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[实用新型]MEMS装置-CN202320141021.X有效
发明人：德沃·莫莉;威廉姆斯·凯特;福明·叶夫根尼;凌方舟 -专利权人：美新半导体（天津）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本实用新型提供一种MEMS装置，其包括：MEMS晶圆；与MEMS晶圆键合的第一盖体晶圆，其中所述MEMS晶圆和第一盖体晶圆之间形成有第一空腔和第二空腔，第一盖体晶圆上开设有贯穿第一盖体晶圆且与第二空腔连通的通孔；与第一盖体晶圆键合的第二盖体晶圆，其中第二盖体晶圆密封所述通孔的一端，以使得第二空腔被密封，第一空腔内的压力低于第二空腔内的压力。这样，可以更为方便的在同一颗芯片上形成压力不同的两个空腔。
mems 装置

[发明专利]具有两个独立空腔的MEMS装置及其制造方法-CN202310080832.8在审
发明人：德沃·莫莉;威廉姆斯·凯特;福明·叶夫根尼;凌方舟 -专利权人：美新半导体（天津）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B81B7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种具有两个独立空腔的MEMS装置及其制造方法。所述MEMS装置包括：MEMS晶圆；与MEMS晶圆键合的第一盖体晶圆，其中所述MEMS晶圆和第一盖体晶圆之间形成有第一空腔和第二空腔，第一盖体晶圆上开设有贯穿第一盖体晶圆且与第二空腔连通的通孔；与第一盖体晶圆键合的第二盖体晶圆，其中第二盖体晶圆密封所述通孔的一端，以使得第二空腔被密封，第一空腔内的压力低于第二空腔内的压力。这样，可以更为方便的在同一颗芯片上形成压力不同的两个空腔。
具有两个独立空腔 mems 装置及其制造方法