专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种多功能失水仪-CN202022816636.7有效
  • 杜静;张洋勇;曾雪玲;古安林;种娜;钟文 - 嘉华特种水泥股份有限公司
  • 2020-11-30 - 2021-08-31 - G01N33/38
  • 本实用新型公开了一种多功能失水仪,涉及水泥浆性能测试设备技术领域。本实用新型包括气源供给装置、控制柜和釜体实验台,所述釜体实验台包括底座和刚性框架,所述刚性框架上设置有至少两个釜体,所述釜体的上下端口均设置有可拆卸的密封杯盖,所述釜体的上密封杯盖设有与釜体内部相同的进气口,上密封杯盖上设有电机,电机通过轴承密封与釜体内部的搅拌桨叶相连;所述釜体的下密封杯盖上设有与釜体内部相通的出液口,在底座上设置有与出液口对应的量筒;所述釜体外围依次设置有保温套、加热套和绝热套;所述控制柜控制釜体内压力、温度和搅拌速度。本实用新型结构简单、操作便捷、功能丰富,能够真实模拟井下实际环境,测试钻井液与固井水泥浆的滤失性能。
  • 一种多功能失水
  • [实用新型]一种胶头滴管-CN202022657893.0有效
  • 张宇航;陈雪梅;种娜;薛元陶 - 嘉华特种水泥股份有限公司
  • 2020-11-17 - 2021-08-31 - B01L3/02
  • 本实用新型公开了一种胶头滴管,涉及化学实验仪器技术领域。本实用新型包括胶帽和管体,还包括钳形支架、连接头和连接软管,管体两侧侧壁上开设有水平布置的两个连接槽,钳形支架下端的两个支架端点分别配合连接在两个连接槽内;连接头固定在钳形支架上端,所述胶帽固定安装在连接头上端的接口处,所述连接软管一端连接在连接头下端的接口处,另一端连接在管体上端接口处。本实用新型的胶头滴管的管体可相对胶帽转动,不论实验者从何种角度手持滴加,胶头滴管管体下方的滴加口均在胶头滴管管体本身重力作用下处于竖直状态,从而可以有效避免因滴加角度不同而引起的体积(质量)误差。
  • 一种滴管
  • [实用新型]一种金相试样抛光机的制样固定装置-CN202022446717.2有效
  • 雷杰;卢虹宇;张凌志;喻庆华;陈雪梅;种娜 - 嘉华特种水泥股份有限公司
  • 2020-10-29 - 2021-08-03 - B24B41/06
  • 本实用新型公开了一种金相试样抛光机的制样固定装置,包括底座、调整机构以及压头,底座固定在金相试样抛光机上,底座上设支杆,调整机构包括第一活动杆和第二活动杆,第一活动杆上设通孔和限位螺丝,第一活动杆通过通孔套设于支杆上并沿支杆竖向移动;第二活动杆的一端通过活动杆转轴与第一活动杆转动连接,第二活动杆的另一端设固定头转轴,所述压头设于固定头转轴上,样品通过压头固定于磨盘上方。本实用新型采用底座、支杆、调整机构和压头组成的制样固定装置可以将样品固定在抛光机上,防止用手直接拿样抛光时存在的安全隐患,提高打磨抛光操作的安全性。
  • 一种金相试样抛光机固定装置
  • [发明专利]一种复合刚性堵漏剂的制备方法-CN202110102102.4在审
  • 古安林;曾雪玲;种娜;张洋勇;张凌志 - 嘉华特种水泥股份有限公司
  • 2021-01-26 - 2021-05-28 - C09K8/42
  • 本发明公开了一种复合刚性堵漏剂的制备方法,涉及石油钻井堵漏材料技术领域。本发明制备方法为以重量份数计,将60‑80份刚性颗粒材料、20‑40份吸水膨胀聚合物单体和0.001‑0.005份引发剂加入到反应釜中,并加入100‑120份蒸馏水,在60‑85℃中反应6‑8h;待反应完成后,加入100‑150份蒸馏水,搅拌均匀后送入喷雾造粒设备中进行喷雾干燥,然后经收尘器收集干燥后形成的堵漏剂粉体;将堵漏剂粉体送入翻滚式干燥设备中,在翻滚式干燥设备的入口处设置多个覆膜剂喷口,将覆膜剂均匀地喷洒在堵漏剂粉体表面,在干燥设备中后得到复合刚性堵漏剂。本发明制备出的复合刚性堵漏剂具有较高强度、成本低、施工简单。
  • 一种复合刚性堵漏制备方法
  • [发明专利]一种膨胀剂熟料及其生产方法-CN201911249450.3在审
  • 喻庆华;付亚敏;陈雪梅;种娜;张凌志;古安林 - 嘉华特种水泥股份有限公司
  • 2019-12-09 - 2020-04-17 - C04B22/14
  • 本发明公开了一种膨胀剂熟料及其生产方法,以铅锌尾矿为主料,配以石膏、脱硫石膏或硫酸渣中的至少一种为辅料,经煅烧制备得到膨胀剂熟料,按重量百分数计,该膨胀剂熟料包含以下矿物组分:F‑CaO:45~65%、CxA2‑yFy:5~15%、CaSO4:10~30%、C2S:6~15%。本发明为铅锌尾矿的使用找到了一个新的途径,较为充分利用铅锌尾矿中的矿物成分,辅以不同辅助材料即可制得相应膨胀剂熟料,有利于铅锌尾矿利用率的提高,同时,可利用现有的水泥熟料生产线以及生产工艺,工艺成本得以控制。掺合适宜的矿物掺合料BSF和外加剂YZN粉磨后得到混凝土膨胀剂,其性能指标满足EA AC Ⅱ GB/T 23439‑2017。
