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- [发明专利]半导体激光装置及其制造方法-CN200610106015.1有效
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福久敏哉;万浓正也;古川秀利
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松下电器产业株式会社
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2006-07-19
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2007-01-24
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H01S5/40
- 本发明提供了一种半导体激光装置及其制造方法，特别是，在二波长激光装置等的单片集成激光装置中，根据1次的杂质扩散工序，在活性层的发射边缘面附近区域分别形成良好的窗口区。其包括：发出第1波长激光的第1元件和发出第2波长激光的第2元件，该第1元件由第一导电型的第1覆层101、位于发射边缘面附近具有第1窗口区的第1活性层102、和第二导电型的第1覆层103在衬底上从下依次层积形成，该第2元件由第一导电型的第2覆层104、位于发射边缘面附近具有第2窗口区的第2活性层105、和第二导电型的第2覆层106在衬底上从下依次层积形成；第二导电型的第1覆层103的晶格常数及第二导电型的第2覆层106的晶格常数是被调整的常数，以使得在第1活性层102的第1窗口区中所含的杂质的扩散速度、和在第2活性层105的第2窗口区中所含的杂质的扩散速度的差异获得补偿。
- 半导体激光装置及其制造方法
- [发明专利]半导体激光器及其制造方法-CN200410094706.5无效
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福久敏哉;古川秀利
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松下电器产业株式会社
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2004-11-12
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2005-05-18
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H01S5/00
- 本发明提供一种包含一个衬底(101)和至少两个有源层(103、106)的半导体激光器，其中分别包含所述有源层(103、106)的两个谐振器(201、204)相互平行布置，并且其中在所述谐振器(201、204)中，所述有源层(103、106)的注入电流区具有不同的长度。这样，在本发明所述的双波长激光器中，通过克服由解理确定的对所述谐振器(201、204)的长度限制，能够独立地设计和制造不同特性的诸如红色激光器和红外激光器等多个激光器的有效谐振器长度，采用适于各个理想特性的谐振器长度，并且提供具有改善的激光特性的半导体。
- 半导体激光器及其制造方法
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