压的波动值ΔVB，对整个SiC APD线性阵列进行分组，将击穿电压按照从大到小的顺序依次分组；通过各个像元独立的上电极对各像元的击穿电压进行调控；选取高于平均电压VB1的电压值作为SiC APD线性阵列的工作电压，工作电压施加于SiC APD线性阵列共用的背电极，使SiC APD线性阵列进行紫外探测成像。本发明通过对各像元的击穿电压进行调控能够使各像元工作在相同增益和探测能性下，获得高质量紫外探测成像。
一种 sic apd 线性阵列击穿电压调控方法

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