“神田稔”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚及其制造方法-CN201080040012.7有效
发明人：须藤俊明;小玉真喜子;神田稔;岸弘史 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明提供一种在单晶硅提拉中的高温下抑制发生沉入现象的氧化硅玻璃坩埚及其制造方法。氧化硅玻璃坩埚(10)具有：设置在坩埚外表面侧的含有多个气泡的不透明氧化硅玻璃层(11)，以及设置在坩埚内表面侧的透明氧化硅玻璃层(12)，其中，不透明氧化硅玻璃层(11)包括设置在坩埚上部的第一不透明氧化硅玻璃部分(11a)和设置在坩埚下部的第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)。第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)的比重是1.7～2.1，第一不透明氧化硅玻璃部分的比重是1.4～1.8，第一不透明氧化硅玻璃部分的比重小于第二不透明氧化硅玻璃部分的比重。第一不透明氧化硅玻璃部分(11a)相较于第二不透明氧化硅玻璃部分(11b)，其原料氧化硅粉的粒度分布宽，并且，含有更多微粉。
单晶硅提拉用氧化玻璃坩埚及其制造方法

[发明专利]氧化硅玻璃坩埚制造装置-CN201110392625.3有效
发明人：須藤俊明;岸弘史;藤田刚司;神田稔 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2011-12-01 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C03B19/09 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化硅玻璃坩埚制造装置，该氧化硅玻璃坩埚制造装置具有既可移动且能调整电弧放电产生的加热温度的电极，又能缩小间隔壁的通孔与插入该通孔的电极间之间隙的结构。在旋转模具10上方设置板状的间隔壁15，用于加热熔化的电极13插入在贯穿间隔壁15厚方向的通孔16，且向旋转模具10延伸而设置，在间隔壁15上设置使电极13在虚拟摆动轴P周围摆动的摆动单元40，虚拟摆动轴P通过所述通孔16的内部。
氧化玻璃坩埚制造装置

[发明专利]复合坩埚及其制造方法以及硅晶体的制造方法-CN201080037429.8有效
发明人：须藤俊明;吉冈拓麿;岸弘史;藤田刚司;神田稔;铃木光一;北原贤 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2010-08-20 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：提供适用于耐热强度高且长时间的提拉，并且能以低成本制造的坩埚及其制造方法。复合坩埚(10)具有以氧化铝和氧化硅作为主成分的莫来石所构成的坩埚本体(11)以及形成于坩埚本体(11)的内表面侧的透明氧化硅玻璃层(12)，作为坩埚的基本材料使用莫来石(3Al2O3·2SiO2)，透明氧化硅玻璃层(12)的厚度比坩埚本体(11)的厚度薄。坩埚本体(11)能根据粉浆滑浇铸法来形成，透明氧化硅玻璃层(12)能根据喷涂法来形成。
复合坩埚及其制造方法以及晶体

[发明专利]石英玻璃坩埚-CN200980104583.X无效
发明人： 神田稔 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2009-02-04 - 公布日： 2011-02-09 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚，该石英玻璃坩埚的外表面层由天然石英玻璃形成，内面层由合成石英玻璃形成。直筒部具有朝向上方并向外侧展开的形状，优选的，向外侧展开部分的下端和上端的内径差是0.1％以上，并且，角部的合成石英玻璃内面层的层厚是角部中央部分壁厚的20％以上～80％以下，直筒部及底部的合成石英玻璃内面层薄于角部的合成石英玻璃内面层。本发明提供一种即使是大口径的坩埚也在提拉时的高温下上难以产生内倒变形的石英玻璃坩埚。
石英玻璃坩埚

[发明专利]硅单晶提拉用石英玻璃坩埚-CN201010143526.7有效
发明人：小玉真喜子;岸弘史;神田稔 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2010-03-25 - 公布日： 2010-10-13 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供一种石英玻璃坩埚，其可以在短时间内熔融硅原料，且可以借由不透明石英玻璃层随时间经过的状态变化而使硅单晶的制造良率提高。本发明的石英玻璃坩埚包括：设置在外表面侧的含有多个气泡的不透明石英玻璃层11、及设置在内表面侧的实质上不含气泡的透明石英玻璃层12。不透明石英玻璃层11所含的气泡的直径分布为：具有10～30μm的直径的气泡为10％以上且小于30％，具有40～90μm的直径的气泡为40％以上且小于80％，具有90μm以上的直径的气泡为10％以上且小于30％。不透明石英玻璃层11中的相对较小的气泡从提拉步骤的初期阶段起即有助于坩埚的传热性，相对较大的气泡借由经过长时间的提拉步骤而膨胀，在提拉步骤的后半期大大有助于坩埚的保温性。
硅单晶提拉用石英玻璃坩埚

[发明专利]石英玻璃坩埚以及使用该石英玻璃坩埚的硅单晶提拉方法-CN200810210350.5无效
发明人：岸弘史;神田稔 -专利权人：日本超精石英株式会社;胜高股份有限公司
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供用于硅单晶提拉的石英玻璃坩埚，是将非晶质二氧化硅结晶化而成的结晶二氧化硅的面积抑制在坩埚面积的10％以下，将坩埚内表面的开气泡产生的凹部的密度限制在0.01～0.2count/mm²的石英玻璃坩埚，以及提供使用该石英坩埚，将坩埚内表面的熔损速度抑制在20μm/hr以下进行硅单晶的提拉，由此防止气孔的方法。
石英玻璃坩埚以及使用硅单晶提拉方法