  • 一种膨胀熟料及其生产方法
  • [发明专利]硫化镉气相合成装置-CN201510489364.5有效
  • 曹昌威;詹科;张程;种娜;杨旭;雷聪 - 峨嵋半导体材料研究所
  • 2015-08-11 - 2017-05-31 - C01G11/02
  • 本发明公开了一种硫化镉气相合成装置,所述硫化镉气相合成装置包括彼此连通的镉蒸发管、硫蒸发管和合成管,所述镉蒸发管的出料口和硫蒸发管的出料口分别与合成管的进料口连接,并且气态镉从镉蒸发管进入合成管的方向与气态硫从硫蒸发管进入合成管的方向之间的夹角为0~90°。本发明的硫化镉气相合成装置反应装置具体使得气态硫和气态镉不采用相对的方向进入合成室,从而避免了两股反应气之间的对流并避免了因反应气之间接触不充分而导致的反应不充分、合成率低的问题。本发明通过在合成室中增加挡板组件,使得合成室空间得到了有效减小,同时使得反应相对充分,大大提高了合成率,可达到85~90%。
  • 硫化相合装置
  • [实用新型]一种锑还原炉-CN201420640907.X有效
  • 种娜;詹科;曹昌威;向明川;李强 - 峨嵋半导体材料研究所
  • 2014-10-31 - 2015-04-08 - F27B17/00
  • 本实用新型公开了一种锑还原炉,包括石英管、电阻炉和带观察孔的还原炉炉壳,电阻炉置于还原炉炉壳内,石英管横向穿过还原炉炉壳的中轴线,并放置于电阻炉内,所述石英管包括还原管内管、尾气排放管和出料管,还原管内管倾斜设置于石英管内,其进料端高于出料端,还原管内管的进料端设有进料管及进气管,出料端为敞口结构;尾气排放管和出料管都设于石英管的进料端,尾气排放管的末端接尾气处理装置,出料管设于石英管的下底面;电阻炉上设有电阻丝,电阻丝接电气控制装置。该锑还原炉采用自动出料,避免人员在出料过程中受高温金属液滴溅伤,安全系数提高,设备操作简单,制造方便,生产及还原效率高,生产使用成本低。
  • 一种还原
  • [发明专利]一种制备6N高纯铝的方法-CN201410599866.9有效
  • 詹科;曹昌威;种娜;杨旭 - 峨嵋半导体材料研究所
  • 2014-10-31 - 2015-03-04 - C22B21/06
  • 本发明属于材料制备领域,具体为真空挥发法和区域熔炼法制备6N高纯铝的方法。该方法为:将原料铝在真空煅烧炉中融化后进行真空挥发,控制挥发温度为800—850℃;在氩气保护下进行水平区域熔炼提纯,控制熔区宽度30—50mm;然后对铝锭的表面进行处理;最后将清洗后的铝锭装入石英舟,在真空煅烧炉中加热到450—550℃。本方法操作简单,使用设备简便,工艺成本低廉,可制备出6N高纯铝,填补国内6N高纯铝的空白。
  • 一种制备高纯方法
  • [发明专利]一种5N高纯碳粉制备工艺-CN201410599784.4有效
  • 詹科;曹昌威;雷聪;种娜;杨旭 - 峨嵋半导体材料研究所
  • 2014-10-31 - 2015-02-18 - C01B31/02
  • 本发明属于材料制备领域,具体为一种5N高纯碳粉制备工艺。该工艺以纯度为3N的工业碳粉为原料,然后依次经过湿法提纯碳粉、低温挥发和超高温煅烧步骤,即制备出5N高纯碳粉;所述湿法提纯碳粉的具体步骤为:采用一定浓度的盐酸、硝酸和氢氟酸混合,然后将碳粉原料放入到配置好的混合酸溶液中浸泡96小时以上,在浸泡过程中通入氩气并进行搅拌,氩气流量以混合液不溅出四氟桶为准等步骤。本申请中通过低温挥发过程中的温度控制,是为了通过升温使硫元素得到挥发,除去碳粉中的硫元素。避免在高温煅烧阶段,硫与铁,镁,碳反应生成硫化物沸点较高的硫化物,增加碳粉提纯的难度,本工艺可以将碳粉的纯度提高到99.999%。
  • 一种高纯碳粉制备工艺
  • [发明专利]一种硫化镉气相合成方法-CN201410599785.9有效
  • 曹昌威;詹科;种娜;张程;杨旭 - 峨嵋半导体材料研究所
  • 2014-10-31 - 2015-01-28 - C30B28/14
  • 本发明公开了一种硫化镉气相合成方法,包括如下步骤:第一步,将纯度≥6N的硫和镉按照1.1-1.3:1的摩尔比分别放入位于反应室左、右侧的硫蒸发室和镉蒸发室内;第二步,往反应室内先通氩气1-1.5小时,氩气的流量为500-600ml/min,去除反应室内的空气干扰;第三步,持续通氩气的同时对反应室进行反应升温,通过载流气体氩气运输镉和硫两种气流进入到合成室,进行反应;对反应室进行反应升温时,先升温位于反应室中部的合成室温度,再升温镉蒸发室和硫蒸发室的温度,并保持该氩气流量;恒定镉蒸发室和硫蒸发室的温度,并恒温6-8h;待反应系统降低到室温时取出合成产物-硫化镉。气相合成过程中不会掺杂杂质,故合成出来的硫化镉多晶具有很高的纯度。
  • 一种硫化相合成方

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