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[发明专利]半导体装置的制造方法-CN202180061683.X在审
发明人： 秋山浩二;田村知大;菲利普·盖伯特 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-09-01 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明的半导体装置的制造方法包括：在半导体基板上或在形成于半导体基板的下部电极上，形成电介质膜的工序；使金属选择性地附着在电介质膜的表面上的规定区域的工序；通过对金属实施热处理，在电介质膜的表面上的规定区域形成绝缘性的金属氧化膜的工序；以及在电介质膜的表面上的规定区域形成有金属氧化膜的状态下，在电介质膜上形成上部电极的工序。
半导体装置制造方法

[发明专利]导电性部件的形成方法和沟道的形成方法-CN202211121926.7在审
发明人： 秋山浩二;田村知大;藁科尚士 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H10B41/20 文献下载
摘要：本发明提供能够控制性良好且简易地使晶粒大粒径化的导电性部件的形成方法和沟道的形成方法。首先，在基片上形成第一部分和第二部分，其中，第一部分含有构成要得到的导电性部件的第一元素和与第一元素发生共晶反应的第二元素，第二部分含有与第二元素形成金属间化合物的第三元素。接着，使第一部分成为液相状态后调整基片的温度来使第一元素的初晶晶析。接着，在将基片的温度维持为相同温度的状态下，使第二元素从第一部分扩散到第二部分，使第一部分中的第一元素的晶体相对于液相的比率增加，使第一元素的晶粒生长。接着，将第二元素向第二部分的扩散结束后的第一部分，作为具有第一元素的晶粒的导电性部件。
导电性部件形成方法沟道

[发明专利]热效应元件、导热装置、半导体制造装置及热效应元件的控制方法-CN202180032593.8在审
发明人： 秋山浩二;永井洋之;岩下光秋;上田博一 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L37/00 文献下载
摘要：一种热效应元件,具有:容器,其包括第一壁部和与上述第一壁部相对的第二壁部；离子液体,其容纳于上述容器内；第一电极,其设于上述第一壁部的外表面；以及可动电极,其在上述离子液体中以可移动的方式设置。
热效应元件导热装置半导体制造控制方法

[发明专利]半导体装置的制造方法、半导体制造装置和系统-CN202180029630.X在审
发明人：上田博一;岩下光秋;梅下尚己;饭塚洋二;早川崇;关口贤治;秋山浩二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本公开的一方式涉及的半导体装置的制造方法具有下述工序：在基板上涂布包含离子液体的液体材料以形成保护膜的工序；将形成有上述保护膜的上述基板进行大气输送的工序；以及从被大气输送的上述基板除去上述保护膜的工序。
半导体装置制造方法系统

[发明专利]成膜方法、成膜装置-CN201210082649.3无效
发明人：两角友一朗;菅原卓也;秋山浩二;菱屋晋吾;广田俊幸;清村贵利 -专利权人：尔必达存储器株式会社;东京毅力科创株式会社
申请日： 2012-03-26 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明涉及成膜含有氧化锆膜的电介质膜的方法，该方法具有：供给由在结构中含有环戊二烯基环的锆化合物构成的锆原料和氧化剂，在被处理基板上成膜氧化锆膜的工序；供给由在结构中含有环戊二烯基环的钛化合物构成的钛原料和氧化剂，在上述氧化锆膜上成膜氧化钛膜的工序。
方法装置

[发明专利]机械密封装置-CN201110280891.7有效
发明人：柳泽隆;秋山浩二;伊藤正伸;内山真己 -专利权人：伊格尔工业股份有限公司
申请日： 2005-10-28 - 公布日： 2012-01-18 - 主分类号： F16J15/34 文献下载
摘要：一种机械密封装置，在转轴与壳体的嵌合间隙相对地配置有旋转密封环(10)和静止密封环，包括：旋转密封环(10)，其与转轴相连，具有旋转密封面(11)，在旋转密封面(11)上设有以转轴的轴心为中心呈圆环状地配置并由分隔壁(13)隔开形成的多个圆弧状沟(12)；静止密封环，具有与所述旋转密封环(10)的旋转密封面(11)相对的静止密封面；弹簧，朝着旋转密封环推压静止密封环；以及输出开口部，其形成在静止密封环的静止密封面上，可与供给压力流体的流体供给通路连通，输出开口部的周向长度(W3)形成为分隔壁(13)的周向长度(W1)的1/2以上(W3≥W1/2)，输出开口部的周向长度(W3)比圆弧状沟(12)的周向长度(W2)小(W3＜W2)。
机械密封装置