[发明专利]石英玻璃坩埚的制造方法-CN200810210328.0无效
发明人：岸弘史;神田稔 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-01-13 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明为石英玻璃坩埚的制造方法，其是对充填在模具内表面的石英粉成形体抽真空的同时进行电弧熔融的坩埚的制造方法，其特征在于，从石英粉成形体的缘端开始石英粉的熔融，其后，降下电弧电极或提起模具，从缘端加热熔融下侧部分，优选在从电弧熔融开始到电弧总时间的10％以内的时间内，将坩埚内表面密封，另外密封厚度为3mm以下。
石英玻璃坩埚制造方法

[发明专利]石英玻璃坩埚的制造方法-CN200810215444.1有效
发明人：岸弘史;神田稔 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：本发明提供弯曲部和底部未被过度加热，形状的成形性优异，并且内部气泡少的石英玻璃坩埚的制造方法。一种石英玻璃坩埚的制造方法，其是一边对充填于旋转模具中的石英粉成形体进行抽真空一边进行电弧熔融而制造石英玻璃坩埚的方法，其特征在于，在电弧熔融开始或电弧熔融中将电极相对于模具中心线相对地向侧方移动，在偏心的位置进行电弧熔融。石英玻璃坩埚的制造方法优选整体加热的时间为电弧熔融总时间的60％以下。
石英玻璃坩埚制造方法

[发明专利]石英玻璃坩埚的制造方法以及制造装置-CN200880000318.2有效
发明人：岸弘史;神田稔;森川正树 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2008-11-28 - 公布日： 2009-12-16 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：一种石英玻璃坩埚的制造方法，是基于旋转模塑法的制造石英玻璃坩埚的方法，其特征在于，将电极设置在相对于模中心线偏离的位置而进行电弧熔融，通过该偏心电弧，将坩埚的直体部、弯曲部以及底部的熔融中的玻璃温度的差控制在300℃以下，将该直体部以及底部的透明层的层厚控制在为弯曲部的透明层的层厚的70％至120％。
石英玻璃坩埚制造方法以及装置

[发明专利]石英玻璃坩埚及其制造方法和用途-CN200680044333.8无效
发明人： 神田稔;佐藤贤 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2006-11-27 - 公布日： 2008-12-03 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明通过在除坩埚底部的坩埚直体部分形成在石英玻璃层内部夹有含铝等结晶促进成分的层的结构，在硅单晶提拉时，可促进该部分的结晶，高温下的坩埚强度提高，因此，不会发生坩埚直体部分的变形或内倒。从而可以提高硅单晶的结晶速率。另外，结晶促进层被夹在石英玻璃层内部，铝或钡等结晶促进成分不与硅熔融液或碳基座接触，不会由于它们的溶出而发生污染。并且，结晶促进层未设在坩埚底部，因此没有提拉结束时热应变导致发生龟裂的危险性，不会发生漏液。
石英玻璃坩埚及其制造方法用途

[发明专利]二氧化硅颗粒的纯化方法和纯化设备以及纯化二氧化硅颗粒-CN200680040256.9有效
发明人： 神田稔;辻义行 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2006-10-25 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明提供二氧化硅颗粒的纯化方法，该纯化方法是使二氧化硅颗粒形成流动状态、在高温下使纯化用气体与流动状态的二氧化硅颗粒接触，除去二氧化硅颗粒的杂质成分的纯化方法，其中，使流动状态的二氧化硅颗粒位于磁场区域内，优选使流动状态的二氧化硅颗粒位于10高斯以上的磁场区域内，在1000℃以上的温度下与纯化用气体接触，由此可以在比以往的气体纯化方法的平均处理温度低的1000℃～1300℃的温度下获得高的纯化效果。
二氧化硅颗粒纯化方法设备以及

[发明专利]石英玻璃与熔硅的反应性及熔硅表面处的振动的评估工艺-CN200310102907.0有效
发明人：岸弘史;神田稔;福井正德 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2003-10-22 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：提供了一种用于容纳在石英玻璃坩埚内的熔硅表面处的振动级的评估工艺，所述工艺包括将从石英玻璃坩埚中切下的石英玻璃试样放在真空炉中，熔融所述玻璃试样上的少量硅，并测量熔硅的振动周期。而且，还提供了一种不会在容纳于石英玻璃坩埚内的熔硅表面处引起振动的石英玻璃坩埚，其中坩埚内壁的石英玻璃的振动周期控制在超过1/6秒。
石英玻璃反应表面振动评估工艺

[发明专利]匹配电路和等离子加工装置-CN02158815.5无效
发明人：住田贤二;奥村智洋;前川幸弘;中山一郎;筱原己拔;神田稔;又村慎一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2002-12-25 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种匹配电路，该匹配电路能够实现很宽的匹配范围并且相对于负荷状态的变化稳定。第一可变电抗元件(32)的一端连接到匹配电路(30)的输入端子(31)上。第一可变电抗元件(32)的另一端连接到串联的第一固定电抗元件(33a)和第二固定电抗元件(33b)之间的点上。第一固定电抗元件(33a)接地，并且第二固定电抗元件(33b)连接到第二可变电抗元件(36)的一端上并且连接到带状线(37)的一端上。第二可变电抗元件(36)的另一端接地，并且带状线(37)的另一端连接到输出端子(38)上。
匹配电路等离子加工装置

1
共 13 条