[发明专利]蜗轮、蜗轮用注射成型模具的制造方法及蜗轮的制造方法-CN200980104278.0有效
发明人： 秋山浩二 -专利权人：恩普乐股份有限公司
申请日： 2009-02-03 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： F16H55/22 文献下载
摘要：提供一种在与蜗杆啮合的齿面附近不产生阶梯差，在动力传递时难以产生噪音的蜗轮。蜗轮(1)具有：与蜗杆(101)啮合而构成圆筒蜗轮副的部分即圆弧状齿部(5)；以及，与该圆弧状齿部(5)的一端侧连接的斜齿状齿部(4)。在圆弧状齿部(5)与斜齿状齿部(4)的分界部分(7)的齿(3)在齿高方向的任意的第一基准点(14)的螺旋角、与在圆弧状齿部(5)的喉径部分P0的齿(3)在齿高方向的与上述第一基准点(14)对应的第二基准点(15)的螺旋角相等。由此，在圆弧状齿部(5)与斜齿状齿部(4)的分界部分(7)的齿面不产生阶梯差，圆弧状齿部(5)的齿面与斜齿状齿部(4)的齿面平滑地连接。
蜗轮注射成型模具制造方法

[发明专利]机械密封及串联式密封-CN200880117493.X有效
发明人：押井要二;秋山浩二;渡边浩二;金子敦 -专利权人：伊格尔工业股份有限公司
申请日： 2008-11-18 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： F16J15/34 文献下载
摘要：一种机械密封，在密封的压力低或高的情形等任何条件下，都能获得合适的滑动特性。由于本发明中，在固定环(46)的滑动面(462)上形成有第一槽(463)和第二槽(464)，因此，能提供一种不管在何种状态下，都可降低滑动面的负载、以合适的干式接触状态对封止流体进行封止的机械密封，其中，第一槽(463)与外部不连通，当转轴旋转时，起到利用动压作用降低滑动面的接触阻力的作用，第二槽(464)从外部导入压力，起到始终利用静压作用降低滑动面的接触阻力的作用。
机械密封串联式

[发明专利]等离子体显示面板的老化方法及老化装置-CN200910008931.5无效
发明人： 秋山浩二;青砥宏治;山内成晃;青木崇 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2004-07-16 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： H01J9/44 文献下载
摘要：本发明提供一种能够获得抑制底色不均情况发生并且显示品质较高的等离子体显示面板的老化方法及老化装置。本发明的等离子体显示面板的老化方法以及老化装置具有多个风扇(18a～18c)作为送风设备，在进行老化处理的情况下，当利用上述多个风扇向等离子体显示面板(12)送风时，通过使上述多个风扇中的至少一部分风扇的送风方向和送风量的两者中的至少一方发生改变，不仅能够使等离子体显示面板的图像显示区域内的温度均匀，而且还能够防止发生底色不均。
等离子体显示面板老化方法装置

[发明专利]等离子体显示面板及其制造方法-CN200980100470.2无效
发明人： 秋山浩二;西中胜喜;青砥宏治 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-03-17 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01J11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用于显示器件等的等离子体显示面板及其制造方法，该等离子体显示面板(1)在前面玻璃基板(3)上设有多对显示电极(6)和电介质层(8)，将前面玻璃基板(3)的没有设置电介质层(8)一侧的面的应力设为0.8MPa～2.4MPa范围的压缩应力，使玻璃基板具有充分的强度，从而实现很少产生面板裂纹的等离子体显示面板(1)。
等离子体显示面板及其制造方法

[发明专利]等离子显示器面板及其制造方法-CN200980000493.6无效
发明人： 秋山浩二;青砥宏治;西村征起;西中胜喜 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2009-03-25 - 公布日： 2010-03-31 - 主分类号： H01J11/02 文献下载
摘要：本发明提供等离子显示器面板，在其前面玻璃基板(3)上设有多对显示电极(6)、电介质层(8)和保护层(9)，其中采用纳米结晶粒子形成保护层(9)，且纳米结晶粒子的平均粒径为10nm～100nm范围，从而实现具有充分的前面玻璃基板(3)强度且较少产生面板裂缝的等离子显示器面板。
等离子显示器面板及其制造方法

[发明专利]气体放电屏及其制造方法-CN200810190304.3无效
发明人：盐川晃;秋山浩二;今井彻也;真铜胜利;东野秀隆;小寺宏一;宫下加奈子 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-05-31 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01J17/20 文献下载
摘要：本发明提供一种能抑制写入期间中写入不良发生、同时能以低的驱动电压进行高速驱动的气体放电屏及其制造方法。为了解决该问题，在本发明的气体放电屏中在真空排气到残余气体压小于0.02MPa的放电空间30内导入从二氧化碳气体、水蒸气、氧气、氮气中选择的至少一种气体组成的辅助气体，然后导入He-Xe系或者Ne-Xe系稀有气体(放电气体)。放电空间30中混入的辅助气体量，例如在混入二氧化碳气体的情况下，从放电开始电压和电子发射能力两方面考虑设定分压在0.05MPa以上0.5MPa以下的范围内是适当的。
气体放电及其制造方法

[发明专利]金属类膜脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置制造方法-CN200680047198.2无效
发明人：山崎英亮;秋山浩二;山崎和良;河野有美子 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-11-24 - 公布日： 2009-01-28 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种金属类膜的脱碳处理方法、成膜方法和半导体装置的制造方法，在作为半导体基板的Si基板(1)上形成栅极绝缘膜(2)，接着在栅极绝缘膜(2)上通过使用包含W(CO)₆气体的成膜气体的CVD形成W类膜(3a)。然后，在存在有还原性气体的条件下进行氧化处理，不使W类膜(3a)中的W被氧化而仅使C被选择性地氧化，从而使W类膜(3a)中所包含的C浓度降低。其后，根据需要，在实施热处理后，进行抗蚀剂涂敷、制作布线图案、蚀刻等，而且通过离子注入等形成杂质扩散区域(10)，由此形成MOS结构的半导体装置。
金属脱碳处理方法半导体装置制造

[发明专利]平面型显示装置-CN200780000845.9无效
发明人： 秋山浩二;西中胜喜;宫崎晃畅 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2007-02-26 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01J11/02 文献下载
摘要：本发明提供一种平面型显示装置，其具有：一对玻璃基板，其隔开间隙对置配置、并且成分含有硅；密封部件，其配置在该一对玻璃基板的周边部，密封部件由成分含有铋的材料构成，且在玻璃基板和密封部件的接合面设有作为由硅含量比玻璃基板少的材料构成的中间层的保护层、绝缘体层。由此，能够提供一种密封部分的强度强、可靠性优异的平面型显示装置。
平面显示装置

[发明专利]高电介质薄膜的改性方法和半导体装置-CN200680048312.3无效
发明人：山崎和良;青山真太郎;秋山浩二 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2009-01-07 - 主分类号： H01L21/316 文献下载
摘要：本发明提供一种高电介质薄膜的改性方法和半导体装置，在使用有机金属化合物材料、在被处理体的表面上形成的高电介质薄膜的改性方法中，包括：准备在表面上形成有上述高电介质薄膜的上述被处理体的准备工序；和维持上述被处理体在规定的温度，并在非活性气体的气氛中对上述高电介质薄膜照射紫外线，由此进行上述高电介质薄膜的改性的改性工序。由此，能够使碳成分从高电介质薄膜中脱离，并且使整体热压配合而提高密度，防止缺损的发生，而且能够提高膜密度，从而提高介电常数，能够得到较高的电特性。
电介质薄膜改性方法半导体装置

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